中芯國(guó)際拼先進(jìn)半導(dǎo)體制程 有望超越聯(lián)電成全球第三

在 2016 年之內(nèi)，先后宣布 14 納米制程將在 2018 年投產(chǎn)，以及 2016 年投資金額提升至 25 億美元的消息。而這 2 項(xiàng)指標(biāo)都直追全球第...

2016-12-23 標(biāo)簽：中芯國(guó)際聯(lián)電半導(dǎo)體制程 1.4k 0

臺(tái)積電五大戰(zhàn)將出列 能否威脅英特爾？

11 月，臺(tái)積電晉升 5 位副總，包括米玉杰、余振華、卡利尼斯基以及從英特爾挖來(lái)的張曉強(qiáng)；還有負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)市場(chǎng)的金平中。他們的強(qiáng)項(xiàng)在哪？會(huì)威脅英特爾嗎？

2016-12-12 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電半導(dǎo)體制程 1.2k 0

解析14/16nm制程 英特爾依然狠甩臺(tái)積、三星？

在蘋(píng)果 A9 芯片門(mén)事件，iPhone 6s A9 處理器分由臺(tái)積電、三星代工時(shí)討論來(lái)到最高峰，以實(shí)際情況而言，臺(tái)積電、三星制程技術(shù)真的跟英特爾差很大？

2016-07-26 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺(tái)積電 2.6k 0

半導(dǎo)體制程邁入3D 2013年為量產(chǎn)元年

時(shí)序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3D IC便為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢(shì)，將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā)，其中英特爾 (Intel)在...

2011-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制程3dic 996 0

半導(dǎo)體制程再微縮下去，還有經(jīng)濟(jì)效益嗎？

臺(tái)積電(TSMC)表示在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)以下，半導(dǎo)體制程微縮的...

2011-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體制程 1.7k 0

圖解半導(dǎo)體制程概論（2）

圖解半導(dǎo)體制程概論（2） 邏輯IC 電子機(jī)器的動(dòng)作所必需的內(nèi)部信號(hào)處理大致可以分為模擬信號(hào)處理和數(shù)字信號(hào)處理

2010-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制程邏輯I 3.5k 0

圖解半導(dǎo)體制程概論1

圖解半導(dǎo)體制程概論1 █  半導(dǎo)體的物理特性及電氣特性 【

2010-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制程 8.1k 0