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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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柵極驅(qū)動器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動器電路的設(shè)...
根據(jù)ROHM Semiconductor與Solar Frontier簽署的協(xié)議,ROHM于2023年11月成功收購了Solar Frontier在日本...
2023-11-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體Rohm電氣化 1.7k 0
驅(qū)動電路設(shè)計(jì)(一)—— 驅(qū)動器的功能綜述
驅(qū)動電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 1.7k 0
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動汽車和電動機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.6k 0
BM2P060MF-Z DC-DC轉(zhuǎn)換器文檔介紹
BM2P060MF-Z是一款A(yù)C-DC用PWM方式DC-DC轉(zhuǎn)換器,可為帶插座的各種產(chǎn)品提供理想的系統(tǒng)。本IC支持隔離式電源,使用本產(chǎn)品可輕松設(shè)計(jì)各種形...
2025-10-05 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器低功耗功率半導(dǎo)體 1.6k 0
GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗(yàn)證,對于節(jié)能工作意義重...
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作,在高效功率轉(zhuǎn)換,射頻功放,以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.6k 0
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1.6k 0
汽車半導(dǎo)體分類及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
去年因汽車半導(dǎo)體供應(yīng)短缺而陷入嚴(yán)重“新車交付危機(jī)”的汽車行業(yè),現(xiàn)在正面臨半導(dǎo)體庫存過剩的擔(dān)憂,汽車半導(dǎo)體需求的減少被認(rèn)為是根本原因。
2023-11-16 標(biāo)簽:恩智浦功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 1.6k 0
采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),需要精心的設(shè)計(jì)和測試以優(yōu)化性能。
2025-08-25 標(biāo)簽:示波器泰克功率半導(dǎo)體 1.6k 0
基于功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)中的應(yīng)用研究
先驅(qū)者們在多大程度上解決了困擾今天設(shè)計(jì)師的諸多問題,對此作出正確的估計(jì)是有益的。在這些問題中,最大的要數(shù)能量供給的可變性。普通的蒸汽渦輪機(jī)發(fā)電廠都用四個...
2020-04-28 標(biāo)簽:電網(wǎng)發(fā)電機(jī)功率半導(dǎo)體 1.6k 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 1.6k 0
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.6k 0
對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 1.5k 0
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測試方法,為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段...
2025-06-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 1.5k 0
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-09 標(biāo)簽:二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1.5k 0
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