方波發(fā)生器電路圖和應(yīng)用圖

當(dāng) C 兩端的電壓達(dá)到 G 的正閾值時1，與非門改變狀態(tài)?，F(xiàn)在電容器放電到 G 的負(fù)閾值1，然后門再次改變它們的狀態(tài)。

2024-04-16 標(biāo)簽：電路圖振蕩器晶體管 4.3k 0

一文詳解場效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管JFET 4.3k 0

使用運算放大器的文氏電橋振蕩器

由于具有良好的頻率穩(wěn)定性、極低的失真和易于調(diào)諧等優(yōu)點，文氏電橋振蕩器（Wein Bridge Oscillator）成為當(dāng)前流行的音頻范圍信號發(fā)生器電路...

2022-08-25 標(biāo)簽：振蕩器運算放大器晶體管 4.3k 0

芯片制造中的淺溝道隔離工藝技術(shù)

淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。

2025-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管芯片制造 4.3k 0

淺談芯片制造的完整流程

在科技日新月異的今天，芯片作為信息技術(shù)的核心部件，其制作工藝的復(fù)雜性和精密性令人嘆為觀止。從一粒普通的沙子到一顆蘊(yùn)含無數(shù)晶體管的高科技芯片，這一過程不僅...

2024-10-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 4.3k 0

ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應(yīng)用

在集成電路領(lǐng)域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個重要指標(biāo)，通常與刻蝕的特征...

2023-07-14 標(biāo)簽：集成電路晶體管PVD 4.3k 0

貼片晶體管在報警器領(lǐng)域的應(yīng)用

1. 貼片晶體管應(yīng)用貼片晶體管的基本特點是：具有放大、飽和與截止三種工作狀態(tài)，且通過變換集電極、發(fā)射極偏置電

2019-07-07 標(biāo)簽：貼片晶體管 4.3k 0

可測性設(shè)計DFT-生產(chǎn)測試簡介

生產(chǎn)測試的目的是把好的物品和有瑕疵的物品分離出來，集成電路行業(yè)，測試的目標(biāo)是把功能正確的芯片和有瑕疵的芯片分離出來，保證客戶使用的是功能完整的芯片。

2023-09-15 標(biāo)簽：寄存器晶體管DFT設(shè)計 4.3k 0

到底什么是算力？算力的作用？

算力的字面意思，大家都懂，就是計算能力（Computing Power）。

2023-11-20 標(biāo)簽：處理器集成電路計算機(jī) 4.3k 0

分享一個不錯的遠(yuǎn)程調(diào)頻發(fā)射器電路

這種遠(yuǎn)程調(diào)頻無線電發(fā)射器在振蕩器級之后有一個額外的射頻功率放大器級。額外的射頻功率放大器用于將功率輸出提高到 200-250 毫瓦。該發(fā)射機(jī)配有匹配的多...

2022-06-28 標(biāo)簽：振蕩器晶體管射頻功率放大器 4.3k 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：閃存NAND晶體管 4.3k 0