采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
，已在中國，新加坡，美國，德國，巴西，加拿大和墨西哥設(shè)立了超過40處分部。Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別
2025-12-29 20:26:58
晶圓工藝: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻：特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MO S內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-29 07:54:43
TE為嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)并制造一系列從感應(yīng)元件到系統(tǒng)封裝的壓力傳感器。
TE可提供領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)化及定制化的壓力傳感器產(chǎn)品，從板裝式壓力元件到帶有放大輸出并完整封裝的壓力變送器?；诠鑹鹤栉C(jī)
2025-12-24 18:02:26
：小功率器件側(cè)重工藝性與環(huán)保合規(guī)；中功率器件需平衡活性與抗熱疲勞性；大功率器件則要求高溫活性穩(wěn)定、殘留量低且絕緣性優(yōu)異。匹配需遵循工藝、器件、合規(guī)三大原則，同時(shí)規(guī)避盲
2025-12-12 15:40:14
2166 
博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)商以及分銷商，產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06561 為了方便廣大電子硬件工程師用好薩科微slkor的產(chǎn)品，為客戶提供配套的技術(shù)服務(wù)，讓產(chǎn)品更好為客戶創(chuàng)造價(jià)值，薩科微推出晶體管光耦PC817應(yīng)用電路等系列方案，可以廣泛 應(yīng)用于PLC、工業(yè)控制、開關(guān)電源
2025-12-04 11:36:34
，助客戶快速推出產(chǎn)品，提升競爭力。l 技術(shù)創(chuàng)新，滿足市場變化經(jīng)驗(yàn)豐富團(tuán)隊(duì)具備全流程能力，持續(xù)創(chuàng)新推出新產(chǎn)品。正在研發(fā)更高頻、低損耗產(chǎn)品，鞏固市場領(lǐng)先地位。Neway以技術(shù)優(yōu)勢緊跟趨勢，為客戶創(chuàng)造價(jià)值，未來將持續(xù)創(chuàng)新，推動多領(lǐng)域發(fā)展。
2025-12-04 09:17:13
熱壓鍵合（Thermal Compression Bonding，TCB）是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝工藝技術(shù)，通過同時(shí)施加熱量和壓力，將芯片與基板或其他材料緊密連接在一起。這種技術(shù)能夠在微觀層面上實(shí)現(xiàn)材料間的牢固連接，為半導(dǎo)體器件提供穩(wěn)定可靠的電氣和機(jī)械連接。
2025-12-03 16:46:562102 
晶圓工藝:
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝 ，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻:
特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOS內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-02 08:02:07
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-01 17:51:062722 
CP測試采用華虹128 通道同測技術(shù)
04取得嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案廠商Cypress 90nm SONOS工藝技術(shù) License 授權(quán)
05多種小型化的封裝類型等行業(yè)中，其中 WLCSP封裝面積僅為 665umx676um泛用于消費(fèi)、工業(yè)、通訊、醫(yī)療
2025-11-28 06:43:14
和墨西哥設(shè)立了超過40處分部。Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別，并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品
2025-11-25 09:35:04
包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器、緊固件與硬件，傳感器等。
Heilind以強(qiáng)大的庫存、靈活的政策、靈敏的系統(tǒng)、知識廣博的技術(shù)支持和無與倫比的客戶
2025-11-20 16:33:20
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-20 09:01:291707 DGS & DRB是功率器件可靠性測試中的關(guān)鍵內(nèi)容。DGS評估器件檢測碳化硅功率MOSFET 的柵極開關(guān)不穩(wěn)定性，DRB評估器件芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)因高dv/dt 導(dǎo)致的快速充電老化現(xiàn)象。因此，季豐電子引入業(yè)內(nèi)先進(jìn)設(shè)備為廣大客戶提供檢測服務(wù)，為產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)，創(chuàng)造共贏。
