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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

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具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可保護(hù)信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)。
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2020-09-30 09:43:442455

AEC-Q200 E版新增保險(xiǎn)絲,Littelfuse、AEM新品搶占車被動(dòng)器件先機(jī)

電子協(xié)會(huì)車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),也就是常說(shuō)的AECQ車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。 ? AECQ又分為多個(gè)子標(biāo)準(zhǔn),分別是AEC-Q100,針對(duì)集成電路(IC)的標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101是針對(duì)分立半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)。AEC-Q102是針對(duì)分立光電半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q104是針對(duì)多芯片組件的標(biāo)準(zhǔn)。AEC-Q20
2024-05-17 01:07:005281

1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)

量產(chǎn)階段并通過(guò)可靠性測(cè)試。 ? 1200V 藍(lán)寶石基GaN 器件 ? 據(jù)介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)種規(guī)格的型號(hào),包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A
2024-07-31 01:06:005182

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低損耗與小型化

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43

IGBT模塊的選擇

電壓(600V、1200V、1700V)均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過(guò)載,電網(wǎng)波動(dòng),開關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
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ROHM車載產(chǎn)品的特別之處

/TS16949認(rèn)證。此外,本LDO系列還滿足車載IC的實(shí)質(zhì)性行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100。-提到車載,除品質(zhì)可靠性外,交貨期和供應(yīng)方面的要求應(yīng)該也很嚴(yán)格吧。ROHM的“車載”這個(gè)定義,就包含了嚴(yán)格遵守交貨期
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Diodes Inc MMBT39x車晶體管

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SiC-SBD的產(chǎn)品陣容支持車載的650V/1200V、5A~40A

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TO-247N封裝的650V集射極電壓IGBT RGSXXTS65DHR

RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管的開關(guān)特性參數(shù)RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的特點(diǎn):·低集電極 - 發(fā)射極飽和壓降·短路耐受時(shí)間為8μs·符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)·內(nèi)置
2019-04-09 06:20:10

Vishay SQ2361 汽車P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39

中科君芯1200V系列IGBT在工業(yè)焊機(jī)電源中的應(yīng)用

對(duì)江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱中科君芯)針對(duì)焊機(jī)領(lǐng)域開發(fā)1200V系列產(chǎn)品性能、和國(guó)外主流器件的參數(shù)比對(duì)、實(shí)際焊機(jī)測(cè)試比對(duì)展開討論。1電路拓?fù)涔I(yè)焊接電源電路拓?fù)溆邪霕蚝腿珮?圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33

什么是AEC-Q100認(rèn)證?

),AEC-Q101AEC-Q200為最常見。其中AEC-Q100是AEC的第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn),AEC-Q100于1994年6月首次發(fā)表,現(xiàn)經(jīng)過(guò)了十多年的發(fā)展,AEC-Q100已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于車
2019-07-18 13:19:45

優(yōu)恩半導(dǎo)體新推出可通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管SM8ZXXA/CA系列產(chǎn)品

AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管SM8ZXXA/CA系列,產(chǎn)品系列齊全,以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)要求的客戶需求。特性:[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證;[size
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內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT車載充電器案例中 開關(guān)損耗降低67%

,RGWxx65C系列在替換現(xiàn)有的IGBT時(shí),基本不需要改變電路板或元器件常數(shù)等,因此可以輕松且高性價(jià)比地提高效率。符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車載級(jí)高可靠性IGBTRGWxx65C系列符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)
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哪些組件需要AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)

在為汽車應(yīng)用選擇組件時(shí),您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)自己?jiǎn)枴拔业钠嚠a(chǎn)品中使用的每個(gè)組件都需要AEC-Q200認(rèn)證嗎?”。答案是不”。AEC-Q200是抗應(yīng)力的全球標(biāo)準(zhǔn),如果這些組件將用于汽車應(yīng)用,所有無(wú)源電子元件
2018-10-24 14:32:13

明確車載的理由

——AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。車載專用設(shè)計(jì),ROHM一條龍生產(chǎn)該LDO系列從開發(fā)階段就專為車載設(shè)計(jì),作為車載,為了充分確保高品質(zhì)與嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性,采用了余量和冗余等設(shè)計(jì)考量。ROHM的一條龍
2018-12-04 10:26:31

有效實(shí)施更長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車SiC功率器件

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車級(jí)離散器件的影響之后,它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件,并強(qiáng)調(diào)了成功設(shè)計(jì)必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車提供動(dòng)力
2019-08-11 15:46:45

汽車電子零部件可靠性驗(yàn)證(AEC-Q)

要進(jìn)入車輛領(lǐng)域,打入各一級(jí)(Tier1)車電大廠供應(yīng)鏈,必須取得兩張門票,第一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2018-11-20 15:47:25

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的CANbus保護(hù)器CDSOT23-T24CAN

Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護(hù)器是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)器,適用于汽車應(yīng)用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝,設(shè)有雙路
2021-01-27 10:11:12

