鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量（實(shí)現(xiàn)脫碳），需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、SiC、GaN等次時代功率器件的存在是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的重要一環(huán)，但一旦使用不當(dāng)則會導(dǎo)致意想不到的不良或降低可靠性，嚴(yán)重時可能會因?yàn)槭袌霾涣紝?dǎo)致召回。其中尤為重要的是直接影響可靠性的熱設(shè)計。一旦發(fā)生問題，則可能會需要重新進(jìn)行器件選型，修改基板布局，重新進(jìn)行散熱設(shè)計等，從而導(dǎo)致返工工時以及成本的增加。

為此，羅姆準(zhǔn)備了一系列的應(yīng)用筆記，匯總了與熱設(shè)計相關(guān)的信息，將有助于提高設(shè)備可靠性，減少設(shè)計返工。應(yīng)用筆記匯總了用戶開發(fā)流程各階段所需的技術(shù)信息的文檔，從基礎(chǔ)到實(shí)踐性內(nèi)容全方位支持客戶。在此本白皮書中，將分4大步驟介紹為成功進(jìn)行熱設(shè)計所準(zhǔn)備的應(yīng)用筆記。點(diǎn)擊下方圖片，即可下載白皮書。

步驟 1 學(xué)習(xí)熱設(shè)計的基礎(chǔ)

步驟 2 了解所使用元器件的熱特性

步驟 3 活用熱仿真

步驟 4 正確進(jìn)行熱測量

以上四個步驟涵蓋了提高應(yīng)用設(shè)備可靠性、削減設(shè)計返工工時所需的相關(guān)熱設(shè)計信息，您可在白皮書中查看詳細(xì)內(nèi)容以及相關(guān)內(nèi)容參考文件。同時，針對從元器件選型到仿真、評價、基板制作等各個流程，羅姆還備有解決用戶課題的最佳解決方案。通過這些內(nèi)容，可以提高用戶應(yīng)用開發(fā)的速度，并為防止故障、不良的發(fā)生做出貢獻(xiàn)。

除此以外，您還可以在關(guān)于第4代SiC MOSFET的相關(guān)介紹和羅姆官網(wǎng)的應(yīng)用筆記和設(shè)計模型中下載該白皮書。

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審核編輯：湯梓紅