2025-11-19 11:19:10500 
H6253HV 是惠海半導(dǎo)體推出的 200V 耐壓規(guī)格 DC-DC 降壓恒壓芯片，聚焦寬電壓適配與穩(wěn)定輸出需求，適配多場景電源應(yīng)用。
核心技術(shù)參數(shù)
輸入電壓適配范圍為 8V-180V，覆蓋中高壓輸入
2025-11-15 10:07:41
在電子設(shè)備小型化與高功率密度需求日益凸顯的今天，功率器件的封裝與性能平衡成為行業(yè)技術(shù)突破的核心痛點(diǎn)。江西薩瑞微電子作為國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)，推出的P6SMFTHE系列產(chǎn)品，以"
2025-11-11 10:00:05338 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體行業(yè)，光刻（Photo）工藝技術(shù)就像一位技藝高超的藝術(shù)家，負(fù)責(zé)將復(fù)雜的電路圖案從掩模轉(zhuǎn)印到光滑的半導(dǎo)體晶圓上。作為制造過
2025-11-10 09:27:481746 
電源管理系統(tǒng)域控制器POL轉(zhuǎn)換電路
在6.6kW車載充電Demo系統(tǒng)中，配合SiC功率器件可實(shí)現(xiàn)96%以上的峰值效率。CYNTEC VCGA052T通過材料創(chuàng)新和工藝升級，為汽車電子設(shè)計(jì)師提供了兼具
2025-11-05 13:59:25
與應(yīng)用。
安全與效率核心要求：以 USB PD 協(xié)議為代表的快充方案中，為實(shí)現(xiàn)高電壓、高電流、高功率的安全充電，對整流同步環(huán)節(jié)的元器件提出了嚴(yán)格要求。尤其是低電壓高電流的 “閃充” 技術(shù)，對相關(guān)元器件的性能
2025-11-03 09:28:36
工業(yè)自動化制造商現(xiàn)提供熱門氣動產(chǎn)品的CAD和 PDF即時(shí)在線訪問服務(wù)
氣動執(zhí)行器創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)otion Controls公司為其廣受歡迎的D系列氣缸推出了新的在線配置器，使工程師能夠立即訪問
2025-10-29 12:51:14
損耗與穩(wěn)定性，成為行業(yè)研發(fā)的核心課題。中科微電作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先行者，憑借對SGT（屏蔽柵溝槽）工藝的深度鉆研，推出了ZK150G09T N溝道MOS
2025-10-28 12:03:09276 
中科微電作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，憑借多年技術(shù)沉淀推出的ZK100G325B N溝道MOS管，不僅以100V耐壓、411A大電流等硬核參數(shù)打破性能邊界，更依托先進(jìn)的SGT（屏蔽柵溝槽）工藝
2025-10-28 11:54:46228 
中科微電深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域11年，依托深厚的技術(shù)積淀與項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，推出的ZK200G120P N 溝道MOS管，以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組合，不僅打破了傳統(tǒng)器件在高功率場景下的性能瓶頸，更重新定義了中高壓MOS管的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，成為多領(lǐng)域設(shè)備升級的關(guān)鍵選擇。
2025-10-25 11:10:14326 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162052 
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無論是智能手機(jī)、自動駕駛汽車，還是衛(wèi)星通信系統(tǒng)，SOI技術(shù)都在幕后扮演著關(guān)鍵角色。
2025-10-21 17:34:181329 
（CGD） 13日宣布與領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)格芯（GlobalFoundries，簡稱 GF）達(dá)成合作伙伴關(guān)系。此次合作強(qiáng)化了 CGD 的無晶圓廠戰(zhàn)略，拓展了其 ICeGaN? 功率器件的供應(yīng)鏈
2025-10-15 09:39:57860 是為觸覺應(yīng)用設(shè)計(jì)的驅(qū)動器解決方案。HV56020是集成了運(yùn)算放大器、直流-直流轉(zhuǎn)換器和功率MOSFET的多芯片模塊 (MCM)。該運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動225V觸覺壓電執(zhí)行器，最小拉/灌電流為40mA
2025-10-14 15:58:22390 
Microchip Technology HV53001 16通道推挽式驅(qū)動器為各種應(yīng)用提供集成式驅(qū)動器解決方案，包括三個(gè)主要功能塊：一個(gè)高壓驅(qū)動器、一個(gè)SPI接口和一個(gè)帶功率MOSFET的直流/直流升壓控制器。
2025-10-14 14:52:58404 
Microchip Technology HV53011 16通道推挽式驅(qū)動器為表面觸覺應(yīng)用提供高壓驅(qū)動器解決方案。HV53011具有16個(gè)推挽式驅(qū)動器，輸出擺幅為±135V，具有返回至零 (RTZ
