恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET
2012-09-26 11:31:26
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恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場(chǎng)上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節(jié)省超過(guò)55%的尺寸面積，從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:543472 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451852 現(xiàn)可提供具備高效開關(guān)和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝 ? 奈梅亨， 2023 年 6 月 21 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower
2023-06-21 09:21:571173 
飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS（on）的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流
2020-02-20 18:56:034115 集微網(wǎng)消息，前段時(shí)間聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體的消息可謂轟動(dòng)一時(shí)，安世半導(dǎo)體目前如封裝等多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域都位于全球前三，預(yù)計(jì)未來(lái)三年所有產(chǎn)品都可以做到銷量銷售額市占率全方位的全球第一。
2020-03-05 15:45:324513 
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263713 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、5.6 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF
2023-02-08 18:42:39
0 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:470 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:001 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、10 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF
2023-02-09 21:55:100 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、6.9 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN7R2-100YSF
2023-02-09 21:55:270 采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.75 mOhm、200 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R7-25YLD
2023-02-16 20:44:510 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、2.09 mΩ、179 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.2 mΩ、230 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLD
2023-02-16 20:45:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.0 mΩ、240 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y6R5-40H
2023-02-20 18:50:590 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.82 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR70-30YLH
2023-02-20 19:23:340 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.7 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR60-25YLH
2023-02-20 19:33:110 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E 中的 N 溝道 25 V、0.57 mΩ、380 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR51-25YLH
2023-02-20 19:33:220 采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.2 mΩ、180 A 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40YSD
2023-02-20 19:34:180 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.3 mΩ、120 A 邏輯電平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN3R2-40YLD
2023-02-20 19:39:220 采用 NextPower-S3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.4 mΩ、240 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R4-40YLD
2023-02-20 19:43:150 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.2 mΩ、250 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-30YLD
2023-02-20 20:08:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLD
2023-02-21 18:34:140 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:530 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:070 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R6-40H
2023-02-21 18:49:250 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:370 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R3-40H
2023-02-21 18:49:560 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:590 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y3R5-40E
2023-02-21 19:27:370 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R5-40H
2023-02-21 19:28:000 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y1R7-40H
2023-02-21 19:28:180 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:280 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:460 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R0-40H
2023-02-21 19:29:010 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y3R0-40E
2023-02-21 19:38:060 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y14-80E
2023-02-21 19:38:420 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y7R2-60E
2023-02-21 19:41:160 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、4.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y4R8-60E
2023-02-21 19:44:580 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y19-100E
2023-02-21 19:45:300 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-60E
2023-02-21 19:45:460 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-100E
2023-02-21 19:46:020 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y7R2-60E
2023-02-21 19:54:181 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:510 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、10 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN010-80YL
2023-02-22 18:50:380 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、13 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60YL
2023-02-22 18:51:070 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、14 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN014-80YL
2023-02-22 18:51:220 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:320 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、25 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN025-80YL
2023-02-22 18:52:160 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.85 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、4.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R1-60YL
2023-02-22 18:53:300 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、5.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R2-60YL
2023-02-22 18:53:440 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、5.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R6-60YL
2023-02-22 18:55:070 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.87 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-30YLD
2023-02-22 18:56:120 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.0 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD
2023-02-22 18:56:460 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、4.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-30YLD
2023-02-23 18:36:320 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、41 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN041-80YL
2023-02-23 18:39:260 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-30YLD
2023-02-23 18:41:281 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-30YLD
2023-02-23 18:41:450 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、6.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-30YLD
2023-02-23 18:42:000 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、3.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R0-30YLD
2023-02-23 18:42:530 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30YLD
2023-02-23 18:43:080 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R4-30YLD
2023-02-23 18:43:240 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-60YL
2023-02-23 18:46:190 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.72 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R7-25YLD
2023-02-23 18:51:320 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
2023-03-03 19:59:430 蘭奈梅亨--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:211443 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:321564 近日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合。NPS4053是本次產(chǎn)品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC
2023-08-18 09:25:071617 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:101797 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:501725 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:111670 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:322728 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:171650 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NextPower 80 V，3.1 mOhm，160 A，N溝道MOSFET LFPAK56包裝產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:42:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LFPAK56中的N溝道40 V，1.3 mΩ邏輯電平MOSFET BUK9Y1R3-40H數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-26 09:25:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道80 V，3.1 mOhm，標(biāo)準(zhǔn)級(jí)MOSFET LFPAK56數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-29 11:15:260 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:312066 Nexperia（安世半導(dǎo)體）將向您展示H橋直流電機(jī)控制電路參考設(shè)計(jì)。 H橋電路是一個(gè)全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器，支持有刷直流電動(dòng)機(jī)（最大電壓48 V、最小電壓12 V、最大電流5 A）運(yùn)行。該控制電路
2024-07-25 11:30:111745 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度
2024-12-12 11:35:134678 安世半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽(yù)。安世半導(dǎo)體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴(kuò)展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導(dǎo)體、IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930 位于中國(guó)東莞的封裝測(cè)試工廠交付晶圓，理由是“當(dāng)?shù)毓芾韺游茨苈男衅涓犊盍x務(wù)”。 在11月2日，安世半導(dǎo)體中國(guó)有限公司發(fā)布公告稱，指控荷蘭安世半導(dǎo)體單方面停止向位于中國(guó)東莞的封裝測(cè)試工廠（ATGD）供應(yīng)晶圓，并表示強(qiáng)烈反對(duì)荷蘭總部抹
2025-11-04 17:10:461904
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