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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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有些科學(xué)家想制造出能存世幾百年甚至上千年的東西,有些科學(xué)家卻想讓他們制造出的東西快速消亡。日前,來自美
2021-04-15 標(biāo)簽:晶體管環(huán)形振蕩器氧化物半導(dǎo)體 2k 0
長(zhǎng)電科技到底經(jīng)歷了怎樣的涅槃重生?
但出人意料的是,這個(gè)小小的晶體廠卻整出了大名堂。由于在我國(guó)同步衛(wèi)星發(fā)射中作出了貢獻(xiàn),在1984年受到了中共中央國(guó)務(wù)院和中央軍委的表彰。在那個(gè)時(shí)代,這個(gè)榮...
2021-04-13 標(biāo)簽:晶體管封測(cè)長(zhǎng)電科技 8.5k 0
據(jù)外媒報(bào)道 英特爾要將其7nm改名為5nm
據(jù)外媒報(bào)道,英特爾可能將其7納米制程重命名為5納米以匹配代工廠的營(yíng)銷計(jì)劃。在SemiAccurate看來,如果Intel這樣做,會(huì)讓我覺得他們正陷入陷阱...
在過去的幾十年里,幾種MEMS開關(guān)技術(shù)不斷發(fā)展,了解其工作原理對(duì)開發(fā)新型器件至關(guān)重要。雖然沒有既定的MEMS開關(guān)分類,但可以根據(jù)不同特征(如對(duì)外部電源的...
三極管 全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。...
從功能上來說,IGBT就是一個(gè)由晶體管實(shí)現(xiàn)的電路開關(guān)。當(dāng)其導(dǎo)通時(shí),可以承受幾十到幾百安培量級(jí)的電流;當(dāng)其關(guān)斷時(shí),可以承受幾百至幾千伏特的電壓。
2021-04-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管數(shù)字信號(hào) 1.2萬(wàn) 0
據(jù)了解,功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等,可細(xì)分為功率器件和功率IC兩大類。功率器件又分...
MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,那么如何去學(xué)好MOS管呢?大家都對(duì)三極管有了解了,已經(jīng)弄明白了。實(shí)際上,要想學(xué)好MOS管,首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來學(xué)。我們說...
檢修電子產(chǎn)品的辦法就是如何判別毛病部位和排除毛病。電子設(shè)備的毛病時(shí)多種多樣的,有些毛病可以外表判別;有些毛病需要略加查看,做些簡(jiǎn)單修理就可以康復(fù)正常作業(yè)...
關(guān)于在非極性介質(zhì)中設(shè)計(jì)產(chǎn)生極性拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的研究結(jié)論
拓?fù)淦鹪从跀?shù)學(xué),研究的是幾何圖形或空間在連續(xù)形變下保持不變的性質(zhì),又被稱為“橡皮膜上的幾何學(xué)”。
2021-04-07 標(biāo)簽:晶體管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)納米 2.7k 0
利用APSYS半導(dǎo)體器件開發(fā)出SiC基IGBT計(jì)算模型
成果展示:SiC基IGBT模型(ver.1.0) 作為十四五規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)中科技前沿領(lǐng)域重點(diǎn)攻關(guān)方向,碳化硅(SiC)基絕緣柵雙極型晶體管(I...
近年來,諸如二硫化鎢(WS2)之類的2D材料在未來邏輯芯片的制造中可以發(fā)揮至關(guān)重要的作用。由于其卓越的性能,它
三星預(yù)計(jì)在2022年推出采用3nm工藝的MBCFET
邏輯芯片產(chǎn)業(yè)正朝著晶體管結(jié)構(gòu)的根本性變革邁進(jìn)。
芯片行業(yè)正在研究幾種技術(shù)來解決互連方面的瓶頸
芯片行業(yè)正在研究幾種技術(shù)來解決互連方面的瓶頸,但是,許多解決方案仍然處于研發(fā)階段,可能需要很長(zhǎng)的一段時(shí)間才會(huì)出現(xiàn)-可能要等到2納米工藝節(jié)點(diǎn)時(shí),互連技術(shù)才...
英特爾展示了其基于nanoribbon板狀納米溝道的n/p型堆疊的器件
*CFET:Complementary Field Effect Transistor,是將nMOS和pMOS垂直堆疊的一種新型晶體管結(jié)構(gòu),通過將Con...
功率器件是半導(dǎo)體重要一環(huán)。尤其是隨著功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,國(guó)際大廠已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上。可以說第三代半導(dǎo)體就是...
當(dāng)igbt在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開時(shí),總會(huì)發(fā)生過壓。例如,當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時(shí),集電極 - 發(fā)射極電壓突然上
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