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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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半導(dǎo)體工藝是當(dāng)今世界中不可或缺的一項(xiàng)技術(shù),它影響著我們生活的各個(gè)方面。它的重要性源于其能夠制造出微小而精密的電子器件,這些器件能夠在電子級(jí)別控制電流和信...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中...
這張圖肯定是6晶體管Tilden H橋電路;雖然不像最初的“基本H橋”那么古老,但它可以“回歸”,并將成為許多BEAM驅(qū)動(dòng)器電路的基礎(chǔ)。
2022-06-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器晶體管H橋電路 2.9k 0
自動(dòng)應(yīng)急燈電路/12V供電的電子節(jié)能燈電路設(shè)計(jì)
本例介紹的自動(dòng)應(yīng)急燈,在白天或夜晚有燈光時(shí)不工作,當(dāng)夜晚關(guān)燈后或停電時(shí)能自動(dòng)點(diǎn)亮,延時(shí)一段時(shí)間后能自動(dòng)熄滅。
2023-07-11 標(biāo)簽:三極管元器件電路設(shè)計(jì) 2.9k 0
眾所周知,大多數(shù)直流電源包括一個(gè)大而重的降壓電源變壓器、整流二極管(全波或半波)和一個(gè)濾波電路,用于從整流后的直流中去除任何紋波,以產(chǎn)生適當(dāng)平滑的直流輸出電壓。
2022-09-15 標(biāo)簽:開關(guān)穩(wěn)壓器晶體管直流電源 2.9k 0
基于LM317的直流穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)
基于“外部旁路晶體管擴(kuò)流”原理,以線性集成穩(wěn)壓芯片為核心,設(shè)計(jì)一能夠輸出大電流的直流穩(wěn)壓電路。假設(shè)該穩(wěn)壓電路輸入電壓為30V,輸出電壓為24V,負(fù)載電阻...
2023-07-26 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計(jì)lm317 2.9k 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)
P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2.9k 0
這個(gè) 4W 音頻放大器電路由 2 個(gè)晶體管 TIP41 供電。該電路非常簡單,并包含達(dá)林頓輸出晶體管,可提供比驅(qū)動(dòng) 3 歐姆揚(yáng)聲器所需的足夠多的輸出電流。
晶體管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)是指在沒有輸入信號(hào)時(shí)(即直流條件下),晶體管的集電極電壓和集電極電流的值。靜態(tài)工作點(diǎn)可以用來描述晶體管的偏置狀態(tài),通常使用直流...
C類功率放大器與A類和B類功率放大器的不同之處: 工作原理: A類功率放大器:在輸入信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi),晶體管始終處于導(dǎo)通狀態(tài),輸出信號(hào)與輸入信號(hào)相同,但...
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí),以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
簡單認(rèn)識(shí)功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開關(guān)速度快,并且具有負(fù)溫度系數(shù)(溫度上升時(shí)電流減少),因此被認(rèn)為是一種理...
2024-01-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2.9k 0
集成芯片,也稱為集成電路,是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件之一。它是將多個(gè)電子元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一塊微型基片上,通過特定的工藝和技術(shù),形成具有...
推挽放大器(Push-Pull Amplifier)是一種特殊的放大器設(shè)計(jì),它利用兩個(gè)互補(bǔ)的晶體管或功率管來放大和輸出信號(hào)。推挽放大器在音頻放大器、射頻...
外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過程: 外延片是通過在單晶硅片上生長一層或多層半導(dǎo)體材料來制造...
2024-07-12 標(biāo)簽:集成電路晶體管半導(dǎo)體制程 2.9k 0
電力場效應(yīng)管,又稱電力場效應(yīng)晶體管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),是一種基于電場效應(yīng)來調(diào)控電流的...
2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管晶體管 2.9k 0
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