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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料?
擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好,但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì),但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力:缺乏 P -類型。
2024-02-29 標(biāo)簽:CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 1.1k 0
碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn),可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境,可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...
2023-02-03 標(biāo)簽:逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 1.1k 0
不是線性的,加上正向電壓時(shí),P區(qū)的空穴與N區(qū)的電子在正向電壓所建立的電場(chǎng)下相互吸引產(chǎn)生復(fù)合現(xiàn)象,導(dǎo)致阻擋層變薄,正向電流隨電壓的增長(zhǎng)按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng),宏觀...
2023-04-06 標(biāo)簽:電流PN結(jié)半導(dǎo)體材料 999 0
碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 931 0
電子半導(dǎo)體行業(yè)電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與治理系統(tǒng)解決方案
目前大多數(shù)單晶爐是采用中頻感應(yīng)電源加熱的工作方式,中頻電源主電路包括整流電路、濾波電路、單相橋式逆變電路和并聯(lián)諧振電路。其中整流電路采用三相全控橋式整流...
2023-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料配電系統(tǒng) 915 0
碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇
電動(dòng)化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢(shì),對(duì)高速充電的需求持續(xù)提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 887 0
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在...
2025-06-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料電鏡第三代半導(dǎo)體 836 0
電阻率是半導(dǎo)體材料的核心參數(shù),四探針電阻率測(cè)試儀是其主要測(cè)量器具,測(cè)量結(jié)果的不確定度評(píng)定對(duì)提升數(shù)據(jù)可靠性至關(guān)重要。下文,依據(jù)JJG508-2004《四探...
2026-03-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料測(cè)量電阻率 433 0
碳膜作為兼具高熱導(dǎo)率、優(yōu)良導(dǎo)電性和化學(xué)穩(wěn)定性的半導(dǎo)體材料,在電子設(shè)備散熱、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。電阻率作為評(píng)估碳膜導(dǎo)電性能的核心參數(shù),其準(zhǔn)確檢測(cè)直接...
2026-01-22 標(biāo)簽:檢測(cè)半導(dǎo)體材料電阻率 234 0
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