溝道有效遷移率（μeff）是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技術(shù)如何準(zhǔn)確提取遷移率，克服這些挑戰(zhàn)。
2025-05-19 14:28:33
1527 
溝道有效遷移率 (μeff) 通過載流子速度和驅(qū)動(dòng)電流影響MOSFET性能。它是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)之一 (CMOS) 技術(shù)。 隨著新型介電材料的出現(xiàn)，傳統(tǒng)的遷移率評(píng)估測(cè)量技術(shù)遇到了下一節(jié)中描述的許多問題，導(dǎo)致測(cè)量誤差較大，因此需要一種新的遷移率提取技術(shù)。
2025-11-17 13:58:473040 
和溝道的摻雜濃度也不斷增加外，柵氧化層（Gate oxide）的厚度也在不斷降低，從而提高柵電極電容，達(dá)到提高柵對(duì)溝道的控制能力，同時(shí)調(diào)節(jié)閾值電壓。柵氧化層的厚度是隨著柵極長(zhǎng)度的減小而近似線性降低的，每
2024-01-19 10:01:4330819 
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達(dá) 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed 的 CGHV1F006 是無與倫比的；專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L(zhǎng)；; C; X 和 Ku 波段
2021-09-17 19:58:10
`Wolfspeed的CGHV1J025D是一種碳化硅襯底上的高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），采用0.25μm的柵長(zhǎng)制造工藝。這種SiC上的GaN產(chǎn)品具有出色的高頻，高效率特性
2021-04-20 11:04:52
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射頻微波技術(shù) 于 2021-4-8 09:15 編輯
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
`描述FHX35X是旨在用于高電子遷移率晶體管（HEMT）的產(chǎn)品通用的低噪聲和高增益放大器2-18GHz頻率范圍。 該設(shè)備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。Eudyna嚴(yán)格
2021-02-26 11:59:02
`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用，低噪聲和高增益放大器。該設(shè)備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。住友電工嚴(yán)格
2021-03-30 11:21:24
溝道效應(yīng)中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進(jìn)一步發(fā)展的主要因素，盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑制短溝道效應(yīng)，然而高摻雜的溝道會(huì)增大庫倫散射，使載流子遷移率下降，導(dǎo)致器件的速度降低，所以僅僅依靠縮小
2018-09-06 20:50:07
粗糙散射在SiC反型層中起主要作用;反之，溝道散射以庫侖散射為主，此時(shí)高密度的界面態(tài)電荷將成為降低溝道遷移率的主要因素。 4.總結(jié)通過學(xué)習(xí)這兩款新型的功率器件，不僅在設(shè)計(jì)上，更取得了實(shí)質(zhì)性的效果。來源
2017-06-16 10:37:22
什么是遷移率μ？載流子遷移率的測(cè)量方法有哪幾種？
2021-04-09 06:45:53
=CVdd/Ion）增加或者器件的開關(guān)速度減小。由于InAs和GaAs的電子遷移率高于Si的電子遷移率，Ge和InSb的空穴遷移率高于Si的空穴遷移率，如果選用上述高遷移率的材料作為器件的溝道材料可以緩解
2018-10-19 11:08:33
CGHV1F006 是無與倫比的；專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L(zhǎng)；小號(hào)；C; X 和 Ku 波段放大器應(yīng)用。數(shù)據(jù)表規(guī)格
2022-05-18 10:42:07
Cree 的 CGH40006P 是無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 該CGH40006P，運(yùn)行來自 28 伏電源軌，提供通用寬帶解決方案到各種射頻和微波
2022-05-18 14:14:48
CGH40006P 是無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 該CGH40006P，運(yùn)行來自 28 伏電源軌，提供通用寬帶解決方案到各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2022-05-18 14:16:49
CGH60008D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的熱導(dǎo)率。與 Si
2022-05-18 15:08:59
CGH40010 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT
2022-05-19 10:34:14
CGH40010 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40010；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT
2022-05-19 10:36:45
CGH27015 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27015 成為 VHF 的理想選擇；通訊；3G；4G；長(zhǎng)期演進(jìn)；2.3
2022-05-20 09:29:43
CGH27015 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH27015 成為 VHF 的理想選擇；通訊；3G；4G；長(zhǎng)期演進(jìn)；2.3
2022-05-20 09:35:48
CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3-GHz WCDMA
2022-05-25 10:13:50
CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3-GHz WCDMA
