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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達(dá)100GHz以上。
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**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
ic和集成電路需要什么 ic設(shè)計和芯片設(shè)計區(qū)別
IC是指集成電路(Integrated Circuit),它是由多個電子器件(如晶體管、電阻、電容等)和電路組件集成在一個芯片中的微小電子元件。
而臺積電在堅持了 20nm 和 16nm 兩代之后,也主動回到了 10nm 的正軌。原因非常簡單,因為 NAND 顆粒并不是制程越小性能越好,20nm ...
用于OFF晶體管的時間差。toff比用于ON的時間ton要長,而且根據(jù)驅(qū)動基極的條件變化很大,這在高速開關(guān)電路中必需注意。
2023-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電路晶體管開關(guān)二極管 2.8k 0
標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V,就不能使用它們。壓差為幾百個毫伏的低壓降 (Low Dropout...
在射頻功率放大器中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的選擇對于實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率放大至關(guān)重要。雖然射頻功率放大器的設(shè)計可能涉及多種不同類型...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2.8k 0
三極管和場效應(yīng)管實現(xiàn)信號放大的具體原理
信號放大電路可以說是最常見的信號調(diào)理電路之一了,絕大多數(shù)信號放大電路的核心都是晶體管,晶體管又分為三極管和場效應(yīng)管,那么,它們是如何實現(xiàn)信號放大的呢...
2023-11-07 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管晶體管 2.8k 0
調(diào)諧放大器的工作原理和技術(shù)指標(biāo)
調(diào)諧放大器作為電子技術(shù)領(lǐng)域中的一種重要器件,以其獨特的選擇性放大功能在通信、雷達(dá)、廣播電視等領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文旨在深入解析調(diào)諧放大器的工作原...
2024-05-28 標(biāo)簽:晶體管調(diào)諧放大器 2.8k 0
在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個...
英特爾工藝技術(shù)在走下坡路?工藝技術(shù)比許多技術(shù)要復(fù)雜得多
鑒于摩爾定律是指數(shù)趨勢,那就意味著即使僅一步也可以帶來巨大的競爭優(yōu)勢。例如,對于游戲玩家來說,性能提高2倍的GPU可能意味著獲得60fps而不是30fps。
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