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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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基于LTPO的Apple Watch Series 5,續(xù)航能力很是強(qiáng)勁
今天凌晨發(fā)布的Apple Watch Series 5上,蘋果正式使用了基于LTPO的OLED屏幕。這也是自去年8月份蘋果被曝正在圍繞LTPO嘗試量產(chǎn)可...
英國(guó)劍橋大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種三維器官芯片
本文的通訊作者羅易斯·歐文斯博士說(shuō):“我們現(xiàn)在需要求諸三維細(xì)胞模型以開(kāi)發(fā)下一代療法,三維細(xì)胞培養(yǎng)可以幫助我們找到新療法,并知道應(yīng)該避免哪些療法。”
在CPU方面,麒麟980全球首次實(shí)現(xiàn)基于Cortex-A76的開(kāi)發(fā)商用,相較上一代處理器表現(xiàn)提升75%,能效提升58%。無(wú)論是發(fā)短信還是邊打手游邊聽(tīng)歌,...
今年8月,GlobalFoundries宣布停止前沿芯片制造工藝的開(kāi)發(fā)。該公司曾計(jì)劃轉(zhuǎn)移到7納米節(jié)點(diǎn),然后開(kāi)始使用極端紫外光刻技術(shù)(EUV)來(lái)降低這一工...
三星宣布完成了7nm EUV工藝的技術(shù)流程開(kāi)發(fā)以及產(chǎn)線部署進(jìn)入量產(chǎn)階段
目前三星宣布已經(jīng)完成了整套7nm EUV工藝的技術(shù)流程開(kāi)發(fā)以及產(chǎn)線部署,進(jìn)入了可量產(chǎn)階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程,整個(gè)制...
合肥研究院在光電晶體管的光調(diào)控方面取得進(jìn)展
分析表明,這種光控光電流增強(qiáng)特性源于器件的Ag與TiO2之間的肖特基勢(shì)壘。多孔TiO2在一般情況下,表面有大量的化學(xué)吸附氧,表面能帶向上彎曲,在與Ag接...
NAND閃存面臨限制,英特爾的3D XPoint戰(zhàn)略
讓英特爾頭痛的是,3D XPoint市場(chǎng)規(guī)模仍然很小,這讓他們無(wú)法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒(méi)有高產(chǎn)量,其生產(chǎn)成本將會(huì)保持很高,可能高于DRAM。然而,英...
1948年6月26日,貝爾實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)了肖克利發(fā)明的雙極型晶體管的專利,這是他一次在會(huì)議上感到無(wú)聊時(shí)偶然迸發(fā)的非凡設(shè)想。1949年4月7日,貝爾實(shí)驗(yàn)室的G...
正如余承東日前在IFA上介紹的那樣,華為這顆旗艦芯片不但成為全球首顆商用7nm工藝的手機(jī)SoC,領(lǐng)跑于全球,在CPU、GPU、Modem和其他多個(gè)零組件...
蘋果 A12 仿生芯片每平方毫米晶體管比 A11 仿生芯片多 70%
據(jù)悉,蘋果 A12 仿生芯片內(nèi)部集成 69 億個(gè)晶體管,其晶體管密度為 8390 萬(wàn)個(gè)/平方毫米,而 A11 仿生芯片的晶體管密度為 4900 萬(wàn)個(gè)/平...
回顧第一個(gè)集成電路,見(jiàn)證Jack Kilby的偉大
在基爾比眼里,這些方法最大的問(wèn)題是制造這樣的電路需要不同的材料和工藝。基爾比早就知道除了電感之外,其他的電路基本器件:電阻、電容、二極管、三極管都能在一...
技術(shù)創(chuàng)新將朝著與以往不同的方向發(fā)展
它的真正含義是,我們處在可以保證計(jì)算能力年年都增長(zhǎng)的末期階段。其結(jié)果是我們過(guò)去60年所習(xí)慣的那類創(chuàng)新將終結(jié)。技術(shù)創(chuàng)新將朝著與以往不同的方向發(fā)展。
85億晶體管!高通驍龍1000強(qiáng)勢(shì)反擊
當(dāng)然,晶體管數(shù)量的激增帶來(lái)的缺點(diǎn)也很明顯,就是芯片尺寸將會(huì)更大,達(dá)到20mm×15mm,這個(gè)尺寸比用于移動(dòng)版本的驍龍855要大得多。驍龍1000仍采用臺(tái)...
為保證每個(gè)晶體管的獨(dú)立運(yùn)行,需要阻止與之相鄰的晶體管的干擾……
應(yīng)用于工程系統(tǒng)控制的GaN磁性高電子遷移率晶體管
英國(guó)斯旺西大學(xué)和塞爾維亞尼斯大學(xué)的研究人員聲稱他們首次制造出氮化鎵(GaN)磁性高電子遷移率晶體管(MagHEMT)。
作為全球首款TSMC 7nm 制程工藝的手機(jī)芯片,相比上一代產(chǎn)品麒麟970,它的芯片面積縮小了,晶體管密度卻提升到1.6 倍,性能也相應(yīng)能提升20%,能...
中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件種類眾多。 功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類型可分為雙極型與單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Jun...
美國(guó)航空航天局(NASA)戈達(dá)德太空飛行中心的兩個(gè)科學(xué)家和工程師團(tuán)隊(duì)正在研究如何利用氮化鎵(GaN)加強(qiáng)空間探索。(1)工程師Jean-Marie La...
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