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      標(biāo)簽　>　威兆半導(dǎo)體

      威兆半導(dǎo)體

      威兆半導(dǎo)體

      +關(guān)注2人關(guān)注

      威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究，憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時(shí)具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計(jì)能力的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN，并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電源、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、通信等

      文章：111個(gè) 瀏覽：256次 帖子：0個(gè)

      威兆半導(dǎo)體技術(shù)

      選型手冊(cè)：VS3622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS3622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率...

      2025-12-08 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 431 0

      選型手冊(cè)：VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源...

      2025-12-05 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 484 0

      選型手冊(cè)：VS1696GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS1696GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS1696GTH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，適配中壓大電流DC/D...

      2025-12-05 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 222 0

      選型手冊(cè)：VSO009N06MS-GA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VSO009N06MS-GA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VSO009N06MS-GA是一款面向65V中低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步...

      2025-12-05 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 210 0

      選型手冊(cè)：VS3508AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS3508AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。...

      2025-12-05 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 452 0

      選型手冊(cè)：VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。...

      2025-12-05 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 451 0

      選型手冊(cè)：VS4610AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS4610AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AD是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率...

      2025-12-04 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 193 0

      選型手冊(cè)：VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率...

      2025-12-04 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 416 0

      選型手冊(cè)：VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器...

      2025-12-02 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 509 0

      選型手冊(cè)：VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能...

      2025-12-02 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 446 0

      選型手冊(cè)：VS5814DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS5814DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS5814DS是一款面向55V中壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于VeriMOS?技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電...

      2025-12-02 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 756 0

      選型手冊(cè)：VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓...

      2025-11-28 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 436 0

      選型手冊(cè)：VS3698AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      選型手冊(cè)：VS3698AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通...

      2025-11-27 標(biāo)簽：晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 675 0

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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
      開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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