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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注43人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：2059個 瀏覽：95376次 帖子：53個

      功率器件資訊

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      具有 Z 軸靈敏度的 TMR 傳感器

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      2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正...

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      2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET充電器功率器件 1.7k 0

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      日前，長電科技舉辦了2023年第二期線上技術(shù)論壇，主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用，與業(yè)界交流長電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗與創(chuàng)新。 功率半導(dǎo)體器件目前廣泛應(yīng)用...

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      新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產(chǎn)

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      新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用...

      2023-05-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 3.8k 0

      如何突破功率半導(dǎo)體器件性能天花板?

      碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；8...

      2023-05-18 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 721 0

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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實例等。
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