在工業(yè)自動化、新能源應用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天，對功率半導體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內領先的模擬及功率半導體供應商，始終致力于核心工藝技術的創(chuàng)新與突破，持續(xù)迭代升級IGBT和MOSFET技術平臺，通過精密的芯片結構設計、優(yōu)化的制造工藝和先進的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產品。這些產品旨在滿足嚴苛應用環(huán)境下的高效率運行和長期穩(wěn)定需求，為客戶提供更具競爭力的系統(tǒng)級解決方案。以下是上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產品介紹：

650V系列 IGBT產品：

• 10A~75A系列：基于貝嶺第6代Trench FS IGBT工藝平臺，采用3μm pitch微溝槽工藝。正面通過精密調控“Gate溝槽 + dummy溝槽”比例，背面應用優(yōu)化的H FS工藝，實現(xiàn)優(yōu)異的Vcesat-Eoff折衷性能與強大的短路能力。終端采用優(yōu)化的“FLR+場板技術”，確保最高工作結溫175℃下的可靠性，并通過HV-H3TRB加嚴測試。

• 80A~200A系列：升級至第7代Trench FS IGBT工藝平臺，采用更精細的1.6μm pitch微溝槽工藝。正面通過優(yōu)化“Gate溝槽 + E短接溝槽 + dummy溝槽”三種溝槽設計比例，結合優(yōu)化的H FS工藝，實現(xiàn)足夠低的Vcesat、良好的開關損耗及滿足電機驅動需求的短路能力。終端采用優(yōu)化的“VLD技術”，提升芯片利用率的同時，保障175℃結溫工作能力及通過HV-H3TRB可靠性驗證。

40V SGT MOS產品：

• 基于最新的低壓SGT工藝平臺，采用紅磷襯底及HDP（高密度等離子體）工藝。紅磷襯底電阻率顯著低于傳統(tǒng)材料，HDP工藝實現(xiàn)高密度元胞，有效降低溝道電阻與整體導通電阻(Rdson)。高密度設計下晶圓仍可安全減薄（非taiko），進一步降低襯底電阻。
• 封裝 (PDFN5*6)：
  • 常規(guī)鋁帶鍵合：封裝電阻優(yōu)于鋁絲，成本效益高。
  • 銅片Clip Bonding：大幅降低封裝電阻，提升過流能力。

80~150V SGT MOS產品：

基于最新的中高壓SGT工藝平臺，采用雙層外延(EPI)設計優(yōu)化電場分布，在保持擊穿電壓(BV)的同時降低導通電阻(Rdson)。

• 80~100V系列：精密工藝實現(xiàn)高密度元胞與晶圓減薄（非taiko），降低襯底電阻。
• 150V系列：應用HDP工藝實現(xiàn)高密度元胞，有效降低溝道電阻與柵電荷(Qg)。

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