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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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如果在數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備中部署上人工智能(AI)加速器,那么它們將能夠快速處理PB級的數(shù)據(jù)量,還能幫助克服傳統(tǒng)的馮·諾依曼瓶頸。
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FPGA為什么有時(shí)候還需要一個(gè)時(shí)鐘配置芯片提供時(shí)鐘呢? FPGA(Field Programmable Gate Array)是一種可編程邏輯器件,可以...
芯片是如何工作的呢?工作原理是什么呢?芯片是如何實(shí)現(xiàn)運(yùn)算的?
芯片是如何工作的呢?工作原理是什么呢?芯片是如何實(shí)現(xiàn)運(yùn)算的? 芯片是一種集成電路器件,其中包含了很多個(gè)晶體管、電容、電阻和其他元件。這些元件互相連接,像...
如何計(jì)算集成斬波放大器的ADC失調(diào)誤差和輸入阻抗?
如何計(jì)算集成斬波放大器的ADC失調(diào)誤差和輸入阻抗? ADC失調(diào)誤差和輸入阻抗是評估集成斬波放大器的兩個(gè)重要參數(shù)。在本文中,我們將介紹如何計(jì)算這兩個(gè)參數(shù),...
曦智科技提出片上光網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 提升單芯片性能
這個(gè)秋天,隨著蘋果公司搭載A17 pro芯片的最新款iPhone開始發(fā)售,電子芯片正式進(jìn)入3nm時(shí)代,制程工藝迭代的空間越來越小,想要在單個(gè)芯片上增加晶...
復(fù)旦大學(xué)提出一種具有溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗雙極晶體管
針對未來智慧功率器件和模組中需要集成實(shí)時(shí)溫度傳感功能的需求,團(tuán)隊(duì)提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗的新型載流子存儲溝槽柵雙極晶體管(HP-...
引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法,其中將細(xì)線從器件上的鍵合焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤(即引線)。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到...
MOS管為什么需要電源啟動(dòng)?電源緩啟動(dòng)能做什么?
MOS管為什么需要電源啟動(dòng)?電源緩啟動(dòng)能做什么? MOS管是廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中的一種晶體管,在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中扮演著重要的角色。不過,在使用MOS管...
CMOS運(yùn)放的本質(zhì)是電流鏡? CMOS運(yùn)放是一種非常重要的電路組件,已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路中。在現(xiàn)代電子技術(shù)中,CMOS運(yùn)放被用于信號放大...
PMOS和NMOS為什么不能同時(shí)打開?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?
PMOS和NMOS為什么不能同時(shí)打開?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢? PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET(MOS場效應(yīng)晶體管)。這兩種晶...
為什么我們需要晶體管?為什么不直接將用電器接到電源上呢? 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中最重要的組成部分之一。在現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域中,它們的使用非常普遍,從電視...
變頻器頻率為何調(diào)不上去?如何解決? 一、變頻器頻率調(diào)不上去的原因 1、電源問題:如果供電電壓過低或電源頻率不穩(wěn)定,會(huì)導(dǎo)致變頻器出現(xiàn)故障,頻率調(diào)節(jié)也會(huì)不穩(wěn)...
其中,2納米芯片的制程技術(shù)要求極高,需要采用全新的晶體管架構(gòu)、高精度材料和設(shè)備,同時(shí)對制程參數(shù)的精度和穩(wěn)定性要求更高,因此需要研發(fā)更加先進(jìn)的制程技術(shù)。
2023-10-20 標(biāo)簽:臺積電半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1.7k 0
? ? ? ?在臺積電的法人說明會(huì)上據(jù)臺積電總裁魏哲家透露臺積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前,臺積電已經(jīng)開始量產(chǎn)3nm工藝; 臺灣新竹寶山、高雄...
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對其特性有什么影響?
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IG...
IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎?IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種?
IGBT的工作原理 IGBT一定要加負(fù)壓才能關(guān)斷嗎?IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件有幾種? 一、IGBT的工作原理 IGBT(Insulated Gate B...
2023-10-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 9.3k 0
igbt可以反向?qū)▎??如何控制igbt的通斷? IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮...
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電壓 2.7萬 0
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中,各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn),本文著重...
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