2025-10-14 14:45:08372 
Microchip Technology HV56020雙250V觸覺驅(qū)動放大器陣列（帶升壓）是用于觸覺應(yīng)用的多芯片模塊 (MCM) 驅(qū)動器解決方案。該IC由三個(gè)器件組成。雙高壓運(yùn)算放大器、直流
2025-10-13 14:52:34406 
DRV814x-Q1 系列器件是一款完全集成的半橋驅(qū)動器，適用于各種汽車應(yīng)用。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)，采用電源封裝，具有出色的功率處理和熱能力，同時(shí)提供緊湊的封裝尺寸
2025-10-13 14:02:52426 
DRV814x-Q1 系列器件是一款完全集成的半橋驅(qū)動器，適用于各種汽車應(yīng)用。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)，采用電源封裝，具有出色的功率處理和熱能力，同時(shí)提供緊湊的封裝尺寸
2025-10-13 11:18:49542 
發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，用戶可同時(shí)從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此
2025-09-29 10:46:22303 Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和通信基站所用
2025-09-28 15:17:14499 。該器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)，具有出色的功率處理和熱性能，同時(shí)采用緊湊的封裝尺寸，易于布局，提供EMI控制、精度、電流感測、穩(wěn)健性和診斷功能。
2025-09-24 14:23:50707 
在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，始終致力于核心工藝技術(shù)的創(chuàng)新與突破
2025-09-16 14:56:051645 
員更加專注于創(chuàng)新功能的開發(fā)。
作為TE Connectivity授權(quán)分銷商，Heilind可為市場提供相關(guān)服務(wù)與支持，此外Heilind也供應(yīng)多家世界頂級制造商的產(chǎn)品，涵蓋25種不同元器件類別，并重
2025-09-11 10:23:20
+125℃ 嚴(yán)苛條件下耐受運(yùn)行(性能保證至 +105℃)的座艙應(yīng)用。依托 TDK 廣泛用于汽車市場的穩(wěn)健技術(shù)與設(shè)計(jì)，為非安全應(yīng)用樹立了質(zhì)量標(biāo)桿。
2025-09-10 14:40:18949 silex希來科的產(chǎn)品在最新的Wi-Fi技術(shù)和個(gè)人客戶支持解決方案
2025-08-27 15:19:04556 
束產(chǎn)品、晶體與振蕩器、緊固件與五金件，傳感器等。
Heilind以強(qiáng)大的庫存、靈活的政策、靈敏的系統(tǒng)、知識廣博的技術(shù)支持和無與倫比的客戶服務(wù)為運(yùn)營理念。2012年12月，赫聯(lián)電子正式啟動其亞太業(yè)務(wù)
2025-08-25 16:46:01
標(biāo)準(zhǔn)3lot qual 驗(yàn)證并完成上架。這一里程碑標(biāo)志著創(chuàng)飛芯在HV工藝OTP IP領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得認(rèn)可，為顯示驅(qū)動芯片及更多應(yīng)用場景提供了高可靠、大容量的存儲解決方案。
2025-08-14 17:20:531311 ，提高了產(chǎn)品的可靠性。 產(chǎn)品特點(diǎn) 1、采用先進(jìn)工藝技術(shù), 內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)； 2、采用PDFN5060、TO-252、SOP8等封裝，適用于車載大功率應(yīng)用； 3、工作結(jié)溫 Tj(max) = 175
2025-08-13 17:57:012747 
選型指南，一篇文章帶你了解，RFMD2081 低功耗、寬帶 IQ 調(diào)制器
2025-08-12 16:43:294496 
——RFMD2081。 該調(diào)制器的輸入 3dB 帶寬為 100MHz，可產(chǎn)生 45MHz 至 2700MHz 的輸出頻率，適用于各種應(yīng)用。分?jǐn)?shù) N 分頻合成器采用先進(jìn)的 Σ-Δ
2025-08-11 18:12:05
工藝等多種類型。部分工藝需根據(jù)2.5D/3D封裝的特定要求進(jìn)一步發(fā)展，例如3D封裝中的引線鍵合技術(shù)，對線弧高度、焊點(diǎn)尺寸等有了更高標(biāo)準(zhǔn)，需要工藝上的改良與創(chuàng)新。除TSV工藝外，本書已對多數(shù)相關(guān)技術(shù)進(jìn)行過介紹，受篇幅限制，本章僅重點(diǎn)講解TSV工藝技術(shù)。
2025-08-05 15:03:082803 
流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠，正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證，標(biāo)志著中國大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu)，通過引入高介電常數(shù)金屬柵極（HKMG）和極紫外光刻（EUV）預(yù)研技術(shù)，將晶體管密
2025-08-04 15:22:2110986 在半導(dǎo)體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準(zhǔn)、高效、可靠的測量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