2022-05-25 10:16:06
CGH35015 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管，專為 802.16-2004 WiMAX 固定接入應(yīng)用而設(shè)計(jì)。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力；這使
2022-05-30 10:20:15
CGH35060P2 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高效率而設(shè)計(jì)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH35060P2 非常適合 3.1 – 3.5-GHz；S波段
2022-05-30 11:03:41
CGH35240F 是一款專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH35240F 非常適合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷達(dá)放大器
2022-05-30 11:12:32
CGH40045 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40045；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT
2022-06-09 11:33:44
CGH40045 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40045；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT
2022-06-09 11:39:30
CGH40090PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40090PP；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN
2022-06-10 14:40:35
CGH40120 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40120；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT
2022-06-13 10:22:02
CGH40180PP 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40180PP；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN
2022-06-14 10:58:02
Wolfspeed 的 CGH55030F2/CGH55030P2 是專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH55030F2
2022-06-15 10:43:33
CGHV14500 是一款專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14500 非常適合 1.2 – 1.4GHz L 波段雷達(dá)放大器
2022-06-15 11:12:13
CGHV14800 是一款專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV14800 非常適合 1.2 – 1.4-GHz L 波段雷達(dá)放大器
2022-06-15 11:31:34
CGHV27030S 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，提供高效率；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常適合頻率為 700-960
2022-06-15 11:50:12
CGH60015D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的熱導(dǎo)率。與 Si
2022-06-16 09:09:56
CGHV27015S 是無與倫比的；專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV27015S 成為 LTE 的理想選擇；4G 電信
2022-06-16 11:20:16
CGHV27060MP 是一個(gè) 60-W 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，封裝在一個(gè)小型封裝中；塑料 SMT 封裝 4.4 毫米 x 6.5 毫米。晶體管是一種寬帶器件，沒有
2022-06-16 11:39:12
CGHV35150 是一款專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5GHz S 波段雷達(dá)放大器
2022-06-16 16:39:33
CGHV35060MP 是一款 60W 輸入匹配；針對(duì) S 波段性能進(jìn)行了優(yōu)化的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7 至 3.1 GHz
2022-06-16 17:11:06
CGHV35120F 是專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益; 和寬帶寬能力；這使得 CGHV35120F 非常適合 2.9 – 3.8 GHz 雷達(dá)放大器
2022-06-20 11:28:40
CGHV37400F 是專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷達(dá)放大器
2022-06-22 10:13:50
CGHV40030 是無與倫比的；專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L(zhǎng)；S 和 C 波段放大器應(yīng)用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 0.96
2022-06-22 10:58:47
CGHV40030 是無與倫比的；專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L(zhǎng)；S 和 C 波段放大器應(yīng)用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 0.96
2022-06-22 11:01:14
CGHV40050 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN
2022-06-23 09:16:15
CGHV50200F 是一款專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對(duì)流散射通信的理想選擇；4.4
