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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。
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MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要...
汽車功率半導體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導體未來可期
在新能源汽車的供應鏈上電池、電機、電控、功率半導體、視頻傳感器、激光雷達、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。
驅(qū)動電路設計是功率半導體應用的難點,涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
2025-02-17 標簽:驅(qū)動器功率半導體驅(qū)動電路設計 1.2k 0
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關鍵特性及驅(qū)動條件
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。
TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動 MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器,具有集成柵極驅(qū)動器,可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導體的轉(zhuǎn)換器設計。T...
全球十大主流車規(guī)級功率封裝全景解析:HPD, DCM, TPAK, ZPAK, eMPack, PM6, 埋嵌, 混碳, 分立
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術」知識星球-關于全球十大車規(guī)級功率模塊封裝·全景解析,共19500字-文字原創(chuàng),素材來源:各器件廠商信息,第...
『集成電路IC』,指采用半導體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步,使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動器深度技術與應用解讀
面向儲能系統(tǒng)的高可靠性驅(qū)動革新——6AB0460T12-NR01六通道IGBT驅(qū)動器深度技術與應用解讀 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...
電力電子控制從線性控制到模型預測控制在SiC功率系統(tǒng)中的融合與應用
全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導體之一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新...
一文讀懂SiC功率模塊datasheet所有細節(jié):特征參數(shù)、特性曲線與工程應用全解析
-關于SIC關鍵特性參數(shù)應用指南v2.0版本,全文21000字-文字原創(chuàng),素材來源:Danfoss,infineon,NXP,ROHM,網(wǎng)絡-非授權不得...
開關損耗一直困惑著開關電源設計者,由于功率半導體器件在開關過程中,器件上同時存在電流、電壓,因而不可避免地存在開關損耗,如果開關電源中開關管和輸出整流二...
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