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標(biāo)簽 > 晶體管

晶體管

晶體管

+關(guān)注78人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

如何熟練掌握CMOS模擬集成電路-BJT模型

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Bipolar Junction Transistor,雙極性晶體管又稱為三極管,其由兩個(gè)pn結(jié)構(gòu)成,理想的結(jié)構(gòu)模型如圖,有兩種類型npn和pnp。 ...

2023-02-02 標(biāo)簽:三極管晶體管PN結(jié) 4.3k 0

片內(nèi)和片間非均勻性是什么?如何計(jì)算?有什么作用呢?

片內(nèi)和片間非均勻性是什么?如何計(jì)算?有什么作用呢?

導(dǎo)語(yǔ):均勻性在芯片制程的每一個(gè)工序中都需要考慮到,包括薄膜沉積,刻蝕,光刻,cmp,離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均...

2023-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓晶體管 4.3k 0

功率放大器由哪些部分組成

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功率放大器是一種廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中的電子電路,其主要功能是將輸入信號(hào)的功率放大到較大的水平。功率放大器在許多領(lǐng)域都有重要應(yīng)用,如無(wú)線電通信、音頻設(shè)...

2024-01-03 標(biāo)簽:電源功率放大器晶體管 4.3k 0

基于IMST技術(shù)的IPM模塊解決白家電的設(shè)計(jì)問(wèn)題

由于世界各國(guó)不斷關(guān)注節(jié)能問(wèn)題,使節(jié)能型消費(fèi)類產(chǎn)品的需求持續(xù)上升,尤其是電冰箱、洗衣機(jī)和空調(diào)等白家電產(chǎn)品。除了節(jié)能,白家電設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)包括尺寸、散熱、可靠性...

2020-03-12 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)晶體管 4.3k 0

設(shè)計(jì)單開(kāi)關(guān)、諧振復(fù)位、正激式轉(zhuǎn)換器

設(shè)計(jì)單開(kāi)關(guān)、諧振復(fù)位、正激式轉(zhuǎn)換器

單晶體管諧振復(fù)位正激式轉(zhuǎn)換器通常用于功率水平低于 100 W 的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊。這些器件對(duì)于輸出電壓可調(diào)范圍廣的DC-DC轉(zhuǎn)換器也非常有用。然...

2023-03-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC-DC晶體管 4.2k 0

綜述 \ 石墨烯基導(dǎo)熱薄膜的研究進(jìn)展

綜述 \ 石墨烯基導(dǎo)熱薄膜的研究進(jìn)展

隨著 5G 時(shí)代的到來(lái),晶體管尺寸一直呈指數(shù)級(jí)縮小,芯片制造商也不斷在增加晶體管數(shù)量以實(shí)現(xiàn)更高的組件密度和時(shí)鐘頻率。而因晶體管數(shù)量和功耗增加所產(chǎn)生的熱量...

2023-06-20 標(biāo)簽:晶體管石墨烯熱導(dǎo)率 4.2k 0

二維半導(dǎo)體晶體管實(shí)際溝道長(zhǎng)度的極限

高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力,二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限(< 1 nm),同樣...

2022-10-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管二維 4.2k 0

共集電極放大電路的基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)

共集電極放大電路,也被稱為射極輸出器或射極跟隨器,它特別適合作為緩沖器使用,有效地協(xié)調(diào)不同電子組件之間的信號(hào)傳遞。本文將詳細(xì)探討其基本結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)。 共集...

2024-10-04 標(biāo)簽:放大電路晶體管共集電極電路 4.2k 0

相對(duì)于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些優(yōu)勢(shì)

最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。

2020-12-07 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 4.2k 0

電動(dòng)牙刷中簡(jiǎn)單的1.2V電機(jī)控制設(shè)計(jì)原理

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 當(dāng)牙刷切換到工作模式時(shí),晶體管的柵極以及多路復(fù)用器 3-L2 的輸出端有一個(gè)恒定的高電壓電平。該電壓電平打開(kāi)晶體管 Q3 并啟動(dòng)直流電機(jī)。

