本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。

光掩模是涂有金屬層的透明陶瓷襯底，該金屬層形成電子電路的圖案。在集成電路的制造過程中，薄膜通常用于密封光掩模使其免受顆粒污染，從而隔離和保護(hù)光掩模表面免受來自光掩模圖案焦平面的灰塵或其他顆粒的影響。為了以高成品率生產(chǎn)功能性集成電路，光掩模和薄膜需要無污染。光掩模的污染可能發(fā)生在光掩模本身的制造過程中，也可能發(fā)生在光掩模的使用過程中集成電路制造過程中的光掩模，特別是光掩模加工和/或處理過程中的光掩模40。一種類型的污染是光掩模表面的有機(jī)/分子污染。光掩模表面上的有機(jī)/分子污染物，例如化學(xué)污漬或殘留物，降低并降低了透射率特性45和/或光掩模的特性，最終影響被制造的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。

光刻過程中影響集成電路質(zhì)量的另一種污染是微粒污染。顆粒污染物可以包括任何小顆粒，例如灰塵顆粒，它們可以在光掩模上或者夾在光掩模和薄膜之間。

光刻過程中投射的是從光掩模表面剝離光刻膠。類似于集成電路器件的制造，在光掩模的制造過程中，光致抗蝕劑被施加到光掩模的表面，并且光和/或紫外線輻射以期望的電路圖案被施加到光掩模表面。

在光掩模制造過程中和作為集成電路維護(hù)的一部分，光掩模的制作和清潔10個(gè)晶圓廠。常規(guī)方法使用硫酸和過氧化氫的高溫混合物(“SPM”)來在第二步中剝離光致抗蝕劑和濃縮的氫氧化銨/過氧化氫(“APM”)的高溫混合物，以進(jìn)一步清潔光掩模。

目前，光致抗蝕劑清洗過程通常在單個(gè)掩模噴霧清潔器工具上完成。目前的清潔技術(shù)包括噴涂/刷洗清潔，這種清潔使用混合的SPM，然后是氨清潔。現(xiàn)有技術(shù)工藝的問題在于，它們經(jīng)常遭受不良的化學(xué)混合或非常差的沖洗，導(dǎo)致表面上的高硫含量，這由于霧度而對隨后的掩模制造或照相工藝產(chǎn)生負(fù)面影響。

因此，本次的目的是提供一種用于光致抗蝕劑剝離和/或光掩模清洗的方法和系統(tǒng)，該系統(tǒng)在集成電路制造過程中增加了器件產(chǎn)量、減少光掩模上的缺陷和/或污染。也增加了光掩模的壽命。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，當(dāng)應(yīng)用于光掩模時(shí)，自組裝膜基本上沒有氣泡。無氣泡SOM的使用增強(qiáng)了兆聲聲學(xué)傳輸，并導(dǎo)致污染物去除的改善。該系統(tǒng)還可以包括向光掩模提供臭氧化去離子水(DIO)的裝置和在低于30℃的溫度下向光掩模提供氫氧化銨和過氧化氫的稀水溶液的裝置。可配備一個(gè)在線冷卻器，以確保dAPM得到充分冷卻。還可以包括向光掩模供應(yīng)干燥流體的裝置。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的適于剝離和/或清潔光掩模的濕式工作臺系統(tǒng)的示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的適于剝離和/或清潔光掩模的單晶片系統(tǒng)的示意圖。

圖3是一對照片，比較了根據(jù)本發(fā)明在清潔之前和清潔之后光掩模上的污染。

圖4是顯示二元光掩模清潔粒子50的曲線圖,光掩模的暗區(qū)域和亮區(qū)域的結(jié)果。圖5是顯示an的清潔。

結(jié)果的曲線圖

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有100%暗區(qū)的EAPSM掩模。
審核編輯：湯梓紅