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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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請(qǐng)問一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?
絕緣柵雙極晶體管(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導(dǎo)體器件的一種,主要用于新能源電動(dòng)汽車、及...
2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.9k 0
曹原導(dǎo)師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實(shí)現(xiàn)開關(guān)超導(dǎo)性
低溫傳輸測(cè)量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時(shí)的預(yù)期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時(shí)使...
2023-02-10 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1.9k 0
北京理工大學(xué)實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革
紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用,現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長(zhǎng)方法制備的塊體半導(dǎo)體材料,通過倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián),其價(jià)格高昂、工藝復(fù)雜,嚴(yán)重制...
2023-08-11 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 1.8k 0
MOS管FDBL86066型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS
儲(chǔ)能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長(zhǎng),尤其是在俄烏沖突的影響下,海外民眾為解決用電需求,開始購入戶用儲(chǔ)能等產(chǎn)品,在歐洲的海外市場(chǎng)爆發(fā)尤為顯著。
2023-08-07 標(biāo)簽:MOS管電池管理系統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.8k 0
mos管,即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2023-02-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 1.7k 0
半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
上回我們講到了在1959年,杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個(gè)集成電路芯片,標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開了集成電路的時(shí)代。
2023-10-07 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7k 0
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.7k 0
請(qǐng)教一下經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎?
靜電放電(ESD)是電子設(shè)備中一種常見的危害,它可能導(dǎo)致集成電路(IC)的損壞。對(duì)于CMOS IC來說,經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 1.7k 0
C?N識(shí)別丙烷和丁烷的氣體傳感器的開發(fā)研究
氣體傳感是航空航天、軍事、醫(yī)療以及工業(yè)環(huán)境等應(yīng)用的一個(gè)重要研究領(lǐng)域,它有助于預(yù)防有毒有害氣體對(duì)人類健康和環(huán)境造成的風(fēng)險(xiǎn)。在家庭和工業(yè)環(huán)境中,丙烷和丁烷通...
2023-11-14 標(biāo)簽:氣體傳感器柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7k 0
簡(jiǎn)化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì),快速實(shí)現(xiàn)輕量化
本文中,我們將討論可幫助應(yīng)對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中的特定模擬功能。
2020-12-14 標(biāo)簽:德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 1.6k 0
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類
2023-07-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管逆變器 1.6k 0
淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標(biāo)簽:電阻VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.5k 0
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當(dāng)特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對(duì)于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng),逐漸被一種新型的晶...
2024-04-02 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.5k 0
大多數(shù)基于石墨烯的氣體傳感器具有薄的層結(jié)構(gòu)。一個(gè)單獨(dú)的原始或CVD石墨烯片可以被轉(zhuǎn)移到一個(gè)剛性或柔性的襯底,以形成傳感層。然后金屬電極沉積在石墨烯的表面...
2023-08-09 標(biāo)簽:傳感器氣體傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.5k 0
交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對(duì)電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。
2024-04-29 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏電流 1.5k 0
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹
LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊,通過外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.4k 0
用戶指南#LMG3100 評(píng)估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評(píng)估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級(jí),帶有外部 PWM 信號(hào)。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.3k 0
智能化與電動(dòng)化雙輪驅(qū)動(dòng),汽車MOSFET大有可為
MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要...
2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1.3k 0
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