2023-11-24 標(biāo)簽:電機(jī)控制直流電機(jī)晶體管 4.2k 0

NPN雙極型三極管的形成原理是什么

NPN雙極型三極管的形成原理是什么

集成電路中用到的元件結(jié)構(gòu)和分立元件的單管結(jié)構(gòu)不同,例如二極管(PN結(jié)),雖有單向?qū)щ娦?,但是不能用于集成電路,集成電路中的結(jié)構(gòu)要復(fù)雜的多。

2022-08-20 標(biāo)簽:集成電路三極管晶體管 4.2k 0

晶體管放大的內(nèi)部條件和外部條件的區(qū)別

晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)中的放大、開(kāi)關(guān)、整流等電路中。晶體管的放大作用在電子技術(shù)應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。晶體管放大的內(nèi)部條件和外部條...

2024-02-27 標(biāo)簽:晶體管電子技術(shù)電荷 4.2k 0

關(guān)于5nm以后的晶體管選擇的方法分析

關(guān)于5nm以后的晶體管選擇的方法分析

化合物半導(dǎo)體的主要問(wèn)題是硅和III-V半導(dǎo)體之間的大的晶格(lattice)失配,導(dǎo)致晶體管溝道的缺陷。有一家公司開(kāi)發(fā)了一種含有V形溝槽的FinFET進(jìn)...

2019-08-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管化合物 4.2k 0

ldo和dcdc的區(qū)別 為什么不直接用電阻而需要使用LDO

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? 首先說(shuō)明下這篇文章適合于對(duì)電源技術(shù)淺嘗輒止的初學(xué)者,之所說(shuō)適合是因?yàn)榘ê芏鄬I(yè)技術(shù)人員,在入門(mén)電源技術(shù)之初,基本都會(huì)陷入諸如 “LDO與DC-DC...

2023-08-14 標(biāo)簽:電阻電路ldo 4.2k 0

基于晶體管的90W音頻功率放大器電路圖

基于晶體管的90W音頻功率放大器電路圖

該晶體管功率放大器電路僅使用準(zhǔn)互補(bǔ)放大器配置中的四個(gè)晶體管,即可以低成本向 4 歐姆負(fù)載提供 90W 的功率。   

2023-08-10 標(biāo)簽:電路圖功率放大器音頻 4.2k 0

氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)!

傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽:晶體管SiC氮化鎵 4.2k 0

推挽逆變電路與橋式逆變電路的區(qū)別

推挽逆變電路與橋式逆變電路是兩種常見(jiàn)的逆變電路形式,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些區(qū)別。以下是對(duì)這兩種逆變電路的比較: 結(jié)構(gòu)區(qū)別 推挽逆變...

2024-08-15 標(biāo)簽:IGBT晶體管逆變電路 4.2k 0

基于VMA系列功放模塊實(shí)現(xiàn)音頻功放電路的設(shè)計(jì)

基于VMA系列功放模塊實(shí)現(xiàn)音頻功放電路的設(shè)計(jì)

音頻功率放大器可以說(shuō)是電子行業(yè)一個(gè)歷久彌新的領(lǐng)域了。從器件類型上來(lái)說(shuō),經(jīng)歷了電子管、晶體管、集成電路以及混合電路等發(fā)展歷程;從電路形式上來(lái)說(shuō),有A類、B...

2021-03-17 標(biāo)簽:集成電路功率放大器晶體管 4.2k 0

簡(jiǎn)析倍頻器與分頻器

倍頻器(frequency multiplier)使輸出信號(hào)頻率等于輸入信號(hào)頻率整數(shù)倍的電路。輸入頻率為f1,則輸出頻率為f0=nf1,系數(shù)n為任意正整...

2023-04-24 標(biāo)簽:鎖相環(huán)分頻器晶體管 4.2k 0

三極管溫度特性的影響因素

三極管作為電子電路中的核心元件,其溫度特性對(duì)電路的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。深入了解三極管溫度特性的影響因素,有助于我們?cè)谠O(shè)計(jì)和應(yīng)用過(guò)程中更好地控制和管...

2024-07-30 標(biāo)簽:三極管晶體管溫度特性 4.2k 0

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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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