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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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飛仕得攜SiC器件動靜態(tài)ATE測試機(jī)和動態(tài)偏壓可靠性測試機(jī)亮相活動
由新態(tài)咨詢主辦的功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow國際功率半導(dǎo)體裝備及材料創(chuàng)新展將于2024年4月22-24日在蘇州獅山國際會議中心舉辦。
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 2.2k 0
晶盛機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出貨
? 【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月21日,晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示,在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇的背景下,下游客戶逐步規(guī)劃實(shí)施擴(kuò)產(chǎn),公司原有8-12英寸大硅片設(shè)備市...
2025-02-22 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅晶盛機(jī)電 2.2k 0
在上一屆Nexperia Power 現(xiàn)場活動中,許多行業(yè)領(lǐng)袖討論了與氮化鎵技術(shù)相關(guān)的不同話題。作為一種材料,在許多應(yīng)用中,GaN 似乎比硅具有顯著的內(nèi)...
SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動對五萬億電網(wǎng)投資的賦能作用
十五五期間五萬億電網(wǎng)投資中的SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動對電網(wǎng)投資的賦能作用 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳...
2026-01-31 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體SiC MOSFET 2.1k 0
日立表示,就推進(jìn)日立和日立功率半導(dǎo)體,并提高企業(yè)價值的方案,反復(fù)進(jìn)行了協(xié)商。經(jīng)過反復(fù)討論,雙方認(rèn)為,為了確保日立功率半導(dǎo)體在今后有望高速增長的功率半導(dǎo)體...
2023-11-03 標(biāo)簽:日立功率半導(dǎo)體美蓓亞 2.1k 0
從碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封裝測試等。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看,碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲,其中美國是世界上最大的。
2023-12-04 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 2.1k 0
近日,馬來西亞富樂華功率半導(dǎo)體陶瓷基板項(xiàng)目順利完成封頂。該項(xiàng)目于去年11月2日在馬來西亞新山隆重舉行開工奠基儀式,標(biāo)志著FerroTec集團(tuán)(中國)在半...
2024-06-05 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體封裝材料 2.1k 0
CIAS2024金翎獎頒獎典禮:上海貝嶺兩款I(lǐng)GBT產(chǎn)品榮獲兩大獎項(xiàng)
CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會于2024年4月23日在蘇州獅山國際會議中心舉行。
2024-04-29 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率半導(dǎo)體 2.1k 0
光隔離探頭主要用于開關(guān)電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機(jī)驅(qū)動等由功率半導(dǎo)體組成的高壓高頻電路的測試,尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半...
2023-06-27 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器逆變器 2.1k 0
IGBT全球缺貨成香餑餑,對從業(yè)者來說是紅利期到了嗎?
IGBT技術(shù)路線、發(fā)展機(jī)遇詳解
2023-03-28 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2.1k 0
先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革
本文聚焦于先進(jìn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等...
2025-04-08 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅封裝 2.1k 0
導(dǎo)語:功率半導(dǎo)體的三大主角,IGBT、SiC和GaN,其中在光伏和風(fēng)電兩大新能源行業(yè)中,IGBT的需求量最大。 ? 1月17日,工信部、能源局等六部門聯(lián)...
2023-02-03 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體 2.1k 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2022-12-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 2.1k 0
羅姆將于12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體,可提升EV續(xù)航里程
日本共同社25日消息,羅姆(ROHM)將于12月開始量產(chǎn)碳化硅(SiC)制成的下一代功率半導(dǎo)體。 據(jù)悉,量產(chǎn)將在日本福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率...
2022-11-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體羅姆 2.1k 0
華潤微電子功率半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目首批設(shè)備搬入
10月17日,華潤微電子功率半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目迎來了首批設(shè)備搬入。 圖片來源:華潤微電子 華潤微電子消息顯示,華潤微電子封測事業(yè)群運(yùn)營副總經(jīng)理、潤安公司...
2022-11-10 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體華潤微電子封測 2.1k 0
全球功率半導(dǎo)體市場迅猛增長:消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動
除了智能手機(jī),通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
三星計(jì)劃入局8英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體代工服務(wù)
三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平,并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體代工服務(wù),以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種...
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