近年來(lái)，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下
2025-10-15 11:27:02
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射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開(kāi)發(fā)面向?yàn)殡娏﹄娮討?yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開(kāi)發(fā)幾種不同的方法，以實(shí)現(xiàn)GaN功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:5310738 
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，理解GaN有可能帶來(lái)的性能提升，以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
2015-11-08 18:00:005701 
或消除了對(duì)散熱片的需求。通過(guò)使用基于GaN的晶體管和IC，設(shè)計(jì)人員一直在生產(chǎn)小型充電器。Power Integrations一直處于GaN革命的最前沿，可為許多客戶(hù)批量提供完整的電源解決方案。本文探討了GaN器件的功能，并討論了解決該技術(shù)帶來(lái)的挑戰(zhàn)的
2021-04-07 17:15:014578 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長(zhǎng)的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算，以及許多新的汽車(chē)
2021-03-31 11:47:003896 GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開(kāi)關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:513863 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-18 10:06:191389 對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:092163 
。對(duì)于當(dāng)今的大電流、高功率應(yīng)用和 650 V GaN 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強(qiáng)制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK 封裝，可以提供更佳散熱性能。
2022-08-30 11:25:512166 的權(quán)衡標(biāo)準(zhǔn)和注意事項(xiàng)，包括 PCB 布局、熱界面、散熱器選擇和安裝方法指南。還將提供使用 50mΩ 和 70mΩ GaN 器件的設(shè)計(jì)示例。
2022-11-18 09:42:251468 LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987 
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:002049 不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-29 03:28:008612 
首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:511055 
新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統(tǒng)未來(lái)
2023-12-01 14:11:451448 
的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級(jí)聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對(duì)此
2023-12-11 11:43:37992 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來(lái)了不小的震撼，雖然在資本層面面臨危機(jī)，不過(guò)Wolfspeed當(dāng)前的業(yè)務(wù)還是在正常推進(jìn)的。Wolfspeed本周推出了新型的頂部散熱封裝
2025-07-08 00:55:003494 
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開(kāi)關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級(jí)尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2018-10-26 10:32:18
應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開(kāi)始取代汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
需要臨界偏置網(wǎng)絡(luò)才能正常工作。這種電力系統(tǒng)配置通常用于數(shù)據(jù)中心。更新的發(fā)展是增強(qiáng)型GaN FET或eGaN。這是絕緣門(mén)品種。像所有的GaN器件一樣，它們提供了更高速度的切換，更高的電壓操作和改善散熱
2017-05-03 10:41:53
散熱解決方案規(guī)格去哪里下載以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文Thermal Solution Specification去哪里下載
2018-11-09 11:31:01
場(chǎng)景提供高性?xún)r(jià)比的全國(guó)產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過(guò)較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
這顆芯片測(cè)試時(shí)反復(fù)壞，不是READY信號(hào)變低就是SD信號(hào)變低，或者這兩個(gè)同時(shí)變低，只有OTW正常，對(duì)比別人使用情況，有一下疑問(wèn)：
1.器件頂部散熱焊盤(pán)和散熱器之間加導(dǎo)熱絕緣墊，散熱器需要接地
2024-09-30 07:18:58
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
?！ D2： 數(shù)字平均電流模式控制圖 GaN FET 需要一個(gè)散熱器才能在 1.5 kW 的全輸出功率下工作。使用標(biāo)準(zhǔn)的市售 1/8 磚散熱器。PCB上安裝了四個(gè)金屬墊片，為散熱器安裝提供適當(dāng)?shù)拈g隙
2023-02-21 15:57:35
描述PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調(diào)節(jié)器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設(shè)計(jì)可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V
2022-09-19 07:42:31
我最近訪問(wèn)了德州儀器（TI）的先進(jìn)技術(shù)戰(zhàn)略和營(yíng)銷(xiāo)，寬帶隙解決方案的Masoud Beheshti，以及應(yīng)用工程師Lixing Fu進(jìn)行了演示，該演示演示了TI聲稱(chēng)是業(yè)界最小的納秒級(jí)GaN驅(qū)動(dòng)器
2019-11-11 15:48:09
，實(shí)現(xiàn)了更高的開(kāi)關(guān)頻率，減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2：不同負(fù)載電流下GaN與硅直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
今天觀看了電子研習(xí)社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無(wú)橋PFC參考方案的設(shè)計(jì)（TIDA00961）。下面是對(duì)該方案的介紹：高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
明需要進(jìn)行一些改動(dòng)來(lái)降低頂部層附近裸片上的FET最高溫度，以防止熱點(diǎn)超出150C的T結(jié)點(diǎn)。系統(tǒng)用戶(hù)可以選擇控制該特定序列下的功率分布，以此來(lái)降低裸片上的功率溫度。散熱仿真是開(kāi)發(fā)電源產(chǎn)品的一個(gè)重要組成部分
