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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:2023個(gè) 瀏覽:95280 帖子:53個(gè)

功率器件技術(shù)

柵極電感對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響

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驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開(kāi)通振蕩。

2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 5.1k 0

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)能輕松駕馭更高dv/dt

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)能輕松駕馭更高dv/dt

通過(guò)上述的分析對(duì)比,英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時(shí)、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面,相對(duì)光耦都有...

2022-04-11 標(biāo)簽:英飛凌芯片技術(shù)功率器件 2.5k 0

外延層的摻雜濃度對(duì)SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類(lèi)型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

2022-04-11 標(biāo)簽:工藝功率器件SiC 1.0萬(wàn) 0

成功實(shí)現(xiàn)功率器件熱設(shè)計(jì)的四大步驟

鐵路、汽車(chē)、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量(實(shí)現(xiàn)脫碳),需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、S...

2022-03-25 標(biāo)簽:電力電子功率器件熱設(shè)計(jì) 3.1k 0

開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些

開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面:開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

2022-03-21 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源功率器件集電極 5.4k 0

GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘

GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘

如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...

2022-02-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 3.1k 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2.9k 0

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8.6k 0

GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

2021-04-01 標(biāo)簽:二極管功率器件GaN 3k 0

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。

2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 5.4k 0

一文解析無(wú)芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器

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功率器件在工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿(mǎn)足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專(zhuān)有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標(biāo)簽:變壓器功率器件Rohm 5k 0

基于TOPSwitch-GX系列的離線(xiàn)電源

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由于TOPSwitch-GX的高度集成,芯片中解決了許多電源設(shè)計(jì)問(wèn)題。剩下很少的問(wèn)題需要外部解決,從而為所有應(yīng)用提供了一種通用的電路配置。

2021-05-15 標(biāo)簽:MOS功率器件 1.9k 0

功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

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功率轉(zhuǎn)換器中越來(lái)越多地使用碳化硅(SiC)晶體管,這對(duì)尺寸,重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反,SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...

2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 3k 0

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...

2021-05-26 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 3.9k 0

RX62T微控制器和功率器件相結(jié)合的電機(jī)控制解決方案

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RX62T 組中的 32 位微型計(jì)算機(jī)具有增強(qiáng)的電機(jī)控制功能,可簡(jiǎn)化無(wú)傳感器矢量控制應(yīng)用。

2021-06-22 標(biāo)簽:微控制器逆變器功率器件 6.5k 0

ADI出色的熱設(shè)計(jì)和緊湊型電源設(shè)計(jì)解決方案

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隨著技術(shù)不斷進(jìn)步,所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多,可用空間卻在不斷減少。手機(jī)有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車(chē)儀表盤(pán)上只有基本...

2020-12-23 標(biāo)簽:adi電源設(shè)計(jì)emi 1.9k 0

淺談電機(jī)控制器設(shè)計(jì)功率器件的選擇

I D I_DID 為漏極電流的有效值,由于輸出波形是正弦波,所以漏極電流的峰值為漏極電流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。

2020-11-21 標(biāo)簽:電機(jī)控制器功率器件漏極電流 2.4k 0

碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

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在航天電子產(chǎn)品中,電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要,有時(shí)甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。

2020-10-02 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 5.1k 0

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之五:優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之五:優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

半橋電路(圖1)廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用,是現(xiàn)代設(shè)計(jì)中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是,只有在半橋、門(mén)驅(qū)動(dòng)器和布線(xiàn)正確且優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí),這種電路的優(yōu)勢(shì)...

2020-08-31 標(biāo)簽:示波器功率器件探頭 1.6k 0

提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)

提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)

多年來(lái),工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。大多數(shù)公司將研究重點(diǎn)集中在減小用于能量轉(zhuǎn)換的無(wú)源組件的尺寸上。

2020-08-25 標(biāo)簽:電感器ti反激式轉(zhuǎn)換器 5.2k 0

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    麒麟960(kirin 960)是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片,麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心,小核心為A53,組成四大四小的big.LITTLE組合,GPU為Mali G71 MP8。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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