半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：5月18日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“新微半導(dǎo)體”）宣布，基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圓的40V增強(qiáng)型（p-GaN）功率器件工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)完成，正式發(fā)布量產(chǎn)。該工藝平臺(tái)采用業(yè)界領(lǐng)先的無(wú)金工藝和集成電路互聯(lián)，支持Through-GaN-Via(TGV)和Circuit-Under-Pad(CUP)，相比傳統(tǒng)的硅基功率芯片，具有更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度和更小的尺寸。

基于該工藝平臺(tái)生產(chǎn)的功率器件憑借低導(dǎo)通電阻和高可靠性等眾多優(yōu)勢(shì)，為低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景提供更小物理尺寸、更輕重量和更節(jié)能的解決方案。憑借這些優(yōu)秀的特征，該工藝平臺(tái)可為終端應(yīng)用市場(chǎng)提供具有卓越品質(zhì)、更小面積和更低成本的功率產(chǎn)品，可廣泛用于手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等終端領(lǐng)域。

40 V氮化鎵功率器件截面示意圖

新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無(wú)金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。同時(shí)還采用了（接觸孔鎢）鎢栓、晶圓表面全局平坦化（CMP）等集成電路互聯(lián)工藝，并支持Circuit-Under-Pad。其優(yōu)良性能獲得客戶的高度認(rèn)可，已成功導(dǎo)入多家客戶設(shè)計(jì)。

基于該工藝制備的器件典型參數(shù)

基于該工藝制備的器件局部圖

新微半導(dǎo)體還擁有自己的功率外延技術(shù)。該技術(shù)采用了業(yè)界廣泛應(yīng)用的硅基氮化鎵異質(zhì)外延以降低成本。由于氮化鎵和硅具有較大的晶格失配以及熱膨脹系數(shù)的差異，因此高品質(zhì)的6吋硅基氮化鎵外延極具挑戰(zhàn)。新微半導(dǎo)體外延技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過(guò)應(yīng)力調(diào)控、有源層設(shè)計(jì)等技術(shù)，針對(duì)多種不同應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)發(fā)出高質(zhì)量6吋硅基氮化鎵外延工藝，實(shí)現(xiàn)了低缺陷密度的硅基氮化鎵外延，可滿足高、低壓多種功率器件應(yīng)用。

6吋硅基氮化鎵功率外延結(jié)構(gòu)示意圖及外延層厚度map圖

開(kāi)局即沖刺，新微半導(dǎo)體氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)跑出加速度。新微半導(dǎo)體將陸續(xù)推出100V、150V和650V等中、高壓功率器件量產(chǎn)工藝，憑借高效、高頻和高可靠性等卓越特征，助力廣大客戶在消費(fèi)類(lèi)、工業(yè)、通信等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中大放異彩。敬請(qǐng)期待。

上海新微半導(dǎo)體有限公司成立于2020年初，位于上海市臨港新片區(qū)，一期建筑面積60,000平方米，專(zhuān)注于光電、射頻和功率三大化合物半導(dǎo)體的晶圓代工服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子、生物醫(yī)療、新能源、通信、汽車(chē)和微波毫米波等眾多終端應(yīng)用領(lǐng)域。

作為上海臨港新片區(qū)導(dǎo)入的上海市重大實(shí)施項(xiàng)目，新微半導(dǎo)體已于2020年8月通過(guò)國(guó)家發(fā)改委窗口指導(dǎo)；2021年被列為上海市重大建設(shè)項(xiàng)目，并獲立項(xiàng)“上海太赫茲化合物半導(dǎo)體器件及應(yīng)用工程技術(shù)研究中心”；2022年獲立項(xiàng)“上海市化合物半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心”。

新微半導(dǎo)體擁有一支具備全球化視野、產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的生產(chǎn)、研發(fā)和管理團(tuán)隊(duì)，吸引了來(lái)自海內(nèi)外具有豐富產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人才,形成了成熟的研發(fā)和工程技術(shù)團(tuán)隊(duì)。新微半導(dǎo)體在國(guó)內(nèi)外化合物半導(dǎo)體技術(shù)基礎(chǔ)上，通過(guò)先進(jìn)異質(zhì)外延技術(shù)、新型鍵合技術(shù)、襯底技術(shù)和封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)與硅工藝的深度融合，獲得性能和成本的雙重競(jìng)爭(zhēng)力。

審核編輯 ：李倩