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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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在這片文章里,我們給大家介紹最基本的功率器件MOSFET,對其進(jìn)行初步的解析和各種應(yīng)用介紹。
如何實現(xiàn)IR2110驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計
驅(qū)動IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動、電路參數(shù)一致性好、運行穩(wěn)定可靠等優(yōu)點,但其相對價格...
中國科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展,成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出,中國本土設(shè)計與制造的...
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展,開關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問題越來越凸出,開關(guān)過程引起的電壓、電流過沖,影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...
意法半導(dǎo)體(ST)調(diào)整新戰(zhàn)略核心 五大成長型市場可期
意法半導(dǎo)體(ST)新戰(zhàn)略的核心是MEMS及傳感器、智能功率、汽車芯片、微控制器、應(yīng)用處理器,其中包括數(shù)字消費電子,這五大產(chǎn)品市場預(yù)計呈現(xiàn)長期穩(wěn)定的增長趨勢。
2012-12-12 標(biāo)簽:微控制器意法半導(dǎo)體應(yīng)用處理器 1.6k 0
MOSFET作為一種常用的功率器件,在電源的設(shè)計應(yīng)用中有著不可替代的地位,本文就影響MOSFET的一些因素進(jìn)行分析,給大家講述一下影響MOSFET的因素。
隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
2012-11-26 標(biāo)簽:IGBT功率器件Power MOSFET 1.4萬 0
所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流...
富士通半導(dǎo)體量產(chǎn)可實現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件
富士通半導(dǎo)體于日前宣布,利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源,成功輸出了2.5kW的高功率,同時還公布了 2013年下半年開始量產(chǎn)硅基...
由于本設(shè)計中的變換器的應(yīng)用場合的電壓和電流都比較大,則除考慮效率因素外,選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關(guān)特...
2012-10-10 標(biāo)簽:功率器件 2.7k 0
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目,共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on...
實現(xiàn)了一種全集成可變帶寬中頻寬帶低通濾波器,討論分析了跨導(dǎo)放大器-電容(OTA—C)連續(xù)時間型濾波器的結(jié)構(gòu)、設(shè)計和具體實現(xiàn),使用外部可編程電路對所設(shè)...
2012-10-09 標(biāo)簽:功率器件 2.7k 0
逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要,目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管(GTR),功率場效應(yīng)管(MOSFET),絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘...
利用數(shù)字電源和優(yōu)化功率器件降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設(shè)計能否取得成功的主要因素之一。過去幾年,計算和通信設(shè)備制造商一直在內(nèi)部推動技術(shù)規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技...
當(dāng)前,電子設(shè)備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計,電子設(shè)備的失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起的,隨著溫度的增加,電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長。所以,功率器件...
我國20世紀(jì)80年代以前的靜止變頻技術(shù)由于受到電力電子器件技術(shù)的影響,一直處于停滯不前的狀態(tài),各個行業(yè)感應(yīng)加熱用中頻電源基本上使用中頻變頻電機供電。隨著...
隨著全球能源的日趨緊張,節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過程中,轉(zhuǎn)換期間的能量損失是影響節(jié)能節(jié)電的重要因素,始終成為人們關(guān)...
科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破!
科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破,為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET...
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)
高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號:RFMD)日前宣布,...
熱點應(yīng)用走熱,2012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件
隨著2012年第一季度即將過去,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走勢也逐漸明朗,在走訪了多家半導(dǎo)體廠商后,2012年幾大熱點應(yīng)用逐漸浮出水面...
2012-03-15 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件Nand Flash 1.9k 0
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