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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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中芯熱成是國內(nèi)首家專注于紅外量子點(diǎn)材料成像芯片領(lǐng)域的國家級高新技術(shù)企業(yè),針對量子點(diǎn)、納米線、二維材料及鈣鈦礦等新型光電材料提供陣列型成像芯片制備、測試及...
2023-03-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件新材料成像芯片 3.7k 0
? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更...
NS Nanotech宣布,它已經(jīng)突破了半導(dǎo)體器件設(shè)計的主要障礙
NS納米技術(shù)公司的新型氮化物半導(dǎo)體芯片是首款能發(fā)射波長200至222納米的遠(yuǎn)紫外光的固態(tài)器件。第三方研究表明,在這個波長范圍內(nèi)發(fā)射的隱形消毒光可以中和9...
2020-10-23 標(biāo)簽:芯片紫外光半導(dǎo)體器件 3.6k 0
電力電子器件是半導(dǎo)體領(lǐng)域中一個未被重視的部分。電力電子器件和系統(tǒng)對幾乎所有依靠電力運(yùn)行的設(shè)備的運(yùn)行都至關(guān)重要。 電力電子器件是用于控制和調(diào)整提供給終端電...
2021-10-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器寬帶電子器件 3.6k 0
如何區(qū)分和選用晶體三極管和場效應(yīng)管 晶體三極管(BJT)和場效應(yīng)管(FET)是兩種常用的半導(dǎo)體器件,用于電子設(shè)備中的放大、開關(guān)和調(diào)節(jié)電流。為了正確選擇并...
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體三極管半導(dǎo)體器件 3.6k 0
mos管工作原理和應(yīng)用 mos管與bjt的區(qū)別
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)是兩種常見的半導(dǎo)體器件,它們在電子電路中扮演著重要的角色。 MOSFET工作原理 M...
功率器件,也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“...
2023-02-02 標(biāo)簽:高電壓功率器件半導(dǎo)體器件 3.5k 0
對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡單經(jīng)濟(jì)的評價方法。對于電源產(chǎn)品設(shè)計,大功率開關(guān)...
2020-03-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 3.5k 0
可控硅調(diào)光器的原理 可控硅的特點(diǎn)和優(yōu)勢
可控硅調(diào)光器的原理 可控硅調(diào)光器的核心是可控硅器件,它是一種四層三端半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?。可控硅調(diào)光器的工作原理基于可控硅的觸發(fā)和關(guān)斷特性。 觸發(fā)...
2024-12-04 標(biāo)簽:可控硅調(diào)光器半導(dǎo)體器件 3.4k 0
西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)硅與GaN器件的晶圓級單片異質(zhì)集成
氮化鎵高功率器件在電力電子領(lǐng)域中受到越來越多的關(guān)注,在汽車電子、機(jī)電控制、光伏產(chǎn)業(yè)和各類電源系統(tǒng)中得到越來越多的應(yīng)用。電力電子器件更加需要常關(guān)態(tài)增強(qiáng)型氮...
2020-09-02 標(biāo)簽:晶圓級半導(dǎo)體器件GaN器件 3.4k 0
季豐電子獲得ISO/IEC 17025 資質(zhì)認(rèn)定
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC 17025:2017 《檢測和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力得通用要求》,審核機(jī)構(gòu)經(jīng)過2022/7/7,2022/8/2~2022/8/3,兩次...
2022-09-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件儀器設(shè)備季豐電子 3.4k 0
輸液泵因其操作的性質(zhì)和相關(guān)風(fēng)險通常被認(rèn)為是最安全攸關(guān)的醫(yī)療設(shè)備。有理由認(rèn)為可靠性和準(zhǔn)確性是關(guān)鍵考慮因素。這樣的系統(tǒng)需要友好、簡單、安全的人機(jī)接口(HMI) 。
2020-06-02 標(biāo)簽:醫(yī)療設(shè)備半導(dǎo)體器件COVID-19 3.3k 0
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進(jìn),這對能源和成本節(jié)約有很大的影...
2022-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 3.3k 0
碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...
2024-11-25 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 3.3k 0
概倫電子DTCO流程加速工藝開發(fā)和設(shè)計迭代
2022 中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇在廣州南沙召開。概倫電子董事兼總裁楊廉峰博士受邀出席產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作論壇并致《聯(lián)動IC設(shè)計與制造,推動EDA生態(tài)建設(shè)》...
2022-06-28 標(biāo)簽:芯片eda半導(dǎo)體器件 3.2k 0
片狀獨(dú)石陶瓷電容器——高性能半導(dǎo)體器件不可或缺的元件
電阻器、電容器、電感器。這些被公認(rèn)為較平常的無源部件,實(shí)際上卻是最尖端電子設(shè)備不可或缺的部分。尤其對最尖端的半導(dǎo)體器件而言,片狀獨(dú)石陶瓷電容器更是極...
2012-04-09 標(biāo)簽:電容器半導(dǎo)體器件 3.2k 0
Maxim信號鏈IC應(yīng)用于智能電網(wǎng)設(shè)備案例
北京四方股份作為國內(nèi)領(lǐng)先的智能電網(wǎng)設(shè)備供應(yīng)商,在其方案中使用了各種各樣的Maxim信號鏈IC 設(shè)計挑戰(zhàn) 四方股份的電網(wǎng)保護(hù)產(chǎn)品中包括低、中、高壓電路,工...
2020-08-31 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)數(shù)字信號處理微處理器 3.2k 0
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求
通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
2021-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 3.2k 0
博世成為車用MEMS領(lǐng)域市場領(lǐng)導(dǎo)者
20世紀(jì)50年代,在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,博世決定從最初的設(shè)計開始,自主研發(fā)車用半導(dǎo)體元件。
2022-04-24 標(biāo)簽:芯片mems半導(dǎo)體器件 3.1k 0
在電子電路中,二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件,用于整流、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種應(yīng)用。二極管的反向恢復(fù)時間是衡量其在高頻開關(guān)應(yīng)用中性能的關(guān)鍵參數(shù)。 一、反向恢...
2025-02-07 標(biāo)簽:二極管電荷半導(dǎo)體器件 3k 0
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