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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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FPGA設(shè)計(jì)關(guān)于功耗專業(yè)的術(shù)語(yǔ)解析
總的片上功耗 Total On-Chip Power: 總的片上功耗是器件內(nèi)部的功耗,等同于器件的靜態(tài)功耗加上設(shè)計(jì)功耗,也稱為熱功耗。
高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對(duì)溝道遷移率的影響
器件溝道長(zhǎng)度為1μm,HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm;SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm;P襯底摻雜濃度4E15cm^-3;柵電極為鋁金屬。
金剛石基GaN問(wèn)世 化合物半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入第三波材料技術(shù)浪潮
材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...
2023-07-19 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1.6k 0
SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率
初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...
飛虹半導(dǎo)體FHP160N06V場(chǎng)效應(yīng)管的產(chǎn)品特點(diǎn)
Trench工藝通過(guò)其深且窄的溝槽結(jié)構(gòu)、高精度刻蝕與填充、垂直結(jié)構(gòu)集成、兼容性強(qiáng)等特點(diǎn),能夠滿足大多數(shù)電子設(shè)備對(duì)高性能、高密度和高可靠性的需求,廣泛應(yīng)用...
LM723系列 150 mA 可調(diào)輸出線性穩(wěn)壓器 / LDO數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM723/LM723C 是一款穩(wěn)壓器,主要設(shè)計(jì)用于串聯(lián)穩(wěn)壓器應(yīng)用。它本身將提供高達(dá) 150 mA 的輸出電流;但可以添加外部晶體管以提供任何所需的負(fù)載...
闡述量子信息技術(shù)的研究現(xiàn)狀與未來(lái)
20世紀(jì) 80 年代, 科學(xué)家將量子力學(xué)應(yīng)用到信息領(lǐng)域, 從而誕生了量子信息技術(shù), 諸如量子計(jì)算機(jī)、量子密碼、量子傳感等. 這些技術(shù)的運(yùn)行規(guī)律遵從量子力...
電流I大,這個(gè)和cell的選?。?qū)動(dòng)能力,Vt類型)以及設(shè)計(jì)(翻轉(zhuǎn)率,是否同時(shí)翻轉(zhuǎn)等)相關(guān);
2023-07-05 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)反相器晶體管 1.6k 0
功率損耗是功率放大器驅(qū)動(dòng)噴墨打印頭設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵考慮因素嗎?
當(dāng)今“按需滴墨”的工業(yè)噴墨打印頭使用由功率放大器驅(qū)動(dòng)的壓電電路。放大器將打印機(jī)頭“視為”極其動(dòng)態(tài)的容性負(fù)載。
Beyne 說(shuō),由此產(chǎn)生的壓降讓芯片設(shè)計(jì)師越來(lái)越頭疼?!半娫幢仨毻ㄟ^(guò)意大利面條網(wǎng)絡(luò)連接到晶體管。由于高壓降,晶體管上的 0.7 伏不再是 0.7 伏。電阻太高。
做過(guò)封裝設(shè)計(jì),做過(guò)PCB板級(jí)的設(shè)計(jì),之前和網(wǎng)友有過(guò)交流,問(wèn)題是:為什么要封裝設(shè)計(jì)?信號(hào)完整性體系從大的方面來(lái)看:芯片級(jí)->封裝級(jí)->板級(jí)。
不同液位開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)及技術(shù)指標(biāo)一覽
浮球開(kāi)關(guān)不含導(dǎo)致故障發(fā)生和波紋管、彈簧、密封等部件。而是采用直浮子驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)內(nèi)部磁鐵,浮球開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)捷的杠桿使開(kāi)關(guān)瞬間動(dòng)作。
2024-02-21 標(biāo)簽:傳感器控制器過(guò)壓保護(hù) 1.6k 0
該開(kāi)關(guān)配備了兩個(gè)可選擇的時(shí)間范圍,可通過(guò)按鈕進(jìn)行更改。在原型中,這些時(shí)間間隔設(shè)置為 5 分鐘和 20 分鐘,但自定義非常簡(jiǎn)單。一個(gè)獨(dú)特的功能是能夠通過(guò)連...
2023-12-04 標(biāo)簽:電容器繼電器開(kāi)關(guān)電路 1.6k 0
比較兩種并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方式對(duì)功率回路耦合特性分析
作為一種電壓控制型器件,絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)由于其通態(tài)壓降低、開(kāi)關(guān)速度高...
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過(guò)程中,硅原子伸展到與SI/Ge原子對(duì)齊,使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻,可以使電子移動(dòng)的速度快了70...
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