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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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為了在硅芯片上擠入更多的元件,英特爾已開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3-D晶體管的處理器。這一舉動(dòng)不僅延長(zhǎng)了摩爾定律(根據(jù)該定律,每塊芯片上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昃蜁?huì)翻...
三菱電機(jī)推出新緊湊型DIPIPM功率半導(dǎo)體模塊
菱電機(jī)集團(tuán)昨日(2025年9月11日)宣布,將于9月22日開始供應(yīng)針對(duì)家用及工業(yè)設(shè)備(如柜式空調(diào)、熱泵采暖及熱水系統(tǒng))的新緊湊型DIPIPM功率半導(dǎo)體模...
2025-09-24 標(biāo)簽:晶體管三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 1.4k 0
如何保證音箱中晶體管配對(duì)的準(zhǔn)確度 每次看到號(hào)稱大電流的后級(jí)擴(kuò)大機(jī),并聯(lián)十幾、二十對(duì)功率晶體,都會(huì)暗暗吃驚:這些功率晶體
之前,我在Verilog中實(shí)現(xiàn)了它,并在DE0-nano FPGA上對(duì)其進(jìn)行了仿真,以確保所有邏輯都是正確的: 這是我決定使用的and邏輯塊的設(shè)計(jì)(最初...
圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、D...
電動(dòng)汽車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊環(huán)境試驗(yàn)要求及試驗(yàn)方法的詳解;
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...
2025-11-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1.4k 0
臺(tái)積電1.4nm工藝研發(fā)全面啟動(dòng),2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)
SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示,臺(tái)積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前,關(guān)于該節(jié)點(diǎn)的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫...
2023-12-14 標(biāo)簽:臺(tái)積電節(jié)點(diǎn)晶體管 1.4k 0
國(guó)產(chǎn)晶體管輸出光耦合器是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中的關(guān)鍵組件,旨在在系統(tǒng)不同部分之間傳輸信號(hào)時(shí)提供電氣隔離。這些光耦合器專為滿足各種應(yīng)用需求而設(shè)計(jì),對(duì)于保護(hù)低功率電...
半導(dǎo)體行業(yè)邁入"材料時(shí)代",創(chuàng)新材料至關(guān)重要
他強(qiáng)調(diào)了材料領(lǐng)域的創(chuàng)新對(duì)于提升半導(dǎo)體元件生產(chǎn)效率至關(guān)重要。對(duì)此,默克集團(tuán)電子業(yè)務(wù)總經(jīng)理凱·貝克曼 (Kai Beckmann) 亦持相同看法,并贊同未來...
如何用SMU數(shù)字源表簡(jiǎn)化晶體管的iv性能
晶體管特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng);通常晶體管特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。...
檢修電子產(chǎn)品的辦法就是如何判別毛病部位和排除毛病。電子設(shè)備的毛病時(shí)多種多樣的,有些毛病可以外表判別;有些毛病需要略加查看,做些簡(jiǎn)單修理就可以康復(fù)正常作業(yè)...
到目前為止,使電子設(shè)備運(yùn)行更快的方法歸根結(jié)底都遵循一個(gè)簡(jiǎn)單的原則,即縮小晶體管和其他零部件的尺寸。
2023-02-25 標(biāo)簽:電子設(shè)備晶體管電磁場(chǎng) 1.4k 0
"指尖上的人工智能”該實(shí)驗(yàn)程序可以大大降低人工智能的成本,對(duì)于微電子工業(yè),該AI系統(tǒng)具有更重要的象征意義。它進(jìn)一步接近了硅半導(dǎo)體的物理極限:跟競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相...
2016-11-02 標(biāo)簽:超級(jí)計(jì)算機(jī)晶體管人工智能 1.4k 0
IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD
國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)...
隨著我們的設(shè)備變得更小、更快、更節(jié)能,并且能夠容納更多的數(shù)據(jù),自旋電子學(xué)可能會(huì)幫助延續(xù)這一趨勢(shì)。電子學(xué)是基于電子流的,而自旋電子學(xué)是基于電子的自旋。
2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)晶體管計(jì)算 1.4k 0
據(jù)介紹,天璣 9300 采用 4 超大核 + 4 大核架構(gòu)。該架構(gòu)包含4個(gè)Cortex-X4超大核,最高頻率可達(dá)3.25GHz,以及4個(gè)Cortex-...
5G 功率放大器的其他候選者包括氮化鎵 (GaN) 和硅鍺 (SiGe)。GaN 技術(shù)通過促進(jìn)具有更高容量和熱效率的多個(gè)數(shù)據(jù)流的傳輸來增強(qiáng) PA 性...
放大器自身的電流噪聲通過何種方案可以降低呢?是在前端進(jìn)行抑制還是后端過濾?
放大器自身的電流噪聲通過何種方案可以降低呢?是在前端進(jìn)行抑制還是后端的過濾? 放大器自身的電流噪聲是放大器設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要問題。通過合理的設(shè)計(jì)和維護(hù)可以...
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