今天三星公司將會(huì)舉行Samsung Tech Day，其中宣布的重點(diǎn)包括了7nm EUV工藝、SmartSSD（FPGA SSD）、數(shù)據(jù)中心的QLC-SSD、256GB 3DS RDIMM內(nèi)存，那么與我們關(guān)系最密切的莫過(guò)于7nm EUV工藝量產(chǎn)，三星表示7nm LPP對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以實(shí)現(xiàn)提升40%面積能效、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。

目前納米工藝推進(jìn)遇到了極限問(wèn)題，主要是由制造設(shè)備帶來(lái)，具體來(lái)說(shuō)就是光刻機(jī)的分辨率制約，想要刻畫出精細(xì)、只有數(shù)納米寬度線條，對(duì)于光源聚集性能要求非常高。分辨率越高，刻畫的線條越精細(xì)越清晰。

但凡是光源總會(huì)有衍射問(wèn)題，想要克服衍射問(wèn)題，就必須使用波長(zhǎng)越短的光來(lái)刻畫晶體管掩模。

很久以前用的是Hg光源，100-80nm工藝以后開(kāi)始使用248nm的KrF光源，此后一直使用193nm的ArF光源，不過(guò)對(duì)于7nm以下工藝來(lái)說(shuō)，需要用到全新的EUV光源，波長(zhǎng)可以下降到只有13nm長(zhǎng)，這被視為7nm工藝的重要技術(shù)組成部分。

目前三星宣布已經(jīng)完成了整套7nm EUV工藝的技術(shù)流程開(kāi)發(fā)以及產(chǎn)線部署，進(jìn)入了可量產(chǎn)階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程，整個(gè)制造過(guò)程更加簡(jiǎn)單了，節(jié)省了時(shí)間和金錢，又可以實(shí)現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。

因此7nm EUV工藝才是半導(dǎo)體制造關(guān)鍵性節(jié)點(diǎn)，絕大部分半導(dǎo)體廠商都將會(huì)在此工藝上停留非常長(zhǎng)的時(shí)間（喜歡改名字另當(dāng)別論），往后5nm、3nm工藝攻堅(jiān)難度更加大了，遇到是半導(dǎo)體材料物理極限，而非光源極限問(wèn)題那么“簡(jiǎn)單”。

三星還說(shuō)7nm LPP工藝將會(huì)在韓國(guó)華城的S3工廠展開(kāi)，2020年前再新開(kāi)一條產(chǎn)線生產(chǎn)相關(guān)芯片，滿足市場(chǎng)所需。你猜哪一家產(chǎn)品會(huì)率先用上7nm EUV工藝？