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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

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2019-05-29 15:15:505922

淺談AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

AECQ101主要對汽車分立器件,元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求,AECQ101認(rèn)證將會(huì)是汽車級半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件(如晶體管,二極管等)最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認(rèn)為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819

Power Integrations推出通過AEC-Q101汽車級認(rèn)證的200V Qspeed二極管

N200CQ – 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級認(rèn)證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù),可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷(Qrr)之間提供獨(dú)特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003615

60V轉(zhuǎn)24V轉(zhuǎn)20V轉(zhuǎn)15V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V降壓芯片和方案免費(fèi)下載

60V 轉(zhuǎn) 24V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 20V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 15V 降壓芯片 ,60V 轉(zhuǎn) 12V 降壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 9V 降壓芯片 60V 轉(zhuǎn) 24V 穩(wěn)壓芯片,60V 轉(zhuǎn) 20V
2020-10-19 08:00:0041

50V轉(zhuǎn)24V轉(zhuǎn)20V轉(zhuǎn)15V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V的穩(wěn)壓降壓芯片免費(fèi)下載

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2020-10-19 08:00:0036

70V轉(zhuǎn)5V12V及15V降壓芯片和方案詳細(xì)說明

24V 降壓降壓芯片,70V 轉(zhuǎn) 20V 降壓降壓芯片,70V 轉(zhuǎn) 15V 降壓降壓芯片 ,70V 轉(zhuǎn) 12V 降壓降壓芯片,70V 轉(zhuǎn) 9V 降壓降壓芯片,70V 轉(zhuǎn) 5V 降壓降壓芯片,70V 轉(zhuǎn)
2020-10-19 08:00:0033

12V20V轉(zhuǎn)5V降壓芯片和LDO方案免費(fèi)下載

12V 供電電壓輸入和 20V 供電電壓輸入轉(zhuǎn) 5V 輸出,恒壓穩(wěn)定輸出 5V 這個(gè)是比較簡單的,合適的芯片也是選擇很多。 12V 輸入和 20V 輸入兩個(gè)電壓相差有點(diǎn)多,所以在芯片選擇時(shí),也會(huì)有所以不同。
2020-11-30 08:00:0021

12V20V轉(zhuǎn)5V降壓電源和LDO芯片的方案詳細(xì)說明

12V 供電電壓輸入和 20V 供電電壓輸入轉(zhuǎn) 5V 輸出,恒壓穩(wěn)定輸出 5V 這個(gè)是比較簡單的,合適的芯片也是選擇很多。 12V 輸入和 20V 輸入兩個(gè)電壓相差有點(diǎn)多,所以在芯片選擇時(shí),也會(huì)有所以不同。
2020-12-08 08:00:006

Vishay Siliconix SQJ264EP提高DC/DC開關(guān)模式電源效率需求

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:502090

LT3743演示電路-采用三態(tài)控制(12V至4.5V LED@20A)的大電流同步降壓LED驅(qū)動(dòng)器

LT3743演示電路-采用三態(tài)控制(12V至4.5V LED@20A)的大電流同步降壓LED驅(qū)動(dòng)器
2021-04-10 14:17:4510

LT3743演示電路-采用三態(tài)控制(12V至4.5V LED@20A)的大電流同步降壓LED驅(qū)動(dòng)器

LT3743演示電路-采用三態(tài)控制(12V至4.5V LED@20A)的大電流同步降壓LED驅(qū)動(dòng)器
2021-06-09 14:48:3917

DC720A LT3800EFE演示板 | V = 20V 至 55V, V?= 12V (6.25A)

演示電路720是一款200kHz高電壓、同步電流模式DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置LTC3800。該板的Vin范圍為20V至55V,并提供12V、6.25A輸出(75W)。?
2021-06-17 20:55:2816

LT1945演示電路-雙電源升壓轉(zhuǎn)換器(2.7-5V12V,20 mA和-20V,10 mA)

LT1945演示電路-雙電源升壓轉(zhuǎn)換器(2.7-5V12V,20 mA和-20V,10 mA)
2021-06-18 08:03:5117

48V轉(zhuǎn)24V轉(zhuǎn)20V轉(zhuǎn)19V轉(zhuǎn)15V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V芯片

48V轉(zhuǎn)24V轉(zhuǎn)20V轉(zhuǎn)19V轉(zhuǎn)15V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V芯片(現(xiàn)代電源技術(shù)試卷及答案)-48V轉(zhuǎn)24V,48V轉(zhuǎn)20V,48V轉(zhuǎn)19V,48V轉(zhuǎn)15V,48V轉(zhuǎn)12V,48V轉(zhuǎn)9V
2021-09-15 12:43:0272

42V轉(zhuǎn)24V 20V 15V 12V 9V降壓電源芯片 1A-3A選型.