MASW-011052 是由MACOM推出的 HMIC?硅 PIN 二極管 SP2T 寬帶開關(guān)，選用 MACOM 專利技術(shù)的 HMIC（異石微波集成電路）工藝技術(shù)，工作頻率范圍為 2-18 GHz
2025-07-18 08:57:26
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
的設(shè)計(jì)工具和制作工藝，為廣大客戶提供高性能、高可靠性、定制化的射頻解決方案。IPP 已通過ISO 9001:2015質(zhì)量管理體系認(rèn)證，確保產(chǎn)品在設(shè)計(jì)和制造過程中的穩(wěn)定性和一致性。核心產(chǎn)品IPP 的產(chǎn)品線涵蓋
2025-07-10 09:42:10
一站式PCBA加工廠家今天為大家講講影響PCBA代工代料價(jià)格的要素有哪些？影響PCBA代工代料價(jià)格要素。在選擇PCBA代工代料服務(wù)時(shí)，價(jià)格是客戶關(guān)注的核心因素之一。然而，PCBA代工代料價(jià)格的構(gòu)成
2025-07-07 12:02:41587 的影響不容忽視，它會導(dǎo)致多方面問題，嚴(yán)重影響電源系統(tǒng)的性能和可靠性。通過優(yōu)化PCB 布局設(shè)計(jì)、選擇合適的器件與封裝、采用去耦電容與緩沖電路以及應(yīng)用主動抑制技術(shù)等一系列措施，可有效地降低線路寄生電感的不利影響，提高電源產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。
免責(zé)申明：圖片及內(nèi)容整理自網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除
2025-07-02 11:22:49
兼容的高溫樹脂，從而為客戶節(jié)省時(shí)間和金錢
作為TE的授權(quán)分銷商，Heilind可為市場提供相關(guān)服務(wù)與支持，此外Heilind也供應(yīng)多家世界頂級制造商的產(chǎn)品，涵蓋25種不同元器件類別，并重視所有
2025-06-30 09:59:29
的過渡步驟。
不過2017 年提出的叉片設(shè)計(jì)初始版本似乎過于復(fù)雜，無法以可接受的成本和良率進(jìn)行制造?，F(xiàn)在，Imec 推出了其叉片晶體管設(shè)計(jì)的改進(jìn)版本，該設(shè)計(jì)有望更易于制造，同時(shí)仍能為下一代工藝技術(shù)提供功率
2025-06-20 10:40:07
在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，而攻克這些技術(shù)難題的關(guān)鍵在于電鍍。借助電鍍實(shí)現(xiàn)
2025-06-09 14:52:262048 
RF1140DS單極四擲（SP4T）開關(guān)RFMD現(xiàn)貨庫存RF1140DS是一種單極四擲（SP4T）開關(guān)，專為需要極低插入損耗和高功率處理能力的通用開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。RF1140DS非常適合需要
2025-06-06 09:19:12
。本文科準(zhǔn)測控小編將介紹如何通過Beta S100推拉力測試機(jī)等設(shè)備，系統(tǒng)研究了塑封功率器件分層的失效機(jī)理，分析了材料、工藝等因素對分層的影響，并提出了針對性的工藝改進(jìn)方案，為提高塑封功率器件的可靠性提供了理論依據(jù)和實(shí)
2025-06-05 10:15:45738 
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中，銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢逐漸
2025-06-03 15:43:331152 
寄生電容會對充電機(jī)輸出功率產(chǎn)生顯著影響。
一、 變壓器寄生電容的產(chǎn)生原因？
變壓器的寄生電容主要包括初級與次級繞組之間的分布電容、繞組層間電容及匝間電容。其成因可歸納為以下兩方面：
1、 內(nèi)部結(jié)構(gòu)因素
2025-05-30 11:31:41
摩擦焊等存在諸多問題，難以滿足現(xiàn)代工業(yè)對水冷板高質(zhì)量焊接的需求。激光焊接技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢，在水冷板焊接領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。下面來看看激光焊接技術(shù)在焊接水冷板工藝中的應(yīng)用。 激光焊接技術(shù)具有高精度、高
2025-05-27 15:14:30622 
隨著我司工藝技術(shù)的突破，眾陽生產(chǎn)的半柔板（Semi-Flex PCB）產(chǎn)品可靠性強(qiáng)，彎曲性能好，性價(jià)比越來越高，得到了廣大客戶的認(rèn)可，隨著訂單也越來越多。為了更好服務(wù)客戶，滿足客戶的產(chǎn)品需求，下面給
2025-05-21 12:17:54553 
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W，在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。 一、主要分類 ? 按器件結(jié)構(gòu)劃分 ? ? 二極管 ?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位； ? 晶體管 ?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開關(guān)與