車電零部件可靠性驗(yàn)證(AEC-Q)

)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)可靠性標(biāo)準(zhǔn);第二張門票,則要符合零失效(Zero Defect)的供應(yīng)鏈質(zhì)量管理
2018-09-06 17:05:17

AEC-Q101分立半導(dǎo)體器件車規(guī)級(jí)認(rèn)證可靠性測(cè)試

AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時(shí),我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST
2024-01-29 21:35:04

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IR針對(duì)汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955

華潤(rùn)微電子開發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)

華潤(rùn)上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
2011-03-31 09:23:061846

Vishay推出業(yè)內(nèi)首通過(guò)汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證的非對(duì)稱封裝雙芯片MOSFET

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Vishay發(fā)布用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的高圓頂透射式光傳感器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩顆用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
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美高森美的快速恢復(fù)二極管取得了面向汽車市場(chǎng)的AEC-Q101資格

現(xiàn)已符合AEC-Q101資格,證明這些電子組件符合用于汽車市場(chǎng)的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格,意味著汽車原始設(shè)備制造商(OEM)以及一級(jí)和其他供應(yīng)商能夠在各種車載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
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Littelfuse宣布新符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列

Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),宣布新符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列,該系列產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可保護(hù)敏感的電信端口免因靜電放電 (ESD) 和雷擊
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Littelfuse公司近日宣布推出兩個(gè)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列

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高頻應(yīng)用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6發(fā)布

新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對(duì)開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì),可滿足其對(duì)更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
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深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
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AEC-Q101汽車電子基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2018-10-25 08:00:0039

羅姆推車級(jí)1200V耐壓IGBT 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車需求

據(jù)外媒報(bào)道,最近,日本羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM)宣布新增兩級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器,以及正溫度系數(shù)(PTC)加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501845

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車載1200V耐壓IGBTRGS系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922

關(guān)于1200V耐壓IGBTRGS系列”性能分析

電流流過(guò)PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時(shí)會(huì)流過(guò)大電流,產(chǎn)生大量熱量,隨著發(fā)熱量的增加,電阻值增大,電流受限,從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性,可加熱空氣和水,并使之循環(huán),從而成為制熱的熱源。
2019-08-22 09:29:175782

淺談AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

AECQ101主要對(duì)汽車分立器件,元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求,AECQ101認(rèn)證將會(huì)是汽車級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件(如晶體管,二極管等)最低應(yīng)力測(cè)試要求的定義和參考測(cè)試條件,目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過(guò)應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819

Power Integrations推出通過(guò)AEC-Q101汽車級(jí)認(rèn)證的200V Qspeed二極管

– 現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q101汽車級(jí)認(rèn)證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù),可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷(Qrr)之間提供獨(dú)特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對(duì)于車載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003615

ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40%

在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強(qiáng)符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容,并在車載充電器(On Board
2020-06-19 14:21:075094

ROHM新推出IGBTRGS系列”產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)壓縮機(jī)※2)的逆變器電路
2020-09-18 16:57:093104

IGBT電動(dòng)汽車空調(diào)有哪些關(guān)鍵技術(shù)

ROHMRGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化,是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:003421

Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管

)今日宣布推出最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)功率器件,為電動(dòng)汽車(EV)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案,同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。 Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:352091

ROHM開發(fā)出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列

ROHM新開發(fā)出可同時(shí)降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。
2021-04-20 15:14:47954

上海陸芯汽車級(jí)IGBT產(chǎn)品獲得AEC-Q101驗(yàn)證報(bào)告

9月20日,廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司(簡(jiǎn)稱:廣電計(jì)量)聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱:上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計(jì)量與上海陸芯合作交流會(huì)暨上海陸芯IGBT汽車級(jí)AEC-Q101驗(yàn)證報(bào)告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:252257

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161791

AEC Q102(一文讀懂車規(guī)級(jí)AEC-Q認(rèn)證)

(Automotive Electronics Council,簡(jiǎn)稱AEC)作為車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:434123

RGS系列:支持AEC-Q101車載1200V耐壓IGBT

ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1011200V耐壓IGBT。此次推出的4型號(hào),傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào),業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”,而且共有13型號(hào),擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241521

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性,并大大減少了開關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:251901

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

國(guó)產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:333850

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:511651

什么是AEC-Q101認(rèn)證?——華碧實(shí)驗(yàn)室

AEC-Q101認(rèn)證對(duì)象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012335

功率器件AEC-Q101如何選擇測(cè)試項(xiàng)目?認(rèn)證準(zhǔn)備及流程有哪些?

