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晶體管

晶體管

+關(guān)注78人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

文章:6377個(gè) 瀏覽:148316 帖子:853個(gè)

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有些科學(xué)家想制造出能存世幾百年甚至上千年的東西,有些科學(xué)家卻想讓他們制造出的東西快速消亡。日前,來自美

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據(jù)外媒報(bào)道,英特爾可能將其7納米制程重命名為5納米以匹配代工廠的營(yíng)銷計(jì)劃。在SemiAccurate看來,如果Intel這樣做,會(huì)讓我覺得他們正陷入陷阱...

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2021-04-12 標(biāo)簽:三極管晶體管FET 9.1k 0

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域與器件介紹

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從功能上來說,IGBT就是一個(gè)由晶體管實(shí)現(xiàn)的電路開關(guān)。當(dāng)其導(dǎo)通時(shí),可以承受幾十到幾百安培量級(jí)的電流;當(dāng)其關(guān)斷時(shí),可以承受幾百至幾千伏特的電壓。

2021-04-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管數(shù)字信號(hào) 1.2萬(wàn) 0

華為究竟是在下一盤怎么的大棋?

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MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,那么如何去學(xué)好MOS管呢?大家都對(duì)三極管有了解了,已經(jīng)弄明白了。實(shí)際上,要想學(xué)好MOS管,首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來學(xué)。我們說...

2021-04-07 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 4.7k 0

鉭電容的檢修辦法介紹

檢修電子產(chǎn)品的辦法就是如何判別毛病部位和排除毛病。電子設(shè)備的毛病時(shí)多種多樣的,有些毛病可以外表判別;有些毛病需要略加查看,做些簡(jiǎn)單修理就可以康復(fù)正常作業(yè)...

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拓?fù)淦鹪从跀?shù)學(xué),研究的是幾何圖形或空間在連續(xù)形變下保持不變的性質(zhì),又被稱為“橡皮膜上的幾何學(xué)”。

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成果展示:SiC基IGBT模型(ver.1.0) 作為十四五規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)中科技前沿領(lǐng)域重點(diǎn)攻關(guān)方向,碳化硅(SiC)基絕緣柵雙極型晶體管(I...

2021-04-07 標(biāo)簽:電壓晶體管 1k 0

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近年來,諸如二硫化鎢(WS2)之類的2D材料在未來邏輯芯片的制造中可以發(fā)揮至關(guān)重要的作用。由于其卓越的性能,它

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IGBT的識(shí)別方法及應(yīng)用電路

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芯片行業(yè)正在研究幾種技術(shù)來解決互連方面的瓶頸,但是,許多解決方案仍然處于研發(fā)階段,可能需要很長(zhǎng)的一段時(shí)間才會(huì)出現(xiàn)-可能要等到2納米工藝節(jié)點(diǎn)時(shí),互連技術(shù)才...

2021-03-30 標(biāo)簽:芯片電阻晶體管 5.7k 0

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*CFET:Complementary Field Effect Transistor,是將nMOS和pMOS垂直堆疊的一種新型晶體管結(jié)構(gòu),通過將Con...

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華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買馬

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功率器件是半導(dǎo)體重要一環(huán)。尤其是隨著功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,國(guó)際大廠已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上。可以說第三代半導(dǎo)體就是...

2021-03-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管功率器件 3.8k 0

光電隔離耦合6L6單端放大器的制作

本文介紹了光耦的選用和光電隔離耦合6L6單端放大器的制作方法。

2021-03-29 標(biāo)簽:三極管電子元器件光耦合器 3.9k 0

詳解雙管電壓放大電路

詳解雙管電壓放大電路

采用兩只晶體管可以構(gòu)成雙管電壓放大單元,晶體管VT 1 、VT 2 之間為直接耦合,沒有耦合電容。

2021-04-04 標(biāo)簽:電壓晶體管耦合電容 5k 0

雪崩二極管的噪聲是怎樣產(chǎn)生的?

當(dāng)igbt在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開時(shí),總會(huì)發(fā)生過壓。例如,當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時(shí),集電極 - 發(fā)射極電壓突然上

2021-03-26 標(biāo)簽:二極管電流晶體管 3.9k 0

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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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