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III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測系統(tǒng)、光電探測器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池的制造...
GRAEFF為廣大行業(yè)客戶提供完整的壓力和溫度測量系統(tǒng)解決方案
為期3天的共混智造展會(huì)于9月15日完美收官!展會(huì)上討論了共混行業(yè)在多品種、小批量混合生產(chǎn)條件下,如何探索高質(zhì)量、高效率、低消耗的生產(chǎn)方式;共混企業(yè)制造升...
2023-09-19 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)工藝溫度測量系統(tǒng) 1.1k 0
在圖形轉(zhuǎn)移工藝時(shí)檢測板上余膠的方法 在圖形轉(zhuǎn)移工藝時(shí)如何檢測板上的余膠?方法有二: 方法一、將板放入1%甲基紫酒精水溶液或1-2%
2010-03-11 標(biāo)簽:工藝 1.1k 0
介質(zhì)流體工藝狀況對質(zhì)量流量計(jì)的影響
通過對質(zhì)量流量計(jì)使用過程中出現(xiàn)的故障進(jìn)行處理、分析和總結(jié)后,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量流量計(jì)不能正常工作的原因大部分是受安裝不規(guī)范和介質(zhì)流體工藝狀況的影響,日常檢定拆卸回...
2022-04-20 標(biāo)簽:傳感器工藝質(zhì)量流量計(jì) 1.1k 0
用拉伸工藝可以制成圓筒形、矩形、階梯形、球形、錐形、拋物線形及其他不規(guī)則形狀的薄壁零件,如果與其他沖壓成形工藝配合,還可制造形狀更為復(fù)雜的零件。
美國政府為了限制大陸獲得先進(jìn)工藝的能力,出臺(tái)了廣泛的限制措施。但中國花費(fèi)數(shù)十億美元的制造過程中成熟的投入,因此,了解內(nèi)幕的人士認(rèn)為,美國再次擔(dān)心中國的潛...
我國機(jī)器人企業(yè)傾向于采取“自研+收購”的模式,一方面加大研發(fā)投入,另一方面收購上下游企業(yè),以求加快追趕進(jìn)度。但是,工業(yè)機(jī)器人核心零部件對設(shè)備投入要求高、...
新思科技與三星深化合作加速AI和Multi-Die設(shè)計(jì)
新思科技近日宣布,正與三星代工廠持續(xù)緊密合作,為先進(jìn)邊緣AI、HPC和AI應(yīng)用的下一代設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大支持。雙方合作助力共同客戶實(shí)現(xiàn)復(fù)雜設(shè)計(jì)的成功流片,并縮...
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗,表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔,導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻...
據(jù)外媒報(bào)道,德國聯(lián)邦教育和科技部(Federal Ministry of Education and Research)為HyBriLight提供了項(xiàng)目...
為了提供更好的用戶體驗(yàn),包括高質(zhì)量的視頻傳輸、更新的筆記本電腦(例如最新的 AI PC)和其他前沿設(shè)備,都需要 5 納米及以下的先進(jìn)節(jié)點(diǎn) SoC,以達(dá)成...
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(D...
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性,最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS...
在各工藝段各種介質(zhì)到底選擇哪種流量儀表來實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化的測量就是今天所面臨的問題。其主要問題有以下四類,即“兩個(gè)復(fù)雜兩個(gè)問題”。
IC工藝技術(shù)問題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取...
2009-08-27 標(biāo)簽:工藝 1.1k 0
光排管暖氣片漆膜表面應(yīng)光滑、平整、均勻,不得有氣泡、堆積、流淌和漏噴;底漆厚度不得小于15μm,漆膜厚度不得小于60μm;漆膜附著力應(yīng)達(dá)到GB/T172...
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