42V轉(zhuǎn)24V 20V 15V 12V 9V降壓電源芯片 1A-3A選型.(大工20秋電源技術(shù)在線作業(yè)3)-42V轉(zhuǎn)24V,42V轉(zhuǎn)20V,42V轉(zhuǎn)15V,42V轉(zhuǎn)12V,42V轉(zhuǎn)9V
2021-09-15 12:49:1517

40V轉(zhuǎn)24V 20V;40V轉(zhuǎn)15V 12V 9V降壓電源芯片

40V轉(zhuǎn)24V 20V;40V轉(zhuǎn)15V 12V 9V降壓電源芯片(電源技術(shù)應(yīng)用期刊)-40V轉(zhuǎn)24V,20V;40V轉(zhuǎn)15V,12V,9V降壓電源芯片
2021-09-15 12:54:2832

36V轉(zhuǎn)24V轉(zhuǎn)20V轉(zhuǎn)15V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V降壓芯片選型

36V轉(zhuǎn)24V轉(zhuǎn)20V轉(zhuǎn)15V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V降壓芯片選型(電源技術(shù)期刊給錢就發(fā)嗎)-36V轉(zhuǎn)24V,36V轉(zhuǎn)20V,36V轉(zhuǎn)15V ,36V轉(zhuǎn)12V,36V轉(zhuǎn)9V,36V轉(zhuǎn)5V,36V轉(zhuǎn)3.3V,36V轉(zhuǎn)3V,36V轉(zhuǎn)1.8V,36V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 13:01:2761

20V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)3.3V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO選型

20V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)9V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)3.3V轉(zhuǎn)3V降壓芯片和LDO選型(通信電源技術(shù)核心)-20V轉(zhuǎn)15V ,20V轉(zhuǎn)12V,20V轉(zhuǎn)9V20V轉(zhuǎn)5V,20V轉(zhuǎn)3.3V20V轉(zhuǎn)3V,20V轉(zhuǎn)1.8V,20V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 13:34:3943

Vishay推出塑料封裝新型表面貼裝小信號二極管

Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認(rèn)證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:522958

12V轉(zhuǎn)5V,20V轉(zhuǎn)5V降壓電源芯片和很低功耗LDO

12V供電電壓輸入和20V供電電壓輸入轉(zhuǎn)5V輸出,恒壓穩(wěn)定輸出5V這個(gè)是比較簡單的,合適的芯片也是選擇很多。12V輸入和20V輸入兩個(gè)電壓相差有點(diǎn)多,所以在芯片選擇時(shí),也會(huì)有所以不同。12V輸入轉(zhuǎn)
2022-01-05 14:42:0824

24V轉(zhuǎn)12V/4.5A同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《24V轉(zhuǎn)12V/4.5A同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 11:41:3716

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET又增10個(gè)型號,業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241521

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:333849

什么是AEC-Q101認(rèn)證?——華碧實(shí)驗(yàn)室

AEC-Q101認(rèn)證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012333

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項(xiàng)目?認(rèn)證準(zhǔn)備及流程有哪些?

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)是用于分立半導(dǎo)體器件的,標(biāo)準(zhǔn)全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:086304

符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級瞬態(tài)抑制二極管的特性及應(yīng)用

Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護(hù)產(chǎn)品系列齊全,以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131463

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計(jì)企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT車規(guī)級AEC-Q101認(rèn)證

3月11日,國際獨(dú)立第三方檢測檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:392221

AEC-Q101認(rèn)證對象和測試項(xiàng)目

USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101:車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測試驗(yàn)證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域,而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195

什么是AEC-Q的發(fā)展前景和認(rèn)證對象?

什么是AEC-Q認(rèn)證?目前多數(shù)汽車廠商使用的零部件都要求具備AEC-Q認(rèn)證AEC-Q認(rèn)證是國際通用的車規(guī)元器件產(chǎn)品驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),通過AEC-Q認(rèn)證意味著產(chǎn)品能夠應(yīng)用于汽車上。AEC-Q認(rèn)證的必要性要
2023-08-25 08:28:091726

AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測試意義在于證實(shí)極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí),機(jī)械應(yīng)力對于器件焊接性能的作用,標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376

MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后,近日,國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-場效應(yīng)管)器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:321851

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證
2023-10-25 18:28:101483

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:183074

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證, 成功進(jìn)入新能源汽車供應(yīng)鏈!

近日,芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)(廣電計(jì)量)全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。包括之前通過測試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:491013

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證

3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:381469

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核,同時(shí)通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547

SGS為華微電子頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書

近日,國際公認(rèn)的測試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:25:561834

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求,至此公司獲車規(guī)級認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191572

AEC-Q101——HAST試驗(yàn)介紹

C-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)在汽車行業(yè)中,電子器件的可靠性直接關(guān)系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高,對電子器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來越高。AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生
2025-01-09 11:04:301467

Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141110

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