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標(biāo)簽 > 寄生電感
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貼片合金電阻在電子電路中應(yīng)用廣泛,尤其是在高精度測(cè)量和功率應(yīng)用中被頻繁使用。然而,在高頻或?qū)纫筝^高的應(yīng)用中,寄生電感成為一個(gè)不可忽視的問(wèn)題。
多開關(guān)并聯(lián)拓?fù)涞膫鲗?dǎo)EMI耦合機(jī)理研究
針對(duì)寄生參數(shù)對(duì)傳導(dǎo)干擾的影響,建立了多開關(guān)并聯(lián)拓?fù)涞亩嘣肼曉磦鲗?dǎo)干擾感性耦合模型,以及傳導(dǎo)干擾等效數(shù)學(xué)模型,從定量角度更精確地描述了多開關(guān)并聯(lián)支路間寄生...
Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列,推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品
節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
2021-02-23 標(biāo)簽:MOSFET晶圓DC-DC轉(zhuǎn)換器 1.7k 0
可以利用繼電器觸點(diǎn)更改功率放大器的增益或限流設(shè)置嗎
因?yàn)樗休敵鲭娏鞫冀?jīng)過(guò)限流檢測(cè)電阻,所以在電流突然中斷和寄生電感效應(yīng)的共同作用下,會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)高壓,而這有可能會(huì)損壞放大器的輸出級(jí)。
隨著硅功率器件被 GaN 替代,我們被迫攜帶巨大的電磚和多條電纜來(lái)運(yùn)行我們的設(shè)備的日子可能會(huì)結(jié)束。我們等待為智能手機(jī)和筆記本電腦充電的時(shí)間可能會(huì)大大減少...
2022-08-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器充電器寄生電感 1.5k 0
PCB布局的幾何形狀決定了系統(tǒng)中的元素如何相互電和磁耦合
這是因?yàn)殡娐穲D根本無(wú)法說(shuō)明實(shí)際PCB,IC或任何其他電氣系統(tǒng)的某些重要功能。寄生在電路圖中表示為電阻器,電容器和電感器,具體取決于它們?cè)陬l域中的行為。
AMEYA360代理 | 村田電子去寄生電感降噪元件(LCT)特點(diǎn)和規(guī)格
株式會(huì)社村田制作所(以下簡(jiǎn)稱“村田”)開發(fā)了行業(yè)首款(1)利用負(fù)互感(2)、能對(duì)從數(shù)MHz到1GHz的諧波(3)范圍內(nèi)電源噪聲進(jìn)行抑制的去寄生電感降噪元...
寄生電感致電流采樣失真:關(guān)鍵問(wèn)題與解決辦法
寄生電感是誘發(fā)電流采樣失真的典型隱性干擾源,其主要源于PCB布線、元件引腳及外接導(dǎo)線等環(huán)節(jié)。在電流變化過(guò)程中,寄生電感會(huì)感應(yīng)生成電動(dòng)勢(shì),直接破壞采樣精度...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的寄生電感抑制技巧
在全球向高頻、高效、高功率密度電力電子系統(tǒng)邁進(jìn)的背景下,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)憑...
2026-03-18 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路寄生電感 442 0
碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動(dòng)回路寄生電感的量化評(píng)估與關(guān)斷過(guò)沖抑制技術(shù)綜合研究
在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)(如電動(dòng)汽車牽引逆變器、光伏逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng))的演進(jìn)過(guò)程中,碳化硅(SiC)寬禁帶半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為取代傳統(tǒng)硅(S...
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