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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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Cu-Clip技術(shù),它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中。它的特點(diǎn)有:降低寄生電感和電阻,增加載流能力,相應(yīng)地提高可靠性,以及靈活的形狀設(shè)計(jì)。
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
晶閘管,也稱為可硅控整流器(SCR),是一種大功率半導(dǎo)體器件,主要用于交流電路中的電壓和功率控制。
2024-05-24 標(biāo)簽:晶閘管SCR功率半導(dǎo)體 3.7k 0
碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料...
2023-02-03 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3.7k 0
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中,如電源、電機(jī)控制、工廠自動(dòng)化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
2023-11-09 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 3.6k 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
2023-02-22 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 3.6k 0
IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 3.6k 0
陶瓷覆銅板是在高溫,流動(dòng)氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴(kuò)散過程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料,既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...
Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測(cè)試儀
SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測(cè)試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)和熱結(jié)構(gòu)退化監(jiān)測(cè)的測(cè)試硬件,評(píng)估功率半導(dǎo)體的熱可靠性和使用壽命。...
2025-01-09 標(biāo)簽:測(cè)試儀功率半導(dǎo)體 3.5k 0
用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET
效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品,節(jié)約能源成本,更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面,功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:三相功率轉(zhuǎn)換SiC 3.5k 0
離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì),以改變其電學(xué)性能的方法,可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。
2022-11-30 標(biāo)簽:制造功率半導(dǎo)體碳化硅 3.5k 0
超大功率晶閘管(Ultra-large Power Thyristor,簡稱ULTRA-T)是一種用于高電壓、高電流場(chǎng)合的功率半導(dǎo)體器件,通常應(yīng)用于工...
2023-02-20 標(biāo)簽:晶閘管高電壓功率半導(dǎo)體 3.4k 0
功率半導(dǎo)體模塊能夠?qū)崿F(xiàn)電能控制與轉(zhuǎn)換,為節(jié)能減排核心技術(shù)和基礎(chǔ)器件,在新能源、輸配電、軌道交通和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域使用。
2023-11-25 標(biāo)簽:電力電子器件功率半導(dǎo)體陶瓷基板 3.4k 0
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 3.4k 0
共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推...
2024-07-21 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 3.4k 0
隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度,更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展,相應(yīng)地也對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。
2023-10-22 標(biāo)簽:隔離電壓DBC功率半導(dǎo)體 3.3k 0
PWM控制型IGBT工作在斬波模式,使得IGBT本身自帶干擾源屬性,自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。
2023-09-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTPWM控制器 3.3k 0
功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出,廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3.3k 0
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