三星棄LED后押注功率半導(dǎo)體領(lǐng)域

　三星電子正著手改革其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向發(fā)展功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是在退出非核心的LED市場后，以把握電動汽車（EV）行業(yè)日益增長的需求。

2024-10-22 標(biāo)簽：led三星電子功率半導(dǎo)體 1.5k 0

吉利旗下晶能微電子并購益中封裝，李書?！凹哟a”自主功率半導(dǎo)體？

據(jù)晶能消息，益中封裝業(yè)務(wù)已穩(wěn)定運行10年，主要生產(chǎn)單一管道先進(jìn)密封包裝，年生產(chǎn)能力3.6億支，近5年持續(xù)盈利。收購?fù)瓿珊?，硅產(chǎn)品設(shè)計涵蓋了外殼模塊、塑料...

2023-08-28 標(biāo)簽：模塊SiC功率半導(dǎo)體 1.4k 0

成都華微科創(chuàng)板上市，聚焦特種集成電路產(chǎn)品

近日，成都華微電子科技股份有限公司（以下簡稱“成都華微”）正式在科創(chuàng)板掛牌上市，標(biāo)志著這家專注于特種集成電路研發(fā)、設(shè)計、測試與銷售的企業(yè)邁入了新的發(fā)展階段。

2024-02-26 標(biāo)簽：集成電路功率半導(dǎo)體科創(chuàng)板 1.4k 0

三菱電機斥資100億日元新建封測工廠

三菱電機近日宣布了一項重大投資計劃，將斥資約100億日元在日本福岡縣福岡市新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該工廠預(yù)計于2026年10月正式投入運營...

2024-12-02 標(biāo)簽：封裝三菱電機功率半導(dǎo)體 1.4k 0

英飛凌泰國新廠破土動工，2026年初投產(chǎn)功率模塊

近日，英飛凌科技在泰國曼谷南部的北欖府正式啟動了一座新的功率半導(dǎo)體模塊制造廠的建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著英飛凌在制造布局多元化方面邁出了重要的一步。

2025-01-22 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體 1.4k 0

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓

在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，英飛凌再次取得了新的里程碑。近日，該公司宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓，這一突破性進(jìn)展展示了英飛凌在半導(dǎo)體材料處理方面的卓越實力。

2024-10-30 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體晶圓 1.4k 0

功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢

報告預(yù)測，2024年，全球功率半導(dǎo)體市場將較去年增長23.4%，達(dá)到2813億日元。盡管受庫存調(diào)整影響，硅功率半導(dǎo)體硅片市場略有下降，但得益于各大廠家產(chǎn)...

2024-05-27 標(biāo)簽：晶圓SiC功率半導(dǎo)體 1.4k 0

三菱電機供應(yīng)12英寸功率半導(dǎo)體芯片

三菱電機集團(tuán)近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅（Si）晶圓制造的功率半導(dǎo)體芯片...

2024-11-14 標(biāo)簽：芯片晶圓三菱電機 1.4k 0

瑞能半導(dǎo)體再次榮獲海爾卡奧斯創(chuàng)智物聯(lián)戰(zhàn)略供應(yīng)商獎

近日，全球功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)瑞能半導(dǎo)體在海爾卡奧斯創(chuàng)智物聯(lián)2023年度優(yōu)秀供應(yīng)商評比中脫穎而出，榮獲戰(zhàn)略供應(yīng)商獎。這一榮譽不僅是對瑞能半導(dǎo)體卓越產(chǎn)品...

2024-03-20 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體 1.4k 0

大陸功率半導(dǎo)體高速成長,不過高端九成依賴進(jìn)口

2018年大陸功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將由2016年的1496億元（人民幣，下同）成長至2263.8億元，顯然未來成長空間仍大

2017-08-22 標(biāo)簽：新能源物聯(lián)網(wǎng)功率半導(dǎo)體 1.4k 2

瑞能半導(dǎo)體斬獲亞洲金選獎功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎

日前，經(jīng)過提名和票選，瑞能半導(dǎo)體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評EE Awards Asia亞洲金選獎“功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎”。

2024-12-10 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.4k 0