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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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集電極電流的形成是半導(dǎo)體器件,特別是三極管和場效應(yīng)管工作過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。它不僅是描述晶體管工作狀態(tài)的關(guān)鍵參數(shù),還直接影響電路的性能和穩(wěn)定性。
微型碳納米管晶體管生物傳感器,用于快速、超靈敏、無標(biāo)記食品檢測(cè)
溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成,隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜,金納米薄膜會(huì)自團(tuán)聚形成金顆粒,自此完成浮柵型碳納米管場效...
開關(guān)電流電路故障診斷的難點(diǎn)及解決方案
電流存儲(chǔ)單元主要利用MOS管柵電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)電流存儲(chǔ)功能。圖1所示電路,TS1,TS2,TS3是由MOS管構(gòu)成的開關(guān),受互補(bǔ)時(shí)鐘信號(hào)φ1,φ2...
2019-06-05 標(biāo)簽:cmos運(yùn)算放大器晶體管 3.6k 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開關(guān)過...
非線性器件混頻器的相乘作用及線性時(shí)變狀態(tài)
混頻器(Frequency Mixer)是一種三端口器件,實(shí)現(xiàn)由兩個(gè)頻率產(chǎn)生新的頻率的技術(shù),又稱為變頻器(Frequency Conversion)。
CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛使用的集成電路技術(shù),它利用了兩種類型的晶體管:N型和P型。CMOS門電路是數(shù)字邏輯電路的基本構(gòu)建塊,包括CMO...
2024-07-30 標(biāo)簽:晶體管CMOS門電路集成電路技術(shù) 3.6k 0
對(duì)于從事芯片行業(yè)的人員來說,還是有必要了解數(shù)字電路中的一些基本概念,例如用作邏輯開關(guān)的 MOS 晶體管。當(dāng)然,我們的目的是了解現(xiàn)代芯片中的行為本質(zhì),而不...
現(xiàn)在的IC技術(shù)是日新月異的技術(shù),無論是模擬電路,還是數(shù)字電路都能進(jìn)行IC化或LSI化。觀察電視機(jī)和計(jì)算機(jī)內(nèi)部,除了電源電路以外,幾乎所有的電路都被IC化...
滿足增益帶寬及電壓輸出擺幅要求的三級(jí)功率放大器的設(shè)計(jì)
低功耗、高性能是音頻放大器一直追求的目標(biāo)。近幾年來CMOS功率放大器得到很大發(fā)展,采用此工藝將會(huì)有效地降低功耗,但是隨之而來的問題是如何獲得有效的增益帶...
在工作中,會(huì)遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為:OD門是采用MOS管搭建的電路,壓(電壓)控元器件。
隨著量子科學(xué)的不斷發(fā)展,量子系統(tǒng)的規(guī)模也在不斷擴(kuò)大。相比傳統(tǒng)的空間量子光學(xué)系統(tǒng),集成量子光學(xué)系統(tǒng)能夠穩(wěn)定支持大規(guī)模量子系統(tǒng),是量子科學(xué)未來發(fā)展的重要方向。
它是一個(gè)基于12W放大器電路的741運(yùn)算放大器,用于需要中等功率的一般企業(yè)用途。12 W 放大器在對(duì)稱 +/- 12VDC 電源上運(yùn)行。741 IC用作...
2023-05-19 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器放大器電路晶體管 3.6k 0
共射極放大電路,作為電子技術(shù)中的基礎(chǔ)組件,以其獨(dú)特的特性和廣泛的應(yīng)用場景,共射極放大電路具備較大的電壓和電流放大倍數(shù),同時(shí)輸入和輸出電阻也保持在適中水平...
電力場效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 3.6k 0
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