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標(biāo)簽 > 寄生電容

寄生電容

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寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電容等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。

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寄生電容技術(shù)

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2023-06-07 標(biāo)簽:收發(fā)器寄生電容脈沖信號(hào) 3.6k 0

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本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過(guò)程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)參考!

2022-07-06 標(biāo)簽:MOSFETMOSSiC 3.6k 0

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2023-02-15 標(biāo)簽:pcb寄生電容寄生電感 3.5k 1

電感(線圈)具有哪些基本特性

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所以,到諧振頻率之前呈現(xiàn)電感本來(lái)的感性特性(阻抗隨著頻率升高而增加),但諧振頻率之后寄生電容的影響占主導(dǎo)地位,呈現(xiàn)出容性特性(阻抗隨著頻率升高而減?。?..

2023-06-06 標(biāo)簽:阻抗電感寄生電容 3.5k 0

信號(hào)完整性之串?dāng)_(一)

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串?dāng)_是指有害信號(hào)從一個(gè)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到相鄰網(wǎng)絡(luò)。任何一對(duì)網(wǎng)絡(luò)之間都存在串?dāng)_。通常把噪聲源所在網(wǎng)絡(luò)稱為動(dòng)態(tài)網(wǎng)絡(luò)或攻擊網(wǎng)絡(luò)。把受影響的網(wǎng)絡(luò)稱為靜態(tài)網(wǎng)絡(luò)或者受害網(wǎng)絡(luò)。

2023-05-06 標(biāo)簽:耦合信號(hào)完整性寄生電容 3.5k 0

安規(guī)電容和普通電容的區(qū)別在哪?

所謂安規(guī)電容器,指的就是必須過(guò)安規(guī)認(rèn)證的特殊電容器,比如X和Y安規(guī)電容

2023-03-08 標(biāo)簽:變壓器電容器安規(guī)電容 3.4k 0

非平衡電橋中立式橋?yàn)槭裁幢扰P式橋測(cè)量的范圍大?

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2024-05-15 標(biāo)簽:電橋頻率響應(yīng)寄生電容 3.3k 0

關(guān)于三極管的問(wèn)題解答

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2023-10-24 標(biāo)簽:三極管下拉電阻寄生電容 3.3k 0

igbt功率管寄生電容怎么測(cè)量大小

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會(huì)影響IGBT的...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率管 3.3k 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路的4種類型

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MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。

2024-03-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 3.3k 0

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三極管三種典型的放大電路,共射、共集、共基各有各的特點(diǎn)。共射共集電路的組合解決了共射電路輸出阻抗大的缺點(diǎn),但是由于存在“密勒效應(yīng)”,帶寬的問(wèn)題沒(méi)有解決。...

2023-10-13 標(biāo)簽:三極管放大電路仿真器 3.2k 0

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電阻器的固有噪聲,是指其自身產(chǎn)生的噪聲,包括熱噪聲和過(guò)剩噪聲。

2024-01-26 標(biāo)簽:電阻器二進(jìn)制寄生電容 3.2k 0

放大器驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載能力詳解

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  放大器一般不允許輸出端對(duì)地直接加比較大的電容。有的時(shí)候電容并不是有意加上的,比如驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)線纜時(shí)線纜的寄生電容,它不會(huì)在電路原理圖上,但卻真實(shí)存在。

2023-10-31 標(biāo)簽:放大器運(yùn)放寄生電容 3.2k 0

三極管和MOS管下拉電阻的作用

三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件,因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻,一般小于等于10K,但是在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢?舉例說(shuō)明。如下圖,是溫度開(kāi)關(guān)控制馬達(dá)電路圖。

2023-01-24 標(biāo)簽:三極管下拉電阻MOS管 3.2k 0

噪聲的耦合方式 噪聲耦合的預(yù)防

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噪聲的抑制是電磁兼容領(lǐng)域一直圍繞的一個(gè)重要問(wèn)題之一,而在噪聲的抑制過(guò)程中“噪聲的耦合”則讓噪聲的抑制變得更加的復(fù)雜多變,使得噪聲抑制的難度再次提升,所以...

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2021-04-14 標(biāo)簽:激光二極管寄生電容光發(fā)射器件 3.1k 0

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柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。

2024-04-02 標(biāo)簽:MOSFET寄生電容驅(qū)動(dòng)芯片 3.1k 0

時(shí)序簽核方法學(xué)及實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)

其中的Operating Mode,可以分為Function Mode和Test Mode。對(duì)于大型的SoC芯片工作模式多種多樣,特別是牽涉到不同子系統(tǒng)...

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單擊下圖紅色框內(nèi)的圓點(diǎn),將"Low power timer clock(LPTCLK) "的時(shí)鐘源設(shè)定為"IWDT-ded...

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