Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

現(xiàn)可提供具備高效開關(guān)和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝
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奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應(yīng)用。
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長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高MOSFET開關(guān)效率的重點。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果，在打開或關(guān)閉MOSFET時尖峰耐壓升高，從而使得產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)增加。確認(rèn)這一新問題后，Nexperia立即開始研究如何改善其他工藝技術(shù)參數(shù)，以幫助解決此問題。Nexperia的不懈努力最終促成了NextPower 80/100 V MOSFET的發(fā)布。該器件的Qrr（反向恢復(fù)電荷）較低，因此可顯著降低開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的尖峰值，同時表現(xiàn)出與競品MOSFET相同的高效性能，且具有更低的EMI。
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通過為高效率、低尖峰的NextPower 80/100 V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封裝系列，Nexperia不僅可以幫助設(shè)計人員縮小應(yīng)用尺寸并體驗到銅夾片封裝的超強可靠性，而且還為設(shè)計工程師和客戶提供了新的選擇，希望為現(xiàn)有設(shè)計提供額外的資源。
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欲了解有關(guān)Nexperia NextPower MOSFET的更多信息，請訪問：
https://www.nexperia.cn/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS/
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MOSFET(230973) MOSFET(230973)

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2023-04-28 10:37:19

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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

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`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101

2020-03-11 17:20:01

Nexperia N溝道TrenchMOS邏輯電平FET

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Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET

MIL-STD-750-1 M1038 Method A標(biāo)準(zhǔn)，60 V 器件的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是在 175°C和80%的漏源電壓額定值（48 V）下工作 1,000 小時。廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品選擇Nexperia 放電

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Diodes 集成功率MOSFET

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高速ADC產(chǎn)品組合（修訂版0）

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e絡(luò)盟開售瑞薩電子與Dialog聯(lián)手打造的全新產(chǎn)品組合

e絡(luò)盟宣布供貨瑞薩電子與Dialog聯(lián)手打造的全新產(chǎn)品組合，進一步擴充其市場領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。

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揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT （Shield Gate Trench MOSFET）制程工藝，針對電機驅(qū)動、BMS等應(yīng)用設(shè)計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。

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小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中

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2022-11-21 16:11:38

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采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 溝道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF

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2023-02-07 20:09:17

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、2.07 mOhm、267 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R0-100SSF

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2023-02-07 20:09:31

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,5.6mOhmN溝道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF

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2023-02-08 18:42:39

NextPower 80V,2.3mOhm、240 A、N 溝道 MOSFET，采用 LFPAK88 封裝-PSMN2R3-80SSF

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2023-02-08 19:24:13

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100V,3.3mOhm、180 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、3.3 mOhm、180 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF

2023-02-08 19:25:25

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100V,2.6 mΩ、200 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R6-100SSF

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、2.6 mΩ、200 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R6-100SSF

2023-02-08 19:26:34

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80V,2.8mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF

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2023-02-09 19:21:00

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,15.3mOhmN溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF

2023-02-09 21:54:47

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,11.7mOhmN溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF

2023-02-09 21:55:00

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,10mOhmN溝道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、10 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF

2023-02-09 21:55:10

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,6.9mOhmN溝道 MOSFET-PSMN7R2-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、6.9 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN7R2-100YSF

2023-02-09 21:55:27

采用 LFPAK56 的 NextPower 80V,4.5mOhmN溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF

采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF

2023-02-14 19:20:10

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80V,3.5mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF

2023-02-15 19:43:38

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 100V,4.3mOhm、120 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R9-100YSF

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 100 V、4.3 mOhm、120 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R9-100YSF

2023-02-16 20:07:19

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

2023-02-20 19:50:19

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS

2023-02-22 19:00:22

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS

2023-02-22 19:00:52

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 30V,13.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN013-30YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 30 V、13.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN013-30YLC

2023-02-22 19:04:43

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

2023-02-23 18:42:14

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,8.8 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

2023-02-23 18:44:52

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

2023-02-23 18:45:04

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

2023-02-23 18:45:23

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,9 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

2023-02-23 18:51:50

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

2023-02-23 18:52:29

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 30V,11.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN011-30YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 30 V、11.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN011-30YLC

2023-02-23 18:53:04

華為升級系列化產(chǎn)品組合方案，引領(lǐng)數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展

西班牙巴塞羅那2023年3月2日 /美通社/ -- 為更快更好地幫助政企客戶建設(shè)數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施，使能行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，2022年，面向數(shù)據(jù)中心、園區(qū)、數(shù)字站點和廣域網(wǎng)絡(luò)，華為全新推出了系列化產(chǎn)品組合方案

2023-03-02 21:09:28

1672

Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出先進的I2C GPIO擴展器產(chǎn)品組合

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用輸入輸出（GPIO）擴展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中

2023-05-04 17:34:04

2012

Nexperia | 擴展用于汽車以太網(wǎng)的ESD保護解決方案產(chǎn)品組合

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布擴展其備受贊譽的汽車以太網(wǎng) ESD 保護器件產(chǎn)品組合。3 款全新 ESD 保護器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)以及 IEEE 100

2023-05-29 10:33:19

1425

Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

(ASFET) 新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 mOhm 導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平 MOSFET，應(yīng)用于 LFPAK33 封裝。奈梅亨，2022年5月12

