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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件資訊

僧多粥少引搶食汽車功率器件市場狼煙再起

變化激烈的替代能源市場讓過去一直十分穩(wěn)定的功率電子業(yè)務領域產(chǎn)生了動蕩?；旌蟿恿嚕℉EV）與純電動汽車（EV）的巨大潛在市場規(guī)?；蛟S也會為該領域帶來進一...

2013-06-09 標簽：英飛凌電動車 IGBT 2.5k 0

Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。

2013-06-04 標簽：MOSFET Vishay 功率器件 1.4k 0

英國為恩智浦提供200萬英鎊氮化鎵發(fā)展資金

英國財政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦（NXP）英國分公司提供200萬英鎊，以促進氮化鎵（GaN）器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效，因此很可能成為...

2013-06-03 標簽：恩智浦功率器件氮化鎵 918 0

全球功率半導體市場再度走低，2012比上年下降11.5%

　日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5％。功率半導...

2013-05-21 標簽：功率器件功率半導體 1.1k 0

英飛凌推出采用突破性超結技術的CoolMOS C7

英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結MOSFET技術的Cool...

2013-05-20 標簽：英飛凌功率器件 CoolMOS C7 3.1k 0

意法最新拆分重組戰(zhàn)略：移動處理器合資失敗

鑒于即將退出意法愛立信（ST-Ericsson）——在移動處理器方面合資失敗的一家公司，位于瑞士日內(nèi)瓦的歐洲最大芯片公司意法微電子5月16日向財務分析師...

2013-05-20 標簽：微控制器傳感器移動處理器 781 0

IR開始商業(yè)裝運氮化鎵器件

全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運...

2013-05-14 標簽：功率器件氮化鎵 IR公司 1.2k 0

Vishay Siliconix發(fā)布新款N溝道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的...

2013-04-23 標簽：MOSFET Vishay 功率器件 3k 0

2013年功率器件市場強勢回彈創(chuàng)新紀錄

據(jù)市場調(diào)研機構Yole Developpement的最新報告，2013年，包括分立器件、模塊和電源IC在內(nèi)的功率器件市場將同比增長10.5%達115億美元。

2013-03-29 標簽：分立器件功率器件 1.1k 0

英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術的新一代DrMOS器件DrBlade

英飛凌近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC ...

2013-03-27 標簽：英飛凌功率器件 DrBlade 1.7k 0

科普混合動力車中大功率元件的五大要素

混合動力車設計過程中會出現(xiàn)各種各樣的功率器件問題，如更高效、更出色載流能力等等，本文著重如何解決這方面的問題。

2013-03-15 標簽：混合動力車功率器件 1.8k 0

恩智浦發(fā)布采用LFPAK56封裝的汽車功率MOSFET

恩智浦半導體近日推出54款符合汽車工業(yè)標準并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智...

2013-03-08 標簽：MOSFET 恩智浦功率器件 3.6k 0

英飛凌選用漢高新型導熱膏——導熱性能更出色的TIM

功率半導體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中。只有這樣，它們才能確保實現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個技術瓶...

2013-02-26 標簽：英飛凌散熱器功率器件 2.3k 0

應用日漸增多，超結MOSFET前景一片看好

Yole Developpement 指出，SJ MOSFET技術市場有2/3皆應用于消費型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲機的電源供應器，雖然這些產(chǎn)品的市...

2013-02-26 標簽：MOSFET 功率器件 2.3k 0

300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結MOSFET

英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產(chǎn)品是有超結（Super Junction）構造的功率MOSFET“CoolM...

2013-02-25 標簽：MOSFET 晶圓功率器件 2.2k 0

IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設計保駕護航

近年來，全社會追求低能耗風潮愈演愈烈，其最終目的就在于最大限度減少電能損耗，實現(xiàn)變頻功能也需要功率器件發(fā)揮自身神奇作用。如何才能實現(xiàn)更高效的節(jié)能設計？

2013-02-22 標簽：MOSFET 電機控制節(jié)能 3.1k 0

恩智浦推出針對熱插拔應用的新一代功率MOSFET

NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨特組合展示了恩智浦在該領域的技術能力。

2013-01-24 標簽：MOSFET 恩智浦熱插拔 1.2k 0

東芝推出可在高溫下應用的車載功率MOSFET

東芝于日前宣布，開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產(chǎn)品，是該公司功率...

2013-01-23 標簽：MOSFET 東芝功率器件 1k 0

IR推出具有基準導通電阻的全新300V功率MOSFET

IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻（Rds（on）），全新功率MOSFET系列具有極低...

2013-01-22 標簽：MOSFET 逆變器 IR 1.7k 0

新一代功率器件將在2013年迎來技術大挑戰(zhàn)

SiC和GaN作為新一代的半導體功率器件，由于其開關高速、高頻工作和高溫工作燈特點，受到了廣大關注。隨著鐵路和工業(yè)設備應用增加，在2013年，這兩款器件...

2013-01-21 標簽：功率器件 SiC GaN 898 0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術部聯(lián)合資助，投資預計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應性、資源效率及基因工程學的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關的底層驅動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設備驅動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標準化瀏覽器等。
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　　網(wǎng)絡文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導體有限公司推出的新一代移動設備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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