2025-05-19 09:43:181297 在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，贏得客戶信任是業(yè)務(wù)長期發(fā)展的關(guān)鍵，而構(gòu)建完善的代工生態(tài)系統(tǒng)，毫無疑問是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的前提。英特爾在2025英特爾代工大會上明確表示，將以客戶需求為中心，通過加強(qiáng)生態(tài)合作和完善
2025-05-09 14:38:42464 ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063897 封裝技術(shù)的最新進(jìn)展，并宣布了全新的生態(tài)系統(tǒng)項(xiàng)目和合作關(guān)系。此外，行業(yè)領(lǐng)域齊聚一堂，探討英特爾的系統(tǒng)級代工模式如何促進(jìn)與合作伙伴的協(xié)同，幫助客戶推進(jìn)創(chuàng)新。 英特爾公司首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）在開幕演講中分享了英特爾代工的進(jìn)展和未來發(fā)展重點(diǎn)，強(qiáng)調(diào)公司正
2025-04-30 10:23:44426 
YXC揚(yáng)興科技致力于成為行業(yè)創(chuàng)新的引領(lǐng)者。為客戶提供高品質(zhì)的時(shí)鐘解決方案，更通過深度理解客戶需求，推出具有特色的產(chǎn)品系列，完美匹配并市面上現(xiàn)有產(chǎn)品的性能。
2025-04-23 17:19:011017 
一、技術(shù)定義與核心特性 BiCMOS（Bipolar-CMOS）?是一種將?雙極型晶體管（BJT）?與?CMOS晶體管?集成在同一芯片上的混合工藝技術(shù)，通過結(jié)合兩者的優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的平衡
2025-04-17 14:13:541532 。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
在電子封裝技術(shù)的快速發(fā)展中，陶瓷基板因其出色的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和良好的機(jī)械性能，成為了高端電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵材料。為了滿足不同應(yīng)用場景的需求，陶瓷基板工藝技術(shù)不斷演進(jìn)，形成了DPC、AMB、DBC、HTCC與LTCC這五大核心工藝……
2025-03-31 16:38:083073 
3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術(shù)展覽會圓滿落幕，本次會上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品，吸引了新能源汽車、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741 本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。
2025-03-27 16:07:411958 
的不斷發(fā)展，寧波中電集創(chuàng)作為電子制造設(shè)備領(lǐng)域的專業(yè)廠商，致力于為客戶提供先進(jìn)的SMT設(shè)備和技術(shù)支持，幫助客戶提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，推動電子制造行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
2025-03-25 20:55:52
束產(chǎn)品、晶體與振蕩器、緊固件與五金件，傳感器等。
Heilind以強(qiáng)大的庫存、靈活的政策、靈敏的系統(tǒng)、知識廣博的技術(shù)支持和無與倫比的客戶服務(wù)為運(yùn)營理念。2012年12月，赫聯(lián)電子正式啟動其亞太業(yè)務(wù)
2025-03-21 11:57:02
設(shè)立了超過40處分部。Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別，并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)、散熱解決方案、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器、緊固件與五金件，傳感器等。
2025-03-21 11:54:49
DOH：DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。金屬基板
2025-03-09 09:31:372315 
激光焊接技術(shù)機(jī)是一種高精度、高效率的焊接設(shè)備，在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，特別是在電子元器件的焊接領(lǐng)域，發(fā)揮著重要作用。探測器元器件作為精密的電子部件，對焊接工藝有著極高的要求，而激光焊接機(jī)正是滿足這些要求
2025-03-07 14:38:42514 
隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
2025-03-03 10:00:473388 
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。
2025-03-01 09:27:101306 
