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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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01 晶閘管的結(jié)構(gòu)和功能模型 1.1 晶閘管的結(jié)構(gòu) 如下圖:a)晶閘管元件符號(hào),b)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),c)等效電路 晶閘管整個(gè)器件由四層三個(gè)pn結(jié)組成。p型參...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的G極(柵極...
從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
恒壓源與恒流源時(shí)電路中一類十分重要的組成部分,在實(shí)際應(yīng)用中可以利用運(yùn)算放大器,場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管等來(lái)設(shè)計(jì)恒流源或者恒壓源電路。
2023-11-21 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電路設(shè)計(jì)晶體管 6.7k 0
IGBT的開關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時(shí)間??焖俚拈_關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過(guò)快的開關(guān)速度可能會(huì)增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...
但隨著技術(shù)迭代,晶體管尺寸持續(xù)縮減,電阻電容(RC)延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點(diǎn),銅開始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁,同時(shí)采...
深度探討GaN器件驅(qū)動(dòng)電路并聯(lián)晶體管設(shè)計(jì)方案
在柵極關(guān)斷時(shí),CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS,以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值,從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的
歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的愛好者們?cè)俣裙馀R,閱讀“了解MOSFET產(chǎn)品說(shuō)明書”博客系列的第四部分!今天,筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在...
晶體管開關(guān)時(shí)間的測(cè)量可以通過(guò)使用一個(gè)時(shí)間計(jì)數(shù)器來(lái)實(shí)現(xiàn),可以通過(guò)設(shè)置一個(gè)起始時(shí)間和一個(gè)結(jié)束時(shí)間,然后計(jì)算兩者之間的時(shí)間差來(lái)測(cè)量晶體管的開關(guān)時(shí)間。
2023-02-24 標(biāo)簽:計(jì)數(shù)器晶體管晶體三極管 6.7k 0
雖然“電機(jī)的種類”這幾個(gè)字說(shuō)起來(lái)簡(jiǎn)單,但隨著技術(shù)的發(fā)展,電機(jī)已經(jīng)變得越來(lái)越多樣化,因此分類方法也呈現(xiàn)多樣化趨勢(shì),可以根據(jù)電源種類、產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩的原理、電機(jī)結(jié)...
PLC簡(jiǎn)單案例講解——機(jī)器人周邊設(shè)備控制
一個(gè)包絡(luò)由多段組成,每一段包含一個(gè)達(dá)到目標(biāo)速度的加減速過(guò)程,和以目標(biāo)速度勻速運(yùn)行的一串指定數(shù)量的脈沖。如果是單段運(yùn)動(dòng)控制或者是多段運(yùn)動(dòng)控制的最后一段,還...
在反饋電路的分析中,如果前向放大倍數(shù)為Aopen,反饋系數(shù)為β,則閉環(huán)傳遞函數(shù)Aclose=Aopen/(1+Aopenβ),其中Aopenβ為環(huán)路...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的性能指標(biāo)及如何對(duì)數(shù)學(xué)模型進(jìn)行求解
串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路中含有的元器件種類繁多,把他作為我們研究問(wèn)題的對(duì)象,使得研究結(jié)果具有普遍性。串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路如圖1所示。圖中,Ui為電網(wǎng)...
運(yùn)用兩種不同的納米尺度或原子尺度測(cè)量分析方法分析同一個(gè)樣品
APT是一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的微電子測(cè)量分析方法,但是,當(dāng)測(cè)量由不同蒸發(fā)場(chǎng)區(qū)(例如,不同的化學(xué)成分和/或晶體結(jié)構(gòu))構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)時(shí),這種方法將會(huì)受到諸多限制。蒸...
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