一個(gè)關(guān)于薄膜電容的問(wèn)題，條紋代表什么？

之前我提了一個(gè)關(guān)于薄膜電容的問(wèn)題，如下圖所示，電容一端的條紋代表什么？ 這些都是無(wú)極性電容，所以這個(gè)條紋不是極性標(biāo)記。一位讀者得回答正確，它代表電容卷繞...

2018-03-22 標(biāo)簽：Spice仿真器寄生電容薄膜電容 7.5k 0

如何解決壓敏電阻易老化的問(wèn)題呢？

壓敏電阻是典型的鉗位型過(guò)壓器件，在實(shí)際過(guò)壓防護(hù)中，利用壓敏電阻的非線性特性

2023-12-22 標(biāo)簽：MOV壓敏電阻寄生電容 7.5k 0

什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？

DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；

2023-09-28 標(biāo)簽：晶體管寄生電容電源完整性 7.4k 0

什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢(shì)是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫(xiě)。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路寄生電容SOI 7.2k 0

串并聯(lián)阻抗的等效互換

本期先補(bǔ)充學(xué)習(xí)一下本科課程中講到的串并聯(lián)阻抗的等效互換（雖然很簡(jiǎn)單，但重點(diǎn)是在工程中怎么用這個(gè)知識(shí)點(diǎn)），隨后以LC-tank PLL中的電容陣列為例

2023-10-30 標(biāo)簽：VCOLC振蕩器寄生電容 7.2k 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETSiC氮化鎵 7k 0

SGT MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類...

2025-01-22 標(biāo)簽：芯片MOSFET寄生電容 6.8k 0

pcb等長(zhǎng)設(shè)計(jì)為什么會(huì)出現(xiàn)時(shí)延差異？

1倍線寬的蛇形繞線帶來(lái)的延時(shí)差異是-10ps，比參考線快了10ps，造成延時(shí)差異的主要原因是信號(hào)的自耦合現(xiàn)象。

2021-04-13 標(biāo)簽：pcb寄生電容傳輸線 6.7k 0

一文詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)

功率MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，輸入阻抗高，因而開(kāi)關(guān)速度可以很高。

2023-07-22 標(biāo)簽：MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管 6.6k 0

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過(guò)熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過(guò)結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 6.6k 0

PCB寄生電容的影響 PCB寄生電容計(jì)算 PCB寄生電容怎么消除

寄生電容有一個(gè)通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是PCB布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就...

2024-01-18 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 6.6k 0

dV/dt失效是什么意思

dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。

2022-03-29 標(biāo)簽：MOSFET寄生電容橋式電路 6.6k 0

BUCK電路主要干擾源頭與差模傳導(dǎo)發(fā)射分析

BUCK電路為典型的開(kāi)關(guān)電源電路，為降壓電路，其主要電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下，隨著開(kāi)關(guān)管不停的通斷，右邊的輸出電壓低于左邊的輸入電壓，從而實(shí)現(xiàn)降壓功能。

2023-09-11 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源EMI濾波器寄生電容 6.6k 0

gm/Id方法設(shè)計(jì)二級(jí)OTA(2)—電流鏡式放大器介紹

輸入級(jí)放大電路由 M1～M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對(duì)，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號(hào)干擾；M3、M4 電流鏡為有源...

2023-07-05 標(biāo)簽：放大器濾波器電源電壓 6.5k 0

如何補(bǔ)償運(yùn)算放大器的輸入電容

本文將討論輸入端，尤其是反相輸入端的寄生（或雜散）電容的影響。

2022-05-05 標(biāo)簽：寄生電容輸入端 6.3k 0

說(shuō)說(shuō)“阻抗”和“阻抗匹配”的概念

電路中存在的電阻、電容和電感對(duì)電流起到的阻礙作用就叫做阻抗。

2023-11-03 標(biāo)簽：阻抗匹配接收機(jī)PCB布線 6.2k 0

開(kāi)關(guān)電源中MOS管柵極上拉電阻和下拉電阻的作用

第二個(gè)作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在，當(dāng)我們斷電時(shí)，由于這個(gè)寄生電容沒(méi)有放電路徑，這個(gè)MOS管還會(huì)處于一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)，那么我們下次上電時(shí)，這個(gè)...

2023-10-21 標(biāo)簽：上拉電阻下拉電阻開(kāi)關(guān)電源 6.2k 0

BUCK電路EMI噪聲的有效抑制方法

這個(gè)噪聲是開(kāi)關(guān)電源特性所致，它的產(chǎn)生是無(wú)法避免的，但是可以通過(guò)加輸入電容和輸入濾波電路在傳播路徑上對(duì)噪聲進(jìn)行抑制，以下會(huì)詳細(xì)論述。

2024-04-25 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電磁干擾EMI濾波器 6.1k 1

射頻頻率上電感、電阻、電容都有變化？

理想的電感，其電抗為jwL，即會(huì)隨著頻率的升高而升高，但是實(shí)際的電感，由于寄生電容的影響，這個(gè)寄生電容會(huì)與電感諧振，從而在某個(gè)頻率處產(chǎn)生一個(gè)很高的阻抗。

2023-06-09 標(biāo)簽：電阻射頻電容 6.1k 0

米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET的危害

對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效...

2023-04-26 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 5.9k 0