空間，有助于滿足下一代智能電動(dòng)汽車的應(yīng)用需求。Nexperia的所有產(chǎn)品系列都符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，包括： ? ·?采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列
2022-04-27 18:08:53
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恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET
2012-09-26 11:31:263877 
恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場(chǎng)上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節(jié)省超過(guò)55%的尺寸面積，從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:543472 業(yè)內(nèi)最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應(yīng)用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
2019-07-07 10:33:181394 Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)以及消費(fèi)者/工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）。
2019-12-02 15:45:442193 安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品,籍此擴(kuò)展市場(chǎng)領(lǐng)先的低RDS(on) MO,同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷。
2020-02-26 08:17:002308 具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，可保護(hù)信息娛樂(lè)、多媒體和ADAS系統(tǒng)。
2020-09-16 11:43:41748 Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼（SMD）封裝選項(xiàng)，采用超小型分立式扁平無(wú)引腳（DFN）封裝以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件。
2022-01-27 10:40:403220 
80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器
2023-06-21 09:21:571173 
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)。n具有中等功率能力的無(wú)鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
`Nexperia汽車用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，符合汽車行業(yè)制定的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這些Nexperia汽車器件設(shè)計(jì)用于比家用和便攜式應(yīng)用中使用的功率MOSFET更惡劣
2021-01-23 11:20:27
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護(hù)器是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)器，適用于汽車應(yīng)用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝，設(shè)有雙路
2021-01-27 10:11:12
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無(wú)鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
），AEC-Q101，AEC-Q200為最常見。其中AEC-Q100是AEC的第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，AEC-Q100于1994年6月首次發(fā)表，現(xiàn)經(jīng)過(guò)了十多年的發(fā)展，AEC-Q100已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于車
2019-07-18 13:19:45
AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管SM8ZXXA/CA系列，產(chǎn)品系列齊全，以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)要求的客戶需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證；[size
2019-03-28 10:45:32
，開關(guān)損耗降低了24%符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101在降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗方面具有非常高的性價(jià)比ROHM官網(wǎng)免費(fèi)提供應(yīng)用指南和SPICE模型等豐富的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)TO-247N封裝（TO-263L表貼型
2022-07-27 10:27:04
要進(jìn)入車輛領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)車電大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，第一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2018-11-20 15:47:25
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)可靠性標(biāo)準(zhǔn)；第二張門票，則要符合零失效(Zero Defect)的供應(yīng)鏈質(zhì)量管理
2018-09-06 17:05:17
/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防護(hù)產(chǎn)品系列齊全，以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.產(chǎn)品特性：1. 高可靠性、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證；2. 符合ISO 7637-2-5a拋負(fù)載測(cè)試
2018-07-30 09:27:08
恩智浦推出符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的功率MOSFET系列產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝
2010-04-24 10:49:081187 超緊湊薄型封裝的MicroFET MOSFET產(chǎn)品系列
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的
2010-05-11 17:55:27952 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證
2013-12-13 15:07:131158 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 現(xiàn)已符合AEC-Q101資格，證明這些電子組件符合用于汽車市場(chǎng)的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格，意味著汽車原始設(shè)備制造商（OEM）以及一級(jí)和其他供應(yīng)商能夠在各種車載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29979 Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，宣布新推符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列，該系列產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可保護(hù)敏感的電信端口免因靜電放電 （ESD） 和雷擊
2018-05-03 17:59:001158 Littelfuse公司，近日宣布推出兩個(gè)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA?二極管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔斷、高性能過(guò)電壓保護(hù)器件，最適合用于電源接口、乘客充電接口以及LED照明模塊和低速I/O。
2018-05-09 17:15:001442 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2018-10-25 08:00:00
39 Nexperia，分立器件、邏輯器件和MOSFET器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，21日推出其恒流LED驅(qū)動(dòng)器系列，該系列增加了8個(gè)符合AEC－Q101標(biāo)準(zhǔn)的新器件，可驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)250mA的低功率和中功率LED
2019-03-25 13:50:202342 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 AECQ101主要對(duì)汽車分立器件，元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，AECQ101認(rèn)證將會(huì)是汽車級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件（如晶體管，二極管等）最低應(yīng)力測(cè)試要求的定義和參考測(cè)試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過(guò)應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819 總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
2019-12-03 09:32:353351 的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件
2020-02-25 17:34:131388 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263713 6月23日，半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出面向汽車應(yīng)用領(lǐng)域符合AEC-Q101的業(yè)界最寬廣的分立半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，該系列器件采用了具有高熱效率、節(jié)省空間、兼容
2020-06-29 15:09:053584 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”，尺寸僅為1.0mm×1.0mm。
2020-09-29 15:27:171443 Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳CAN-FD保護(hù)二極管，具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能兼容AOI，出色的RF性能。
2020-12-02 14:51:091135 基本半導(dǎo)體專家Nexperia近日宣布推出全系列的低電流穩(wěn)壓二極管。50 μA 齊納二極管系列提供三種不同的表面貼裝 （SMD） 封裝選項(xiàng)、超小型分立扁平無(wú)引線 （DFN） 封裝和符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的部件，為客戶提供終極選擇和靈活性。
2022-03-28 11:17:523054 9月20日，廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（簡(jiǎn)稱：廣電計(jì)量）聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱：上海陸芯），于廣州順利舉行“廣電計(jì)量與上海陸芯合作交流會(huì)暨上海陸芯IGBT汽車級(jí)AEC-Q101驗(yàn)證報(bào)告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:252251 此最新產(chǎn)品含有 32 個(gè)平面肖特基二極管以及 8 個(gè)超快恢復(fù)整流二極管，均封裝在 CFP15B 中。包含通用型號(hào)和符合 AEC-Q101 車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的帶 Q 的器件。
2022-10-13 11:25:43818 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、6.8 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN6R8-40HS
2023-02-07 20:31:400 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、31 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN033-100HL
2023-02-08 19:06:410 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET，使用針對(duì)重復(fù)雪崩增強(qiáng)的 TrenchMOS 技術(shù)-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:510 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、11.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、7.2 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-40HL