2021-04-07 09:14:48
明需要進(jìn)行一些改動(dòng)來(lái)降低頂部層附近裸片上的FET最高溫度，以防止熱點(diǎn)超出150C的T結(jié)點(diǎn)。系統(tǒng)用戶(hù)可以選擇控制該特定序列下的功率分布，以此來(lái)降低裸片上的功率溫度。散熱仿真是開(kāi)發(fā)電源產(chǎn)品的一個(gè)重要組成部分
2022-07-18 15:26:16
較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。使用壽命預(yù)測(cè)指標(biāo)功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及
2019-07-12 12:56:17
用UCC27611搭建的驅(qū)動(dòng)GaN FET電路，在FET的Drain極不加電源時(shí)，UCC27611輸出波形正常，FET的Drain極加電時(shí)，UCC27611輸出端檢測(cè)到干擾波；（紅框中為正常輸出波形，黃色框中為干擾波）。請(qǐng)幫忙看下是什么問(wèn)題，謝謝
2024-12-20 08:22:06
描述 PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調(diào)節(jié)器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設(shè)計(jì)可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V
2018-11-07 16:46:31
輻射散熱解決方案:輻射散熱的原理和特點(diǎn) 熱能是能量的一種，可以用輻射（放射）、傳導(dǎo)和對(duì)流的方式進(jìn)行轉(zhuǎn)換。 CHDS品牌的散熱方案是通過(guò)金屬介質(zhì)
2009-08-27 18:36:34
22 TI推出通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)
2010-01-22 09:40:491194 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）功率級(jí)工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。
2016-05-05 14:41:391153 ）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開(kāi)提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:062915 GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開(kāi)關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。為了充分利用 GaN 的快速開(kāi)關(guān)速度，需要更大限度地減小電源環(huán)路電感。
2021-03-16 17:40:323466 
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度
2022-01-12 16:22:471799 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-25 09:15:051075 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-29 08:06:371093 
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開(kāi)關(guān)損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有更低的導(dǎo)通電阻 （R on ），并且 GaN
2022-08-05 08:04:512050 
Nexperia在 TO-247 和專(zhuān)有 CCPAK 表面貼裝封裝中采用下一代高壓 GaN HEMT H2 技術(shù)的新系列GaN FET 解決方案將主要面向汽車(chē)、5G 和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。Nexperia
2022-08-08 08:09:491887 
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN FET 和 IC 的芯片級(jí)封裝提供六面冷卻，從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱。高性能熱設(shè)計(jì)可以保證基于 eGaN 的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)具有更高的輸出功率，具有緊湊的尺寸和低導(dǎo)通電阻。
2022-08-09 09:41:462593 
具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
2022-10-28 12:00:200 在過(guò)去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開(kāi)關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:121064 
在半橋拓?fù)渲胁⒙?lián) Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:191 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮書(shū)：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033 了解功率 GaN FET 數(shù)據(jù)表參數(shù)-AN90005
2023-02-17 20:08:302 白皮書(shū)：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 GaN FET 半橋的電路設(shè)計(jì)和 PCB 布局建議-AN90006
2023-02-20 19:29:0510 ，從而有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。 由于 器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區(qū)， 這導(dǎo)致熱量主要通過(guò) PCB進(jìn)行 傳播 。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對(duì)流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在
2023-03-10 21:50:042469 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:151221 保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開(kāi)關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來(lái)源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:181078 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:541515 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:171650 GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時(shí)代。