2022-06-27 09:17:27
CGHV50200F 是一款專為高效設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對(duì)流散射通信的理想選擇；4.4
2022-06-27 09:19:25
CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN
2022-06-27 14:09:43
CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN
2022-06-27 14:11:15
CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN
2022-06-27 14:13:07
CGHV60170D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的熱導(dǎo)率。與 Si
2022-06-27 14:54:41
CGHV96050F2 是碳化硅 (SiC) 襯底上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN
2022-06-27 16:09:25
CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN
2022-06-27 16:24:32
CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-27 16:37:17
CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-27 16:41:13
描述GTVA101K4 是一款專為高效設(shè)計(jì)的 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段
2022-07-11 14:40:10
Qorvo 的 QPD0006 是一種單路徑高電子遷移率晶體管 (HEMT)，工作頻率范圍為 2.5 至 5 GHz。它提供 13.5 W (~41.3 dBm) 的輸出功率，增益為 16 dB，漏
2022-10-12 11:50:48
CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12:54
FHX04X型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設(shè)備非常適合電信
2023-12-15 10:01:25
FHX06X型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一種高電子遷移率晶體管（HEMT）用于通用、低噪聲和高增益放大器在2到18GHz的頻率范圍內(nèi)。這些設(shè)備非常適合電信
2023-12-15 10:12:14
摘要t傳統(tǒng)的柵介質(zhì)材料Si02不能滿足CMOS晶體管尺度進(jìn)一步縮小的要求，因此高介電柵介質(zhì)材料在近幾年得到了廣泛的研究，進(jìn)展迅速．本文綜述了國內(nèi)外對(duì)高介電材料的研究成果
2010-11-11 15:46:06
0 載流子遷移率測(cè)量方法總結(jié)
0 引言 遷移率是衡量半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的重要參數(shù)，它決定半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率，影響器件的工作速度。已有很多文章對(duì)載流子遷
2009-11-03 10:44:5117970 
CRE的CGH09120是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力，這使得CGH09120理想的MC-GSM，WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。晶體管提供在陶瓷/金屬法蘭封裝中。
2018-08-14 08:00:0016 英國斯旺西大學(xué)和塞爾維亞尼斯大學(xué)的研究人員聲稱他們首次制造出氮化鎵（GaN）磁性高電子遷移率晶體管（MagHEMT）。
2018-09-23 10:45:004416 是當(dāng)時(shí)當(dāng)時(shí)最快的晶體管，但Mimura和其他工程師希望通過增強(qiáng)電子遷移率（使電子能夠快速移動(dòng)通過半導(dǎo)體材料）來使其變得更快。
2019-12-28 09:37:196020 和低界面態(tài)柵介質(zhì)層材料，研究與調(diào)控材料界面和表面，最終研制出具有高載流子遷移率和高阻斷電壓的碳化硅 IGBT器件。
2020-01-23 17:05:006786 應(yīng)用在高電子遷移率晶體管（HEMT）中，而本周主要介紹的是GaN基HEMT中存在的電流崩塌現(xiàn)象。HEMT主要是以2DEG為導(dǎo)電溝道中的電流載體，通過改變柵電極偏置電壓控制溝道中2DEG的通斷，實(shí)現(xiàn)對(duì)HEMT電流的調(diào)制。由于2DEG中電子基本不受雜質(zhì)散射的影響，溝道中的電子遷移率較高
2020-09-21 16:35:442843 
不同于目前廣泛研究的石墨烯，過渡金屬硫化物，黑磷等二維材料，二維Bi2O2Se的低聲子群速度和強(qiáng)聲子非諧散射使其具有極低的熱導(dǎo)率(~0.92 W/mK APL 115, 193103 (2019))，同時(shí)兼具的高電子遷移率和良好的環(huán)境穩(wěn)定性使得其在熱電以及能源轉(zhuǎn)化領(lǐng)域有著巨大的潛力。
2021-01-15 09:42:334841 
? 晶體中的缺陷結(jié)構(gòu)會(huì)通過影響散射聲子影響聲子譜，導(dǎo)致材料的熱力學(xué)、傳熱性質(zhì)變化，為了精確的表征缺陷對(duì)固體中導(dǎo)熱、熱擴(kuò)散的影響，理解聲子-缺陷之間的相互作用非常重要。聲子-缺陷關(guān)系的理論研究比較
2021-02-13 16:44:003627 采用反應(yīng)磁控濺射方法和濕氮退火工藝在Ge襯底上分別制備了HfO2和HfTiO高介電常數(shù)（k）柵介質(zhì)薄膜。電特性測(cè)量表明，HfTiO樣品由于Ti元素的引入有效提高了柵介質(zhì)的介電常數(shù)，減小了等效氧化物
2021-03-29 10:24:5427 HEMT（High Electron Mobility Transistor），高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，又稱為調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）、二維電子氣場(chǎng)效應(yīng)晶體管（2-DEGFET）、選擇摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管 (SDHT)等.
