半導(dǎo)體集成電路（IC）中的熱特性參數(shù)ΨJT由JEDEC Standard定義，需要測量封裝外面的頂部中央的溫度TT。但是，在分立半導(dǎo)體中不存在這樣的定義，在功率器件中，有時(shí)芯片沒有搭載在封裝中央，熱電偶的溫度測量位置與IC不同。本應(yīng)用說明提供了有關(guān)功率器件的熱電偶測量位置的指南。

背景

半導(dǎo)體集成電路（IC）中的熱特性參數(shù)ΨJT為JEDEC StandardJESD51-2A定義為“結(jié)溫度TJ與組件封裝外頂部中心溫度TT之差除以組件上的功率”。但是，在分立半導(dǎo)體中不存在這樣的定義，在使用熱電偶測量封裝表溫度的情況下，由于在功率器件中存在芯片未搭載在封裝中央的情況、或搭載有多個(gè)芯片的情況，適當(dāng)?shù)臏y量位置因器件而異。

為了使用從結(jié)到溫度測量點(diǎn)的熱特性參數(shù)Ψ來準(zhǔn)確地估計(jì)結(jié)溫TJ，給出了功率器件的熱電偶測量位置的指導(dǎo)方針。

推薦測定位置

首先，給出了功率器件中熱電偶的溫度測量位置。建議的熱電偶測量位置為封裝上芯片正上方或封裝頂部的中間。你需要根據(jù)每個(gè)器件的特點(diǎn)來選擇位置。推薦此測量位置的原因有兩個(gè)：

1. 芯片與測量點(diǎn)之間的熱特性參數(shù)Ψ是穩(wěn)定的。

2. 確保絕緣。

溫度測量時(shí)的注意事項(xiàng)

以下是使用熱電偶測量溫度時(shí)的注意事項(xiàng)。使用熱電偶時(shí)，如果處理不當(dāng)，可能會導(dǎo)致與原來不同的結(jié)果，因此需要注意。請參考以下要點(diǎn)。

1. 熱電偶有很多種類，如果不使用適合用途的熱電偶，測量溫度就會變低。對于半導(dǎo)體器件用途，推薦K型1級。

2. 如果線徑粗，則由于從熱電偶本身散熱，所以測定溫度變低。建議使用AWG36-40。

3. 焊接是前端處理的最佳選擇。在絞線處理中，測量溫度變低。

4. 推薦的固定方法是使用最少量的環(huán)氧膠粘劑。聚酰亞胺帶有可能從器件浮起，其結(jié)果是測定溫度變低。

5. 導(dǎo)線必須沿著封裝主體布線到PCB。由此，能夠減輕由來自引線的散熱引起的熱電偶接合部的溫度降低。

6. 測量環(huán)境必須與最終產(chǎn)品的環(huán)境一致。