隨著工業(yè)射頻電源、粒子加速器、醫(yī)療影像、射頻加熱等領(lǐng)域的快速發(fā)展，射頻功率放大器正面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。大功率、高效率、高可靠性已成為射頻功放器件發(fā)展的核心方向。在這一背景下，華太電子推出的3K0
2025-02-28 14:43:451231 
針對傳統(tǒng)高功率封裝產(chǎn)品在應(yīng)用中的諸多痛點(diǎn)，瑞豐光電憑借創(chuàng)新技術(shù)和卓越工藝，成功推出了行業(yè)突破性的大功率封裝新品——金剛石基超大功率密度封裝。這一新品不僅解決了傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品的局限性，更為高功率LED
2025-02-19 14:44:211078 萬美元，這是華虹半導(dǎo)體在近三年內(nèi)出現(xiàn)首次單季度虧損。 ? 圖：華虹半導(dǎo)體營收情況 ? 華虹半導(dǎo)體是一家特色工藝純晶圓代工企業(yè)，主要晶圓尺寸為8英寸和12英寸，主要面向嵌入式/獨(dú)立式非易失性存儲器、功率器件、模擬與電源管理和邏輯與射頻等特色工藝技術(shù)
2025-02-15 00:12:003150 
晶體管技術(shù)、先進(jìn)存儲、顯示、傳感、MEMS、新型量子和納米級器件、光電子、能量采集器件、高速器件以及工藝技術(shù)和設(shè)備建模和仿真等領(lǐng)域。 2024 IEDM會議的焦點(diǎn)主要有三個(gè)：邏輯器件的先進(jìn)工藝技術(shù)包括TSMC N2節(jié)點(diǎn)、CFET技術(shù)突破、三星2D材料、英特爾硅溝道擴(kuò)
2025-02-14 09:18:502138 
、小基站、北斗等技術(shù)發(fā)展對于微納加工的需求，現(xiàn)已建成集先進(jìn)工藝開發(fā)、器件工藝制備及定制化產(chǎn)品開發(fā)量產(chǎn)為一體的綜合性平臺，實(shí)現(xiàn)了新材料從微米到納米級別的結(jié)構(gòu)與器件的可控開發(fā)、加工與測試，可為客戶提供個(gè)性化的工藝技術(shù)服務(wù)及器件解
2025-02-11 14:35:22569 ，為廣大電子設(shè)計(jì)工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進(jìn)產(chǎn)品，讓設(shè)計(jì)人員輕松獲得各項(xiàng)新技術(shù)，協(xié)助其加快產(chǎn)品上市速度。 ? 貿(mào)澤與其1,200多家制造商合作伙伴密切合作，讓客戶能輕松便捷地快速獲取新型元器件。2024年，越來越多的半導(dǎo)體和電子元器件制造商通
2025-02-07 14:59:14488 近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
功率器件，作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件，扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓，還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動汽車、通信設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)探討功率器件的定義
2025-02-03 15:25:002836 碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292 功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354 隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來越高，器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上，而通過封裝技術(shù)升級，是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:441955 
ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個(gè)維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補(bǔ)又相輔相成，未來在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542207 
。這項(xiàng)技術(shù)為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電源適配器和數(shù)據(jù)中
2025-01-16 10:55:521228 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
簡單易行以及無鉛監(jiān)管的要求。這些都對焊接材料和工藝提出了更高、更全面的可靠性要求。而銀燒結(jié)技術(shù)，作為一種新型的高可靠性連接技術(shù)，正在逐漸成為功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域
2025-01-08 13:06:132114 
的變化。它不僅能夠提升產(chǎn)線效率、降低生產(chǎn)成本，還能夠保證產(chǎn)品品質(zhì)、增強(qiáng)客戶滿意度。在未來，隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，相信在線測徑儀將在更多領(lǐng)域發(fā)揮更大的作用，為工業(yè)生產(chǎn)創(chuàng)造更多的價(jià)值。
網(wǎng)站名稱：保定市藍(lán)鵬
2025-01-07 14:20:34
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328
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