近日，上海貝嶺IGBT芯片BLG80T65FDK7-F在頭部客戶40KW與60KW電源模塊等項目中成功實現(xiàn)批量交付，為充電樁的高效、可靠運行注入強勁“芯”動力。

隨著新能源汽車產業(yè)的蓬勃發(fā)展，市場對高效率、高功率快充基礎設施的需求日益增強。充電樁核心部件——電源模塊，正面臨能量轉換效率、小型化集成與散熱性能等方面的嚴峻挑戰(zhàn)，這也驅動著相關技術的持續(xù)迭代與創(chuàng)新升級。

從輸入輸出類型來看，電源模塊主要包括AC-DC（交流轉直流）與DC-DC（直流轉直流）兩大類。在AC-DC功率整流端，上海貝嶺推出的第七代溝槽場截止（T-FS）IGBT——BLG80T65FDK7-F，具備較高開關頻率，并以較低的Vce(sat)與開關損耗有效降低系統(tǒng)充電損耗，顯著提升整體充電效率。該產品外觀如圖1所示。

圖1 BLG80T65FDK7-F產品外觀圖

產品型號：BLG80T65FDK7-F

主要參數(shù)：VCES為650V

IC為80A

VCE(sat).typ為1.6V

工藝類型：第七代溝槽場截止（T-FS）

封裝信息：TO247

應用領域：充電樁電源模塊、光伏逆變、儲能

產品特點：

1.開關性能優(yōu)化，支持高開關頻率，具備低柵極電荷（Qg）與低開關損耗；

2.低飽和壓降VCE(sat)，有效降低導通損耗；

3.漏電流小，有助于提升系統(tǒng)能效與運行穩(wěn)定性。

低開關損耗優(yōu)勢明顯

圖2 IGBT開關損耗對比

如圖2所示，在25℃和 175℃條件下，我司 BLG80T65FDK7 產品 Eon、Eoff、Ets均優(yōu)于競品 H5系列；

低飽和壓降VCE(sat)，有效降低導通損耗

圖3 IGBT飽和壓降VCE(sat)對比

如圖3所示，在25 ℃和 175 ℃條件下，我司 BLG80T65FDK7 的 VCE(sat) 均優(yōu)于競品 H5系列；

低漏電流Ices，高溫表現(xiàn)更穩(wěn)

圖4 IGBT漏電流Ices對比

如圖4所示，在常溫25℃條件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲線與競品一致；在高溫175℃條件下，其漏電流遠低于競品。

為客戶電源模塊設計提供一站式選型服務

上海貝嶺基于積塔半導體最新工藝平臺為客戶設計選型提供完善的功率產品系列，主要包括650V IGBT、1200V SIC MOS/FRD、超結及高壓MOS等滿足電源模塊高可靠性、高效率的要求。

此外還為客戶提供了電源管理芯片、存儲器芯片、數(shù)字隔離器以及運放比較器等系列產品配套使用。

以直流電源模塊三相 Vienna +全橋 LLC 拓撲為例提供主要功率器件產品選型建議請參考。

圖5 直流電源模塊三相 Vienna +全橋 LLC 拓撲

表1直流充電樁產品選型