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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料,達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,稱為金氧半場效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (上)
隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,器件特征尺寸逐漸減少,激發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset, SEU)效應(yīng)所需的能量閾值呈幾何級下降趨勢。例如...
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/c...
長期以來,在功率應(yīng)用方案中,熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時,從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而,隨著輸出功率提升以及功率密...
本文介紹了流延成型、凝膠注模成型和新型3D打印成型等幾種基板成型方法,分析了不同成型方法的特點(diǎn)、優(yōu)勢及技術(shù)難點(diǎn)。 介紹了了近年來國內(nèi)外陶瓷基板成型的研究...
等離子體圖形化刻蝕過程中,刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓,稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢?
碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了
設(shè)備功能:與光刻機(jī)聯(lián)合作業(yè),首先將光刻膠均勻地涂到晶圓上,滿足光刻機(jī)的工作要求;然后,處理光刻機(jī)曝光后的晶圓,將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的部...
2023-02-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電離半導(dǎo)體設(shè)備 4k 0
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎(chǔ)上(ACS Nano,2021,15:16654),經(jīng)過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料...
您可能聽說過高音尖叫可以震碎玻璃,那么是否聽說過尖叫可以清洗玻璃?借助精確受控的高頻振動,超聲波清洗技術(shù)便可以用于清洗玻璃表面。在雨天情況下,這項(xiàng)技術(shù)可...
許多工程師第一次使用模擬開關(guān),往往會把模擬開關(guān)完全等同于機(jī)械開關(guān)。其實(shí)模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性,但和機(jī)械開關(guān)有所不同,它本身還具有半導(dǎo)體特性:
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體模擬開關(guān) 6.2k 0
**半導(dǎo)體是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的?** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子(負(fù)電荷)或者空穴(正電荷),統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小...
氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一...
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn),從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料,而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...
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