2022-05-09 10:30:125778 然而，將高遷移率二維半導(dǎo)體與高介電常數(shù)的柵介質(zhì)有效集成并極限微縮是電子學(xué)領(lǐng)域的一個(gè)重要挑戰(zhàn)。目前，商用硅基集成電路中所用的柵介質(zhì)為原子層沉積法（ALD）制備的氧化鉿（HfO2）
2022-09-26 10:04:422894 目前，高K柵介質(zhì)與金屬柵極技術(shù)已廣泛應(yīng)用于 28mmn 以下高性能產(chǎn)品的制造，它在相同功耗情況下可以使集成電路的性能大幅度提高，泄漏電流大幅下降。
2022-11-18 11:13:4615725 高k介質(zhì)（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金屬柵(如TiN、TiAl、Al 或W等）模塊便成為 32nm/28nmn 和更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的標(biāo)準(zhǔn)配備
2023-01-11 09:53:5813610 地傳導(dǎo)電子。2DEG具有高導(dǎo)電性，部分原因是由于電子被困在界面處的非常細(xì)小的區(qū)域，從而將電子的遷移率從未施加應(yīng)力前約1000 平方厘米/ V·s，增加到2DEG區(qū)域中的1500至2000 平方厘米 / V·s。
2023-02-10 11:05:175998 
前言 載流子輸運(yùn)就是求電流密度相關(guān)。目錄 前言 平均自由時(shí)間 & 散射概率 平均自由時(shí)間 & 遷移率 平均自由時(shí)間 & 電導(dǎo)率 遷移率-溫度關(guān)系 電阻率-溫度關(guān)系 輕摻雜時(shí) 1 016? 1 018
2023-02-27 10:34:560 摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項(xiàng)研究中，二維
2023-05-25 16:11:292307 
半導(dǎo)體材料wafer、光伏硅片的電阻率非接觸式測(cè)量、霍爾遷移率測(cè)試儀
2023-06-15 14:12:102851 
8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-03-05 10:43:22963 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:37:001561 8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)
2022-03-03 09:46:191019 8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往
2022-03-04 10:19:46907 Cree 的 CGHV1F006S 是一種無與倫比的氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 專為高效率、高增益和寬而設(shè)計(jì)帶寬功能。該器件可部署為 L、S、C、X 和 Ku 波段放大器
2023-07-28 17:47:260 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:253532 據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
2024-03-13 10:51:342033 
和溝道的摻雜濃度也不斷增加外，柵氧化層的厚度也不斷降低，從而提高柵電極電容，達(dá)到提高柵對(duì)溝道的控制能力，同時(shí)調(diào)節(jié)閾值電壓。柵氧化層的厚度是隨著溝道長(zhǎng)度的減小而近似線性降低的，每一代大概是前一代的0.7倍左右，從而獲得足夠的柵控能力。另外，隨著柵氧化層厚度的不斷降低，MOS 管的驅(qū)動(dòng)能力也會(huì)相應(yīng)提高。
2024-08-02 15:37:333768 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-04 11:27:591 陷阱等缺陷捕獲，導(dǎo)致溝道內(nèi)有效載流子數(shù)目大幅減少。此外，部分陷阱在俘獲電子之后會(huì)變成帶電中心，致使溝道表面的庫侖散射效應(yīng)加劇，溝道遷移率會(huì)進(jìn)一步下降。
2024-10-16 11:29:502570 
在半導(dǎo)體中，除了能帶寬度外，一個(gè)重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中，我們將研究霍爾效應(yīng)，這使我們能夠?qū)嶒?yàn)性地確定半導(dǎo)體中的這一物理量。電荷載流子遷移率在本篇文章中，我們將采用
2024-10-21 12:00:243164 
和更大跨導(dǎo)的短溝道場(chǎng)效應(yīng)器件。一般可以通過增加溝道摻雜濃度來實(shí)現(xiàn)。由于溝道區(qū)是對(duì)體半導(dǎo)體材料的摻雜而形成的，多數(shù)載流子與電離的雜質(zhì)共同存在。多數(shù)載流子受電離雜質(zhì)散射，從而使載流子遷移率減小，器件性能降低。
2025-05-15 17:43:47919 
在高k金屬柵之外，另一種等效擴(kuò)充的方法是增加通過器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高器件載流子遷移率的手段及其對(duì) PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19:561170 
氧化物半導(dǎo)體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)遷移率（μFE）的測(cè)量常因寄生電阻（Rs/d
2025-09-29 13:03:43950 
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