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場效應晶體管

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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。

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ISFET傳感器偏置電路的應用優(yōu)勢分析

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射頻放大器信號處理方法如何選擇合適的射頻放大器

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2024-12-13 標簽：帶寬場效應晶體管射頻放大器 2.6k 0

pcb設(shè)計：用于柔性電子的新型絕緣層

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2023-09-20 標簽：放大器跟隨器場效應晶體管 2.2k 0

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EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...

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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場效應晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EP...

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