2023-02-08 19:07:440 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、9.4 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-40HL
2023-02-08 19:08:000 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、14 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、10 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、9.3 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、45 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN045-100HL
2023-02-08 19:11:020 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、29 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN029-100HL
2023-02-08 19:11:190 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、37.6 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN038-100HS
2023-02-08 19:11:300 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、27.5 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100HS
2023-02-08 19:11:450 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、24.5 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN025-100HS
2023-02-08 19:11:590 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、8.5 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R5-40HS
2023-02-08 19:12:120 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、13.6 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:260 雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半橋配置）-BUK7V4R2-40H
2023-02-08 19:27:160 ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào)，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號(hào)，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241521 
雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半橋配置）-PSMN013-40VLD
2023-02-15 19:52:550 雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半橋配置）-PSMN4R2-40VSH
2023-02-15 19:53:060 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-40H
2023-02-16 21:23:330 LFPAK56D（半橋配置）中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:500 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、35 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K35-60RA
2023-02-17 19:06:540 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、55 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K52-60RA
2023-02-17 19:07:050 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、29 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K25-40RA
2023-02-17 19:07:210 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、12.5 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-60RA
2023-02-17 19:07:320 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 ℃ AEC-Q101認(rèn)證對(duì)象： 晶體管：BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件：LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012333 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布擴(kuò)展其備受贊譽(yù)的汽車以太網(wǎng) ESD 保護(hù)器件產(chǎn)品組合。3 款全新 ESD 保護(hù)器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)以及 IEEE 100BASE-T1
2023-05-29 10:33:191425 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)是用于分立半導(dǎo)體器件的，標(biāo)準(zhǔn)全稱：Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:086304 
Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防護(hù)產(chǎn)品系列齊全，以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131463 
3月11日，國(guó)際獨(dú)立第三方檢測(cè)檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)萊茵TV（以下簡(jiǎn)稱“TV萊茵”）向上海陸芯電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“上海陸芯”）的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:392221 
AEC-Q100、AEC-Q101和AEC-Q200這三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)。在AEC網(wǎng)站上的“文檔”頁(yè)面列出了37個(gè)標(biāo)準(zhǔn)和子標(biāo)準(zhǔn)，其中七個(gè)被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:552775 
USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101：車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測(cè)試驗(yàn)證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:321564 AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱，并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域，對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件，適用于不同的標(biāo)準(zhǔn)。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169220 
進(jìn)入汽車領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)汽車電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導(dǎo)
2023-08-25 08:28:091726 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí)，機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用，標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157 安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:451376 功率循環(huán)測(cè)試-簡(jiǎn)介功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。相對(duì)于溫度循環(huán)測(cè)試，功率循環(huán)通過(guò)在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:592842 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后，近日，國(guó)星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場(chǎng)效應(yīng)管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:321851 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合
2023-12-24 09:32:021493 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙N溝道40 V，13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D（半橋配置）產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 14:31:020 在基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有高產(chǎn)能生產(chǎn)專家之譽(yù)的 Nexperia（安世半導(dǎo)體）最近發(fā)布了 22 種新型平面肖特基二極管產(chǎn)品組合。此次發(fā)布的產(chǎn)品均采用了 CFP3-HP 封裝，涵蓋了 11 種工業(yè)級(jí)產(chǎn)品和 11 種符合 AEC-Q101 汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。
2024-03-04 11:39:391440 近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS（以下簡(jiǎn)稱為“SGS”）為吉林華微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱為“華微電子”）頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:25:561834 雷卯解析AEC-Q101與AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253 
電機(jī)控制器PCB還為用戶提供了三種Nexperia MOSFET封裝選項(xiàng)（LFPAK33、LFPAK56D或LFPAK56）。
2024-07-25 11:30:111745 近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求，至此公司獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191572 
C-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)在汽車行業(yè)中，電子器件的可靠性直接關(guān)系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高，對(duì)電子器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來(lái)越高。AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生
2025-01-09 11:04:301467 
(FoM)上處于行業(yè)領(lǐng)先水平，之前僅提供工業(yè)級(jí)版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括車載充電器(OBC)、電動(dòng)車
2025-05-08 11:09:50620 
(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0-Q)擁有行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FoM)，此前已推出工業(yè)級(jí)版本，現(xiàn)正式獲得AEC-Q101認(rèn)證。這使該系列器件適用于諸多
2025-05-09 19:42:5351616 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布其產(chǎn)品組合新增一款符合 AEC-Q100（1級(jí)）標(biāo)準(zhǔn)的器件，旨在滿足高要求汽車應(yīng)用對(duì)可靠性的需求。NMUX27518-Q100 是一款雙向 6 通道 2:1
2025-09-09 14:56:44633 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141110
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