2023-12-24 09:30:061406 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《耐輻射12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 71441MM數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:06:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《輻射硬化12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 73041SEH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:02:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:02:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN-FET的關(guān)鍵參數(shù)和驅(qū)動(dòng)要求.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 09:57:371 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車(chē)650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-24 11:27:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何使用UCC21220A驅(qū)動(dòng)高壓GaN FET.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-26 11:37:074 和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專(zhuān)為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度
2024-12-12 11:35:134678 服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可
2024-12-16 14:09:09578 ，金剛石近結(jié)散熱技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為提升 GaN 器件散熱能力的有效解決方案。以下將詳細(xì)介紹該技術(shù)的三種主要途徑及其優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)。 ? 金剛石襯底鍵合集成散熱技術(shù) 源于美國(guó) DARPA 于 2012 年?duì)恳?NJTT 項(xiàng)目，眾多國(guó)際研發(fā)機(jī)構(gòu)投身其中。其
2025-01-16 11:41:411729 
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2025-02-10 16:22:371 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 08:30:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 16:10:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:192 ：探討在人形機(jī)器人中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì).pdf 人形機(jī)器人系統(tǒng)挑戰(zhàn) ：人形機(jī)器人集成多個(gè)子系統(tǒng)，其中伺服控制系統(tǒng)空間受限。為實(shí)現(xiàn)類(lèi)似人類(lèi)的運(yùn)動(dòng)范圍，需部署約 40 部伺服電機(jī)（PMSM） ，不同部位電機(jī)功率需求差異大，且其伺服系統(tǒng)對(duì)控制精度、尺寸和散熱要求高于傳統(tǒng)系統(tǒng)。 GaN FET 在人
2025-02-14 14:33:331514 
近日，在深圳舉辦的行家說(shuō)第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其卓越的創(chuàng)新產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”，成功榮獲「GaN年度優(yōu)秀
2025-02-17 13:32:50736 Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來(lái)在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合。基于此久經(jīng)考驗(yàn)的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-02-19 13:45:011015 LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40908 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211064 LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23729 
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)
2025-03-19 17:16:291165 JSAB正式推出應(yīng)用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管，產(chǎn)品采用TO-263T 4L封裝，封裝型號(hào)為650V-30A及以下、1200V-25A及以下，并正在開(kāi)發(fā)更高功率的規(guī)格，同時(shí)有適配的相同封裝的整流橋。
2025-05-27 10:08:472174 
驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)充電、太陽(yáng)能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶(hù)的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更
2025-05-27 17:03:361257 
、電動(dòng)汽車(chē)充電、太陽(yáng)能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶(hù)的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案
2025-05-29 17:04:211048 Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器，從而減少了元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)?？删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動(dòng)器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉功能。兩個(gè)LGM3100器件可用來(lái)組成一
2025-07-06 16:41:072907 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過(guò)將GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專(zhuān)為開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動(dòng)器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-08-13 15:13:49777 
仿真可降低功耗。這種減少允許將低側(cè)散熱焊盤(pán)連接到冷卻PCB電源地。LMG362x FET具有快速啟動(dòng)時(shí)間和低靜態(tài)電流，支持轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求和突發(fā)模式運(yùn)行。這些GaN FET提供多種保護(hù)，包括欠壓
2025-08-13 15:28:09591 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產(chǎn)品。相對(duì)于傳統(tǒng)表貼產(chǎn)品只能從底部進(jìn)行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應(yīng)用，如AI服務(wù)器電源和車(chē)載充電器等應(yīng)用。而英飛凌
2025-12-18 17:08:27544 由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產(chǎn)品的表貼頂部散熱產(chǎn)品，其安裝方式有所不同，所以針對(duì)其安裝方式做一些詳細(xì)的介紹。如下圖，英飛凌針對(duì)600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK
2025-12-22 18:26:28223 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開(kāi)關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計(jì)水平的關(guān)鍵。今天，我們就來(lái)深入
2025-12-29 14:45:1077
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