應(yīng)變硅（Strained Silicon）

根據(jù)應(yīng)變的作用方向差異，應(yīng)變還可以分為雙軸應(yīng)變（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y兩個方向上形成相對一致的應(yīng)力）和單軸應(yīng)變 (Uniaxi...

2022-11-28 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管晶格 1.2萬 0

“百萬像素中中波雙色制冷紅外探測器”通過科技成果評價

評價專家組認(rèn)為：高德紅外提供的資料齊全、完整，符合評價要求；公司創(chuàng)新成果得到成功應(yīng)用，研制出國內(nèi)首款基于銻化物二類超晶格的1280×1024、15μm像...

2021-03-06 標(biāo)簽：紅外探測器紅外熱像晶格 1.2萬 0

離子注入工藝的設(shè)計與計算簡介

介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時候，該公司就開始做離子注入的工...

2020-11-20 標(biāo)簽：晶圓晶格離子注入 8.5k 0

影響材料彈性模量的因素

對于60Si2MnA材料熱處理雖然對E的影響很小，但是G卻有明顯變化，根據(jù)剪切模量、彈性模量及泊松比的關(guān)系：G=E/(2(1+υ))，可以得出是熱處理會...

2022-08-30 標(biāo)簽：晶格模量 7.9k 0

基于銻化物Ⅱ類超晶格InAs/InAsSb的研究進展

在半導(dǎo)體超晶格材料體系中，基于Ⅲ-V族半導(dǎo)體的超晶格材料是人們的研究熱點，其帶隙在0.1~1.7eV之間，可作為紅外波段光電子器件的材料，也可應(yīng)用在工業(yè)...

2022-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體紅外探測器晶格 4.4k 0

非金屬材料的前世今生

來源｜中科院之聲（zkyzswx）編者按：中科院之聲與中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所聯(lián)合開設(shè)科普硅立方專欄，為大家介紹先進無機非金屬材料的前世今生。我們將帶...

2020-10-30 標(biāo)簽：材料晶格非金屬 4.3k 0

石墨烯等二維（2D）材料有望應(yīng)用于多個領(lǐng)域

來自湖南大學(xué)的秦光照和鄭州大學(xué)的秦真真基于第一性原理方法，合作研究了石墨烯、硅烯、h-BN、h-GaN、h-SiC和h-BAs等新型二維蜂窩狀材料在單軸...

2020-07-08 標(biāo)簽：碳納米管晶格動力學(xué) 3.9k 0

高性能銻化物超晶格中紅外探測器研究進展

InAs/GaSb超晶格中存在著嚴(yán)重的SRH復(fù)合，研究發(fā)現(xiàn)，與Ga有關(guān)的本征缺陷在禁帶中心附近引入了缺陷能級形成的復(fù)合中心是導(dǎo)致SRH機制主要原因，因此...

2022-04-19 標(biāo)簽：探測器晶格 3.5k 0

讓金屬變得更強的四種工藝

間隙型溶質(zhì)原子比置換原子具有較大的固溶強化效果，且由于間隙原子在體心立方晶體中的點陣畸變屬非對稱性的，故其強化作用大于面心立方晶體的；但間隙原子的固溶度...

2021-04-08 標(biāo)簽：工藝金屬晶格 3.3k 0

華北光電技術(shù)研究所研制中/長波雙色二類超晶格紅外探測器

二類超晶格材料主要通過調(diào)節(jié)InAs、GaSb、AlSb、InSb等層厚來實現(xiàn)能帶結(jié)構(gòu)裁剪，實現(xiàn)響應(yīng)波段、暗電流等其他光電性能調(diào)控，通過經(jīng)驗緊束縛理論和8...

2023-01-13 標(biāo)簽：紅外探測器晶格 3.2k 0

立方砷化硼有望成為下一代電子產(chǎn)品的候選材料

同時具有高電子和空穴遷移率以及高導(dǎo)熱率的半導(dǎo)體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能（1，2）。然而，到目前為止，仍然沒有確認(rèn)同時具有高遷移率和熱導(dǎo)率的材料。

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料晶格熱導(dǎo)率 3.1k 0

中國科學(xué)家開啟全新的鉆石應(yīng)用時代

此外，他們還通過相對較大的樣本展示了金剛石微橋陣列如何實現(xiàn)同步的深彈性應(yīng)變。而超大的、高度可控的彈性應(yīng)變，則能從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu)，最終計算出帶...

2021-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石晶格 3k 0

利用壓力調(diào)控結(jié)合化學(xué)方法揭示了鹵化物鈣鈦礦定量構(gòu)效關(guān)系

“該材料大的八面體畸變主要源于鍺和碘離子大的尺寸失配以及鍺離子的孤對電子效應(yīng)，這使我們考慮施加壓力調(diào)節(jié)這種畸變，期望實現(xiàn)結(jié)構(gòu)和物性的連續(xù)調(diào)控，實驗結(jié)果很...

2021-01-14 標(biāo)簽：測試技術(shù)晶格鈣鈦礦 2.8k 0

一種新穎的結(jié)構(gòu)組裝策略，通過引入柔性羧酸胺基元

在前期工作基礎(chǔ)上，中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所結(jié)構(gòu)化學(xué)國家重點實驗室“無機光電功能晶體材料”研究員羅軍華團隊提出了一種新穎的結(jié)構(gòu)組裝策略，通過引入柔性羧...

2021-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電器件晶格 2.8k 0