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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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ROHM100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻
近年來,在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng),電源電壓呈提高趨勢。此外,用來冷卻這些設(shè)備的...
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻銳駿半導(dǎo)體 1.3k 0
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和功率密度
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%,降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗,從而實現(xiàn)更高功率密度。
納芯微升級電流傳感器NSM201x-P系列,性能卓越賦能多領(lǐng)域
納芯微公司近期推出了NSM201x-P系列電流傳感器,該系列是對已量產(chǎn)的NSM201x系列的全面升級與補(bǔ)充?;谏詈竦募夹g(shù)積累,NSM201x-P系列在...
辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域,MOSFET的導(dǎo)通損耗與動態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),...
Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術(shù)的12V和30V MOSFET具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? ...
Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET,導(dǎo)通電阻比其前代器件低29%
Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級功率轉(zhuǎn)換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOS管助力米充氣寶高效節(jié)能
? ? 家人們,一到冬天,路面那叫一個滑,要是汽車胎壓還不足,打滑風(fēng)險直接拉滿!有時候著急出門,根本沒時間開車去找地兒充氣,這可咋整?別慌,這時候一個靠...
在電力設(shè)備的長時間運(yùn)行過程中,連接處有可能因受潮等因素影響,出現(xiàn)節(jié)點銹蝕、甚至斷裂等現(xiàn)象,導(dǎo)致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點電阻增大,從而不能滿足電力規(guī)程的...
在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、新能源等電子設(shè)備中,MOS單管是決定電路效率、可靠性與成本的核心器件。不少工程師因參數(shù)選型不當(dāng)導(dǎo)致器件燒毀、電路失效,采購也常因看...
2026-01-21 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 1.1k 0
Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 T...
Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低記錄
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---...
TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān) 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān),其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m...
英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產(chǎn)品系列
SSR是各種電子設(shè)備的基本配置,如果能夠?qū)鞲衅骱统Y(jié) MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
Vishay推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 ...
意法半導(dǎo)體簡化SiC逆變器設(shè)計,發(fā)布兩款電源模塊
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
2022-09-14 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻意法半導(dǎo)體電源模塊 900 0
碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5-10倍,續(xù)航里程提高8%以上,能耗降低50%,優(yōu)異的性能讓其成為新能源汽車所需的關(guān)鍵元器件。
100V N溝道功率MOSFET SMT10T07ALU簡介
SMT10T07ALU 是一款高性能 100V N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252-3L 封裝形式,憑借低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(FoM)及...
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