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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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宜普推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)EPC2012
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化...
2011-08-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管宜普eGaN FET 4.1k 0
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)...
2023-10-22 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.1k 0
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET提高芯片的驅(qū)動(dòng)能力
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)是立體多柵器件的一種,其主要特征是由魚鰭形(Fin)的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道,并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。
2022-09-09 標(biāo)簽:集成電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 3.9k 1
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 3.8k 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 3.6k 0
二維Bi?O?Se光電特性及其光電子器件研究進(jìn)展綜述
二維(2D)材料由于其超薄的厚度、高度的機(jī)械柔性、可調(diào)諧的帶隙以及易于定制的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu),被廣泛應(yīng)用于通信、紅外探測(cè)、航空航天以及生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
2023-07-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電探測(cè)器TMD 3.4k 0
mos管并聯(lián)后電流增加多少? 如何計(jì)算MOS管并聯(lián)后電流的增加? 在電路中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被廣泛應(yīng)用于各種各樣的電子設(shè)備中...
2023-09-07 標(biāo)簽:電阻器MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.3k 0
2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
近期,2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率模塊 3.3k 0
一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ISFET)
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,德國(guó)弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所(Fraunhofer IPMS)開發(fā)出一種用于芯片式pH值測(cè)量的傳感層,并成功將其集成到離子敏感場(chǎng)效應(yīng)...
2024-03-11 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.3k 0
IEDM2024:TSMC關(guān)于未來整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析
在技術(shù)推動(dòng)下,半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷突破界限,實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、5G/6G、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域的變革性應(yīng)用。 AI Se...
2024-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管人工智能 3.3k 0
宜普推出用于eGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)的EPC9004開發(fā)板
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板,這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)產(chǎn)品
2011-08-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管開發(fā)板宜普 3.3k 0
一、電子開關(guān)的基本原理 電子開關(guān)通常由半導(dǎo)體材料制成,如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些開關(guān)...
2024-12-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料電子開關(guān) 3.2k 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS管電子設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.2k 0
生物傳感器(Biosensor)是一種用于檢測(cè)生物分子并將其濃度轉(zhuǎn)換為可用信號(hào)的分析裝置,其通常有兩個(gè)主要組成部分
2023-04-28 標(biāo)簽:熱敏電阻信號(hào)轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.2k 0
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類型。它們被廣泛應(yīng)...
2023-09-21 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管BJT管 3k 0
UnitedSiC宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中國(guó)北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QR...
2022-05-17 標(biāo)簽:移動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管UnitedSiC 3k 0
pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容?
pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容? PN結(jié)是一種半導(dǎo)體器件,其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應(yīng)用,例如...
2023-10-19 標(biāo)簽:太陽能電池整流器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3k 0
MOS的三個(gè)極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
2023-11-30 標(biāo)簽:晶體管MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3k 0
全新二維半導(dǎo)體垂直鰭片/高介電自氧化物外延集成架構(gòu)
工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入亞3 nm以后,垂直鰭片溝道架構(gòu)的新器件開發(fā)仍備受關(guān)注,人們正在考慮制造基于垂直鰭式結(jié)構(gòu)開發(fā)垂直圍柵器件(VGAA)或垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體...
2023-03-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3k 0
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,&q...
2023-06-02 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 2.9k 0
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