2023-05-29 10:35:11

1160

安世半導(dǎo)體擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝

2023-06-21 10:34:32

1564

TOLL封裝MOSFET系列

產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

2023-08-16 09:17:34

2881

安世|采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm

2023-09-22 09:08:10

1797

Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹

Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。

2023-11-20 10:24:00

2169

Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET

Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET

2023-11-30 11:47:40

1120

ADI電源管理產(chǎn)品組合

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI電源管理產(chǎn)品組合.pdf》資料免費下載

2023-11-24 11:48:45

安世車規(guī)級MOSFET產(chǎn)品組合答疑回顧

11 月 28 日，安世半導(dǎo)體 BG MOS 產(chǎn)品線高級應(yīng)用經(jīng)理方舟先生，為廣大工程師帶來了《Nexperia車規(guī)級 MOSFET - 提升 EV 驅(qū)動能效的絕佳選擇》的網(wǎng)絡(luò)研討會，重點介紹了安世半導(dǎo)體最新車規(guī)級 MOSFET 產(chǎn)品，及其在新能源汽車車身和底盤中的應(yīng)用。

2023-12-15 10:35:31

2150

適用于24V電源系統(tǒng)的車載網(wǎng)絡(luò)ESD保護產(chǎn)品組合

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合

2023-12-24 09:32:02

1493

NextPower 80 V，3.1 mOhm，160 A，N溝道MOSFET LFPAK56包裝產(chǎn)品數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NextPower 80 V，3.1 mOhm，160 A，N溝道MOSFET LFPAK56包裝產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載

2024-01-03 16:42:00

NextPower 100 V，1.04 mOhm，N溝道MOSFET CCPAK1212i包目標(biāo)數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NextPower 100 V，1.04 mOhm，N溝道MOSFET CCPAK1212i包目標(biāo)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載

2024-02-20 10:55:14

Nexperia發(fā)布22種新型平面肖特基二極管產(chǎn)品組合

在基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有高產(chǎn)能生產(chǎn)專家之譽的 Nexperia（安世半導(dǎo)體）最近發(fā)布了 22 種新型平面肖特基二極管產(chǎn)品組合。此次發(fā)布的產(chǎn)品均采用了 CFP3-HP 封裝，涵蓋了 11 種工業(yè)級產(chǎn)品和 11 種符合 AEC-Q101 汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。

2024-03-04 11:39:39

1440

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。

2024-05-07 15:08:07

1440

Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業(yè)應(yīng)用增長需求

分別為30、40、60和80mΩ，進一步豐富了公司的SiCMOSFET產(chǎn)品線。Nexperia的這一最新發(fā)布是對其SiCMOSFET產(chǎn)品組合的快速擴展。此前，該公司

2024-05-23 10:57:39

1110

Cadence 擴充系統(tǒng) IP 產(chǎn)品組合，推出 NoC 以優(yōu)化電子系統(tǒng)連接性

楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布擴充其系統(tǒng) IP 產(chǎn)品組合，新增了 Cadence? Janus? Network-on-Chip（NoC）。

2024-07-03 09:24:29

1313

Nexperia擴展NextPower系列MOSFET陣容,引領(lǐng)高效低噪新紀(jì)元

2024年8月7日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商Nexperia宣布，其NextPower 80V及100V MOSFET產(chǎn)品線再次迎來重大擴充，成功推出了采用標(biāo)準(zhǔn)化5x6mm及8x8mm封裝

2024-08-07 14:53:32

1274

Nexperia擴展NextPower MOSFET產(chǎn)品線，助力高效能應(yīng)用

全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)領(lǐng)軍者Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布了一項重要戰(zhàn)略舉措，旨在持續(xù)強化其NextPower系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的產(chǎn)品陣容。此次擴充

2024-08-13 14:33:14

1161

英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合，進一步豐富了該系列的產(chǎn)品線，旨在響應(yīng)大眾

2024-09-30 16:15:58

1767

安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度

2024-12-12 11:35:13

4678

CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片

2024-12-16 14:09:09

578

Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET，性能再升級

Nexperia公司近日宣布，成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET，這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的CCPAK1212封裝技術(shù)。這一突破性設(shè)計不僅提升了功率密度，還帶來了卓越的性能表現(xiàn)，滿足了

2024-12-24 09:15:31

1192

Nexperia擴展能源采集產(chǎn)品組合

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）正在通過全新NEH71x0電源管理IC（PMIC）系列擴展能源采集產(chǎn)品組合。新發(fā)布的先進PMIC系列結(jié)合了卓越的性能、高性價比和多功能性，為低功耗應(yīng)用的可持續(xù)設(shè)計建立了新的標(biāo)準(zhǔn)。

2025-01-22 11:31:15

1074

e絡(luò)盟大幅擴充PUI Audio產(chǎn)品系列以強化音頻產(chǎn)品組合

安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟大幅擴充了 PUI Audio產(chǎn)品種類。作為音頻、觸覺反饋及傳感器解決方案領(lǐng)域的全球創(chuàng)新者和供應(yīng)商，PUI Audio產(chǎn)品的加入進一步豐富e絡(luò)盟的產(chǎn)品組合。新擴展的產(chǎn)品線使客戶能夠獲得更廣泛的專業(yè)音頻組件。

2025-02-18 16:29:39

871

Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合

Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?；诖司媒?jīng)考驗的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。

2025-02-19 13:45:01

1015

Nexperia擴展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個

2025-03-19 17:16:29

1165

Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD

2025-03-20 11:18:11

964

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

1233

e絡(luò)盟全面開售 Nexperia 廣泛新品組合

Nexperia 每年增加 800 多種新產(chǎn)品類型。2024 年，僅模擬和電源管理應(yīng)用便推出了超過 70 種新部件。為支持 Nexperia 產(chǎn)品擴展，e絡(luò)盟緊跟其不斷擴大的產(chǎn)品組合，擴充了自身的庫存產(chǎn)品型號范圍，以便更精準(zhǔn)的服務(wù)全球工程師。

2025-09-09 15:12:25

720

Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應(yīng)用設(shè)計。

2025-09-12 09:38:45

630

Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電

2025-09-18 18:19:14

1110

Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V

2025-10-10 11:22:27

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Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

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