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)是用于分立半導(dǎo)體器件的,標(biāo)準(zhǔn)全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:086305

AEC - Q200 - Rev E,2023年3月20日,AEC發(fā)布了最新的無(wú)源元件AEC-Q200車規(guī)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

器件的標(biāo)準(zhǔn)為 [AEC-Q101],針對(duì)于LED的標(biāo)準(zhǔn)為 [AEC-Q102],針對(duì)于被動(dòng)元件設(shè)計(jì)為[AEC-Q200],AEC-Q104(多芯
2023-06-16 14:32:533393

符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)瞬態(tài)抑制二極管的特性及應(yīng)用

Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護(hù)產(chǎn)品系列齊全,以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131464

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計(jì)企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證

3月11日,國(guó)際獨(dú)立第三方檢測(cè)檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)萊茵TV(以下簡(jiǎn)稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:392221

車規(guī)級(jí)AEC-Q認(rèn)證技術(shù)的發(fā)展及標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化

AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200這三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)。在AEC網(wǎng)站上的“文檔”頁(yè)面列出了37個(gè)標(biāo)準(zhǔn)和子標(biāo)準(zhǔn),其中七個(gè)被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:552778

AEC Q101中文版及內(nèi)容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過(guò)來(lái)是基于失效機(jī)制對(duì)汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測(cè)試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:294638

AEC-Q101的認(rèn)證對(duì)象和測(cè)試項(xiàng)目

USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101:車分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測(cè)試驗(yàn)證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域,而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195

Vishay推出系列200 V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3 和 5 A VS-5EAH02xM3 為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案,每種產(chǎn)品都有 Vishay 汽車級(jí) AEC-Q101 認(rèn)證版本。
2023-06-21 17:25:002259

瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn),助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產(chǎn)了一TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870

車規(guī)芯片的AEC-Q100測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱,并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域,對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件,適用于不同的標(biāo)準(zhǔn)。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169224

什么是AEC-Q的發(fā)展前景和認(rèn)證對(duì)象?

進(jìn)入汽車領(lǐng)域,打入各一級(jí)(Tier1)汽車電子大廠供應(yīng)鏈,必須取得兩張門票,一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導(dǎo)
2023-08-25 08:28:091727

AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí),機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用,標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)全部測(cè)試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:451376

AEC-Q101功率循環(huán)測(cè)試 簡(jiǎn)介

功率循環(huán)測(cè)試-簡(jiǎn)介功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。相對(duì)于溫度循環(huán)測(cè)試,功率循環(huán)通過(guò)在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:592842

MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081

國(guó)星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

是車規(guī)元器件重要的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)之一。對(duì)于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗(yàn))考核標(biāo)準(zhǔn)耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:321851

國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:101484

AEC-Q100 H版標(biāo)準(zhǔn)學(xué)習(xí)

經(jīng)過(guò)10 多年的發(fā)展,AEC-Q-100 已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。在AEC-Q-100 之后又陸續(xù)制定了針對(duì)離散組件的AEC-Q-101 和針對(duì)被動(dòng)組件的AEC-Q-200 等規(guī)范,以及AEC-Q001/Q002/Q003/Q004 等指導(dǎo)性原則。
2023-11-13 16:16:542760

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301587

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核,同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547

SGS為安芯電子、安美半導(dǎo)體頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書

2024年3月22日, 國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢測(cè)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“安美半導(dǎo)體”)頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:21:552152

SGS為華微電子頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書

近日,國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS(以下簡(jiǎn)稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱為“華微電子”)頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:25:561834

瞻芯電子推出一車規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯電子正式推出一車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562

1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 15:23:450

1200V 25A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 16:59:080

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:11:310

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:14:080

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:16:100

1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 18:02:380

1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 18:05:173

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253

瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證

近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201947

車載SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào),業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關(guān)鍵詞 】 滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101SiC?MOSFET
2024-08-25 23:30:22762

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求,至此公司獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191573

ROHM推出第1200V IGBT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動(dòng)壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用,開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結(jié)構(gòu),并通過(guò)可以控制
2024-11-14 14:59:192867

多芯片組件AEC-Q104規(guī)范

)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)。而AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)為近期較新的汽車電子規(guī)范。AEC測(cè)試條件雖然
2024-11-21 16:41:561792

森國(guó)科推出全新1200V/25A IGBT

森國(guó)科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng),當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的倍時(shí)無(wú)閂鎖效應(yīng),短路時(shí)間極短,僅5μs,最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175℃,有助于延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281123

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)下的分立半導(dǎo)體器件認(rèn)證

電子部件標(biāo)準(zhǔn),其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產(chǎn)商和元器件供應(yīng)商。AECQ101標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)述AECQ101標(biāo)準(zhǔn)是一套針對(duì)汽車離散半導(dǎo)體元件的可靠性測(cè)試和認(rèn)證標(biāo)
2024-12-23 17:29:481190

AEC-Q101——HAST試驗(yàn)介紹

C-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)在汽車行業(yè)中,電子器件的可靠性直接關(guān)系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高,對(duì)電子器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來(lái)越高。AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生
2025-01-09 11:04:301467

新品 | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

新品針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊,采用六單元配置,通過(guò)AQG324認(rèn)證。一個(gè)模塊采用
2025-07-31 17:04:34837

Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141112

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02660

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