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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 2.9k 0
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 2.9k 0
功率半導(dǎo)體是對功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件,不但實(shí)施電能的存儲、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行,而且將能...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.8k 0
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)渲?,尤其是輕負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn),令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比,其...
2023-09-12 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET功率半導(dǎo)體 2.8k 0
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案
為了提高功率模塊銅線鍵合性能,采用6因素5水平的正交試驗方法,結(jié)合BP(Back Propaga‐tion)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法,提出了一種銅線鍵合工藝參...
芯動半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長期訂單合作協(xié)議
功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色,占據(jù)電機(jī)控制器價值量的30%-50%。因此,功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對于車企在市場競爭中取得成功至關(guān)重要。
2023-12-08 標(biāo)簽:電機(jī)控制器SiC功率半導(dǎo)體 2.8k 0
超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
超結(jié)MOSFET(Super-Junction MOSFET,簡稱SJ-MOS)是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)...
2026-01-04 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 2.7k 0
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項重點(diǎn)扶持項目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 2.7k 0
半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動方式有很多種,比如熱運(yùn)動引起的布朗運(yùn)動、電場作用下的漂移運(yùn)動和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動等等。它們都對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響,...
2025-06-23 標(biāo)簽:電流功率半導(dǎo)體載流子 2.7k 0
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點(diǎn)在功率半導(dǎo)體器件中...
功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),在使用高電壓、大電流時也不會損壞。另外,由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫,因而成為...
2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 2.6k 0
通過這一電路能夠?qū)?個散熱片進(jìn)行熱監(jiān)測。當(dāng)溫度高于85℃時,風(fēng)扇將被激活。在不利的環(huán)境條件下,溫度甚至能夠達(dá)到100℃,然后再進(jìn)行甩負(fù)荷。為完成這一操作...
2018-05-07 標(biāo)簽:熱敏電阻功率半導(dǎo)體 2.6k 0
使用GaN(氮化鎵)的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù),解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!
在做電力電子設(shè)計的朋友,經(jīng)常會遇到一個選擇題:IGBT和MOSFET,到底該用哪個?這兩個器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手,常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動...
2025-08-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.6k 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 2.6k 0
在功率分立器件銷售 2017 年占比中,MOSFET 占比最高,約占 31%,其次是二極管/整流橋占比約 29%,晶閘管和 BJT 等占分立器件約 21...
2023-08-16 標(biāo)簽:芯片分立器件功率半導(dǎo)體 2.6k 0
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
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